| 申请专利号 |
200380105625.4 |
专利申请日 |
2003.12.11 |
| 名称 |
外延衬底及其制造方法 |
公开（公告）号 |
1723303 |
| 公开（公告）日 |
2006.01.18 |
颁证日 |
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| 优先权 |
2002.12.11 PL P-357696;2002.12.11 PL P-357707;2002.12.11 PL P-357708;2002.12.11 PL P-357709 |
申请（专利权） |
阿莫诺公司 |
| 地址 |
波兰华沙 |
发明（设计）人 |
罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 |
| 国际申请 |
2003-12-11 PCT/JP2003/015906 |
国际公布 |
2004-06-24 WO2004/053210 英 |
| 专利代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘继富 顾晋伟 |
| 专利摘要 |
| 本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物
层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N-极面与N-极面组成并且所述衬底
的位错密度为5×10 |
| 专利主权项 |
| 1.一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长方法生长的氮化物
层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N-极面与N-极面组成并且所述衬底的
位错密度为5×105/cm2或更低。
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