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专利名称:双应力膜互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法

专利申请号200710171663.X
申请日2007.11.27
公开(公告)号CN101447457
公开(公告)日2009.06.03
主分类号H01L21/8238(2006.01)I
分案原申请号
分类号H01L21/8238(2006.01)I
优先权
申请(专利权)人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址201203上海市浦东新区张江路18号
发明(设计)人张海洋
国际申请
国际公布
进入国家阶段日期
专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
代理人逯长明
专利类型发明专利
摘要一种双应力膜CMOS的制造方法,包括:提供具有第一和第二晶 体管的半导体衬底;在第一晶体管上形成掺杂的第一应力膜;在该第一 应力膜和第二晶体管上形成第二应力膜,该第二应力膜厚度至少等于第 一晶体管栅极介质层、栅极与第一应力膜厚度之和;平坦化所述第二应 力膜,使第一应力膜表面被露出;在第一应力膜被露出的表面上和第二 晶体管栅极上方的第二应力膜上形成光刻胶图案,第二晶体管栅极上方 的第二应力膜上的光刻胶图案的线宽大于第二晶体管栅极的线宽;刻蚀 未被光刻胶图案覆盖的第二应力膜,至所述第一应力膜上的第二应力膜 被去除为止。本发明在张应力膜和压应力膜层的接合处不会产生凸起的 缺陷。
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