| 专利申请号 | 200710171663.X |
|---|---|
| 申请日 | 2007.11.27 |
| 公开(公告)号 | CN101447457 |
| 公开(公告)日 | 2009.06.03 |
| 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 |
| 发明(设计)人 | 张海洋 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 代理人 | 逯长明 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种双应力膜CMOS的制造方法，包括：提供具有第一和第二晶 体管的半导体衬底；在第一晶体管上形成掺杂的第一应力膜；在该第一 应力膜和第二晶体管上形成第二应力膜，该第二应力膜厚度至少等于第 一晶体管栅极介质层、栅极与第一应力膜厚度之和；平坦化所述第二应 力膜，使第一应力膜表面被露出；在第一应力膜被露出的表面上和第二 晶体管栅极上方的第二应力膜上形成光刻胶图案，第二晶体管栅极上方 的第二应力膜上的光刻胶图案的线宽大于第二晶体管栅极的线宽；刻蚀 未被光刻胶图案覆盖的第二应力膜，至所述第一应力膜上的第二应力膜 被去除为止。本发明在张应力膜和压应力膜层的接合处不会产生凸起的 缺陷。 |
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