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专利名称:超低导通电阻LDMOS的制作方法

专利申请号201911154068.4
申请日2019.11.22
公开(公告)号CN112838118A
公开(公告)日2021.05.25
主分类号H01L29/06
分案原申请号
分类号H01L29/06 H01L21/336 H01L29/423 H01L21/265
优先权
申请(专利权)人上海先进半导体制造有限公司
地址200233 上海市徐汇区虹漕路385号
发明(设计)人林威;刘建华
国际申请
国际公布
进入国家阶段日期
专利代理机构上海弼兴律师事务所 31283
代理人薛琦
专利类型发明专利
摘要本发明公开了一种超低导通电阻LDMOS的制作方法,该制作方法包括:在高压N型阱中形成N型漂移区和P阱;在高压N型阱上形成SiO2层;在SiO2层上积淀多晶硅层;在多晶硅层上涂光刻胶,对光刻胶进行曝光,显影后将掩膜图案转移到多晶硅层表面;对未被光刻胶覆盖的闸极多晶硅区域进行高阻注入;对未被光刻胶覆盖的闸极多晶硅区域进行高能注入;对P阱靠近闸极一侧区域和N型漂移区靠近STI区域进行N型注入;对P阱中STI区域之间进行P型注入;在闸极靠近N型漂移区一侧以及N型漂移区的上方形成合金阻挡层。本发明通过将高阻注入引入LDMOS制式提高LDMOS的表现,降低了制造超低导通电阻的成本,同时维持了关态击穿电压。
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