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专利名称:用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土-高Z-石墨烯-复合涂层及其制备方法

专利申请号202111162293.X
申请日2021.09.30
公开(公告)号CN113881312A
公开(公告)日2022.01.04
主分类号C09D163/00
分案原申请号
分类号C09D163/00 C09D7/61
优先权
申请(专利权)人哈尔滨工业大学
地址150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
发明(设计)人吴晓宏;卢松涛;李杨;秦伟;洪杨
国际申请
国际公布
进入国家阶段日期
专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211
代理人刘景祥
专利类型发明专利
摘要用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土‑高Z‑石墨烯‑复合涂层及其制备方法,属于辐射防护技术领域。本发明为了解决现有空间抗总剂量效应防护材料性能单一的技术问题。本发明是由功能填料和树脂基体组成的。所述的功能填料是由表面定向排布有稀土金属氧化物与高Z材料的石墨烯纳米卷组成,然后将其与树脂基体混合,利用超声辅助热喷涂装置将其涂覆于宇航级芯片表面,分段固化成型。本发明可有效提高复合涂层整体的总剂量效应辐照性能,有效防止辐照对涂层及基底产生降解和性能退化作用。
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