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专利名称:碳化硅MOSFET驱动电路、开关电源及电子设备

专利申请号202111618361.9
申请日2021.12.27
公开(公告)号CN114400875A
公开(公告)日2022.04.26
主分类号H02M1/08
分案原申请号
分类号H02M1/08 H02M1/32
优先权
申请(专利权)人深圳市恒运昌真空技术有限公司
地址518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源智创小镇功能配套区B栋101,201,301
发明(设计)人乐卫平;林桂浩;张桂东
国际申请
国际公布
进入国家阶段日期
专利代理机构深圳紫辰知识产权代理有限公司 44602
代理人万鹏
专利类型发明专利
摘要本发明涉及一种碳化硅MOSFET驱动电路、开关电源及电子设备,所述驱动电路中,第一钳位电路在接收到的第一电压信号为正电压信号时,驱动第一碳化硅MOSFET导通;第一钳位电路在接收到的第一电压信号为负电压信号时,驱动第一碳化硅MOSFET断开;第二驱动电路包括第二补偿电路和第二钳位电路;第二钳位电路在接收到的第二电压信号为正电压信号时,驱动第二碳化硅MOSFET断开;第二钳位电路在接收到的第二电压信号为负电压信号时,驱动第二碳化硅MOSFET导通,能够实现两个碳化硅MOSFET的交替导通,实现碳化硅MOSFET驱动电路能够在兆赫兹级工作,简化了电路结构,且无电压尖峰产生,有效的保护了对门极电压要求较高的碳化硅MOSFET,避免器件损坏。
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