| 专利申请号 | 202111618361.9 |
|---|---|
| 申请日 | 2021.12.27 |
| 公开(公告)号 | CN114400875A |
| 公开(公告)日 | 2022.04.26 |
| 主分类号 | H02M1/08 |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | H02M1/08 H02M1/32 |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源智创小镇功能配套区B栋101,201,301 |
| 发明(设计)人 | 乐卫平;林桂浩;张桂东 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 深圳紫辰知识产权代理有限公司 44602 |
| 代理人 | 万鹏 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅MOSFET驱动电路、开关电源及电子设备，所述驱动电路中，第一钳位电路在接收到的第一电压信号为正电压信号时，驱动第一碳化硅MOSFET导通；第一钳位电路在接收到的第一电压信号为负电压信号时，驱动第一碳化硅MOSFET断开；第二驱动电路包括第二补偿电路和第二钳位电路；第二钳位电路在接收到的第二电压信号为正电压信号时，驱动第二碳化硅MOSFET断开；第二钳位电路在接收到的第二电压信号为负电压信号时，驱动第二碳化硅MOSFET导通，能够实现两个碳化硅MOSFET的交替导通，实现碳化硅MOSFET驱动电路能够在兆赫兹级工作，简化了电路结构，且无电压尖峰产生，有效的保护了对门极电压要求较高的碳化硅MOSFET，避免器件损坏。 |
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