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专利名称:半导体器件及其制备方法

专利申请号202210989705.5
申请日2022.08.18
公开(公告)号CN115064596A
公开(公告)日2022.09.16
主分类号H01L29/78
分案原申请号
分类号H01L29/78 H01L29/40 H01L29/423 H01L21/336
优先权
申请(专利权)人广州粤芯半导体技术有限公司
地址510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
发明(设计)人赵晓龙;于绍欣;李超成;姜钦
国际申请
国际公布
进入国家阶段日期
专利代理机构上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人罗磊
专利类型发明专利
摘要本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,包括:衬底;漂移区和沟道区位于衬底中;源区和漏区分别位于沟道区和漂移区中;场氧化层位于漂移区的部分表面上且位于源区和漏区之间;栅极多晶硅层位于源区和漏区之间的衬底上,栅极多晶硅层靠近场氧化层的侧面具有若干沿Y方向延伸的延伸部,且延伸部沿X方向排列;钝化层,覆盖衬底、场氧化层和栅极多晶硅层,且钝化层中形成有贯穿钝化层的源极插塞;第二部分与第一部分靠近栅极多晶硅层的侧面连接,第一部分与源极插塞电性连接,且第二部分沿Y方向延伸且沿X方向排列,且第二部分在衬底上的投影和延伸部在衬底上的投影错位或部分重叠;本发明提高了器件的耐压。
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