| 专利申请号 | 202311083980.1 |
|---|---|
| 申请日 | 2023.08.28 |
| 公开(公告)号 | CN119562558A |
| 公开(公告)日 | 2025.03.04 |
| 主分类号 | H10D30/60 |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | H10D30/60 H10D30/01 H10D64/27 H10D64/01 |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 联华电子股份有限公司 |
| 地址 | 中国台湾新竹市 |
| 发明(设计)人 | 李信宏 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 |
| 代理人 | 王锐 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明公开一种中压晶体管结构及其制作方法，其中该中压晶体管结构包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一源极轻掺杂区和一漏极轻掺杂区埋入于栅极结构的两侧的基底中，一导电结构接触漏极轻掺杂区，一第一间隙壁环绕栅极结构以及一第二间隙壁环绕导电结构，第一间隙壁接触第二间隙壁。 |
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