专利信息
| 专利申请号 | 202380102238.2 |
|---|---|
| 申请日 | 2023.09.13 |
| 公开(公告)号 | CN122095552A |
| 公开(公告)日 | 2026.05.26 |
| 主分类号 | H03H9/25 |
| 分类号 | H03H9/25 |
| 优先权 | |
| 分案原申请号 |
国际信息
| 国际申请 | PCT/CN2023/118569 2023.09.13 |
|---|---|
| 国际公布 | WO2025/054853EN 2025.03.20 |
| 进入国家阶段日期 | 2026.03.12 |
代理信息
| 专利代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
|---|---|
| 代理人 | 田晶 |
| 专利类型 | 发明专利 |
摘要
一种声谐振器(100)提供高压电耦合,并且在谐振频率下表现出改进的功率处理特性和Q因数。所述声谐振器(100)包括叉指换能器(interdigital transducer,IDT)(102),所述IDT形成在压电基板(104)上。所述IDT(102)的每个交错排列的指状电极具有多层结构,所述多层结构包括第一层(200)和第二层(202),所述第二层设置在所述第一层(200)上方并且通过一个或多个基座(204)与所述第一层(200)分离。所述第一层(200)、所述第二层(202)和所述一个或多个基座(204)的厚度和宽度基于将由所述IDT(102)在所述声谐振器(100)的所述谐振频率下产生的声波的波长来定义。所述第一层(200)的所述厚度小于所述一个或多个基座(204)和所述第二层(202)中的每一者的所述厚度,所述一个或多个基座(204)的所述宽度小于所述第一层(200)和所述第二层(202)中的每一者的所述宽度。