| 专利申请号 | 202411183268.3 |
|---|---|
| 申请日 | 2024.08.27 |
| 公开(公告)号 | CN119143136A |
| 公开(公告)日 | 2024.12.17 |
| 主分类号 | C01B33/029 |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | C01B33/029 C01B33/027 C01B32/162 H01M4/36 H01M4/38 H01M4/62 H01M4/04 B82Y30/00 B82Y40/00 H01M10/0525 |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 青岛超瑞纳米新材料科技有限公司 |
| 地址 | 266000 山东省青岛市莱西市夏格庄镇华丰路东1号 |
| 发明(设计)人 | 陈名海;赵屹坤;孙宝强;邓炜;赵飞 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 |
| 代理人 | 耿彩红 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明公开了一种单壁碳纳米管复合硅负极材料的制备方法，涉及复合硅负极材料制备技术领域，所述方法通过将金属有机物催化剂和助催化剂的蒸汽与碳源气、气相硅烷混合，在高温等离子体作用下裂解并生长成单壁碳纳米管和纳米硅颗粒复合物，进而经过酸洗提纯获得所述单壁碳纳米管复合硅负极材料。该方法采用高温等离子体电弧作为热源，使硅源快速通过等离子电弧火焰，具有高效快速且温度梯度大的特点，有利于形成均匀纳米尺度的硅颗粒；在实现单壁碳纳米管生长与硅纳米颗粒裂解生长同时进行，有利于硅纳米颗粒在单壁碳纳米管骨架中的均匀弥散分布，有效束缚后续充放电应用时产生的体积膨胀，避免颗粒崩塌，形成高效稳定的导电网络。 |
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