| 专利申请号 | 202411251128.5 |
|---|---|
| 申请日 | 2024.09.06 |
| 公开(公告)号 | CN119153321A |
| 公开(公告)日 | 2024.12.17 |
| 主分类号 | H01L21/28 |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L21/28 H01L29/423 |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 成都航天博目电子科技有限公司 |
| 地址 | 610083 四川省成都市金牛高新技术产业园区金凤凰大道666号B区7号楼1楼12号 |
| 发明(设计)人 | 杨云畅;李华阳;伏盛权;黄红蓝;程少磊;杨瑾;徐浩;房爽 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 北京市一法律师事务所 11654 |
| 代理人 | 贾学杰 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明公开了一种T型栅制备方法以及T型栅，所述方法包括：在外延片上沉积氮化硅薄膜并涂布第一光刻胶；使用i线光刻机对第一光刻胶曝光并显影，形成第一光刻胶图案；进行热回流加热形成开口缩小的第二光刻胶图案；对氮化硅薄膜进行刻蚀形成栅极制作窗口；沉积第一金属膜并涂布一层厚胶，使用i线步进式光刻机曝光并显影形成需要电镀的区域；通过电镀使第一金属膜增厚为第二金属膜；涂布第二光刻胶，使用i线步进式光刻机曝光并显影形成需要逆电镀的区域；通过逆电镀去除未被第二光刻胶覆盖的第二金属膜；去除第二光刻胶图案，保留第二金属膜作为T型栅。本发明利用传统i线光刻机就可以制备更小栅长的T型栅，能够降低设备成本，提高制备效率。 |
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