| 专利申请号 | 202520609635.5 |
|---|---|
| 申请日 | 2025.04.02 |
| 公开(公告)号 | CN224153764U |
| 公开(公告)日 | 2026.04.21 |
| 主分类号 | H01S5/028 |
| 分案原申请号 | |
| 分类号 | H01S5/028 H01S5/22 |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 地址 | 237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号 |
| 发明(设计)人 | 杨力勋;蔡琳榕 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家阶段日期 | |
| 专利代理机构 | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 |
| 代理人 | 武光勇 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型涉及一种激光发光器件结构，由第一半导体层、第二半导体层和有源层组成的发光器件；有源层位于第一半导体层、第二半导体层之间，所述第一半导体层设置在衬底上；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的正极；第一导电层、第二导电层、正极共同组成第一电连接层；覆盖于第二半导体层部分表面的第一绝缘层；第一绝缘层在蚀刻脊的过程中包覆第一导电层和第二导电层侧壁。本实用新型在蚀刻脊的过程中，隔绝了第一导电层和第二导电层，避免蚀刻气体与第一导电层和第二导电层发生反应，从而提高器件的稳定性。 |
| 全文下载 | 下载 |