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1:
[实用新型]
微电子单元及系统
申请号:
201020606686.6
公开号:CN201910420U 主分类号:H01L23/52(2006.01)I
申请人:
泰瑟拉研究有限责任公司
申请日:2010.11.11 公开日:2011.07.27
发明人:
V·奥甘赛安
;
B·哈巴
;
P·萨瓦利亚
;
I·默罕默德
;
C·米切尔
摘要:公开了一种微电子单元,包括:半导体元件,其具有前表面,背离前表面的后表面,多个有源半导体器件,和多个导电垫,每个导电垫具有顶表面和底表面,半导体元件具有第一开口和至少一个第二开口;至少一个导电过孔部,其在相应的第二开口内延伸并且以与相应导电垫接触的方式沉积;至少一个导电互连,每个导电互连电连接到导电过孔部中相应的一个并且在第一开口内背离该导电过孔部延伸;以及至少一个导电触点,每个导电触点电连接至导电互连中相应的一个,至少一个导电触点暴露在半导体元件外侧;其中,第一开口限定出内表面,内表面的表面粗糙度大于1微米,并且内表面限定出相对于后表面60至100度的壁角度。还公开了包含该单元的系统。
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2:
[实用新型]
微电子单元、互连基板以及系统
申请号:
201020606709.3
公开号:CN201985092U 主分类号:H01L23/52(2006.01)I
申请人:
泰瑟拉研究有限责任公司
申请日:2010.11.10 公开日:2011.09.21
发明人:
V·奥甘赛安
;
I·默罕默德
;
C·米切尔
;
B·哈巴
;
P·萨瓦利亚
摘要:一种微电子单元、一种互连基板和一种制作微电子单元的方法被公开了。微电子单元可以包括在其内具有多个有源半导体器件的半导体元件,半导体元件具有第一开口和至少一个第二开口,第一开口从后表面开始朝向前表面延伸,部分地穿过半导体元件,以及在第一开口内覆盖于半导体元件的表面上的介电区域。微电子单元可以包括至少一个导电互连部,至少一个导电互连部电连接到相应的导电过孔部上并在缝隙内延伸离开该导电过孔部。在某一特殊实施例中,至少一个导电互连部可以在第一开口和至少一个第二开口内延伸,导电互连部与具有暴露于半导体元件的前表面处的顶表面的导电垫电连接。
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3:
[实用新型]
电子设备
申请号:
201520594249.X
公开号:CN205608658U 主分类号:G06F3/01(2006.01)I
申请人:
苹果公司
申请日:2015.08.03 公开日:2016.09.28
发明人:
C·威尔逊
;
G·I·布彻
;
K·W·陈
;
I·乔德里
;
A·C·戴伊
;
A·古斯曼
;
J·P·艾夫
;
C·G·卡鲁纳穆尼
;
K·柯西恩达
;
K·琳奇
;
P·玛丽
;
A·萨巴特利
;
B·施米特
;
E·L·威尔逊
;
L·Y·杨
摘要:公开了一种电子设备,包括显示单元、触敏表面单元以及处理单元,所述处理单元被耦合至所述显示单元和所述触敏表面单元,所述处理单元包括检测单元、显示使能单元、动画呈现使能单元、访问单元和选择单元。还公开了与便携式多功能设备一起使用的情境特定用户接口。本文描述的用于情境特定用户接口的方法提供了对时间的指示,并且可选地提供多样的附加信息。还公开了被配置为执行这里的方法的非瞬态计算机可读存储介质、系统和设备。
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4:
[实用新型]
半导体处理腔室部件组件
申请号:
201720101925.4
公开号:CN206758409U 主分类号:H01L21/67(2006.01)I
申请人:
应用材料公司
申请日:2017.01.26 公开日:2017.12.15
发明人:
V·菲鲁兹多尔
;
I·优素福
;
S·E·巴巴扬
;
R·丁德萨
;
C·李
;
K·多恩
;
A·奥马利
摘要:本文所公开的实施方式涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中,半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件具有基本上由聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene;PTFE)形成的主体。密封构件在第一半导体处理腔室部件和第二半导体处理腔室部件之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面和第二密封表面在第一表面和第二表面之间延伸。第一密封表面
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