摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池，太阳电池的制备方法包括对硅片的表面进行制绒清洗；在硅片正面的制绒面制备浅结，或，在硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构；在硅片上印刷金属浆料并烧结；通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使硅片的正面形成具有选择性的发射极。可以有效降低太阳电池表面的少子的复合速度，提高短波段的光谱响应，采用激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，增加金属浆料与硅片的接触面积，使正面金属浆料和硅片形成欧姆接触，有效增加短路电流和开路电压，金属接触部分不需要进行二次掺杂形成重掺杂，可以使用低接触特征的浆料，有效降低成本。

摘要：本发明涉及线切割领域，提供一种切割线定位方法及其应用、切割装置及其应用，其中，切割线定位方法，包括：基于第一距离传感器确认物料的位置，基于第二距离传感器确定第一端的首根切割线位置；基于第三距离传感器确定第二端的末根切割线位置。用以解决现有技术中无法准确高效的检测和定位切割网线的缺陷，本发明提供的切割线定位方法，通过第一距离传感器确定物料的轴向位置，得到第一距离值，通过第二距离传感器校正首根切割线的位置；通过第三距离传感器校正末根切割线的位置，进而定位切割线，方法简单，相较于采用人工定位的检测的方法，降低人力成本，提高定位和检测效率，提高成品率。

摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，提供一种换热装置、单晶炉及单晶生产系统。换热装置包括：换热管，用于供换热介质流通；换热板，设置于换热管内并沿换热管的长度方向延伸，换热板与换热管的内壁连接，且换热板两侧的表面均与换热管的内壁之间具有间隙，用于供换热介质通过，换热板的导热率高于换热介质的导热率。换热装置通过在换热管内部设置换热板，能够提高换热装置与换热介质的换热效率，从而使换热装置能够提供更好的冷却效果，同时由于换热板设置在换热管的内部，因此不会增大换热管的体积，达到了在不增加换热装置的体积的前提下，提高换热装置的换热效率的效果。

摘要：本发明涉及半导体加工领域，提供一种晶棒切割方法、装置及设备，其中方法包括：获取切割线单向切入晶棒的目标进线长度，目标进线长度是基于切割线的加速度以及单向切入晶棒的预设切割深度确定的，预设切割深度大于或者等于晶棒被工作台移动到预设起始点时与预设切割零点之间高度相对标准高度的偏差；当工作台移动晶棒到达预设切割零点时，控制切割线所形成线网单向切入晶棒；在单向切入晶棒的实际进线长度达到目标进线长度后，控制线网双向切割晶棒。如此，解决了切割线入切点在晶棒上可能会发生偏移，导致不同硅片厚薄不均或硅片产生弯曲的问题，实现了线网平稳切入晶棒，减少了切割晶棒时产生入切厚薄不均或产生弯曲的情况。

摘要：本发明涉及胶粘剂领域，提供一种环氧树脂胶及其制备方法和应用，所述环氧树脂胶包括A组分和B组分，所述A组分包括环氧树脂和第一填料，所述第一填料包括不同粒径的二氧化硅和单晶硅粉，所述第一填料在所述A组分中的质量分数为75‑85％；所述B组分包括聚硫醇和第二填料，所述第二填料包括不同粒径的单晶硅粉，所述第二填料在所述B组分中的质量分数为55‑70％。本发明的环氧树脂胶固化后莫氏硬度达到6，密度为2.1‑2.3g/cm3，接近单晶硅棒的硬度和密度，符合切割需求，故采用本发明的胶水填充硅棒拼缝及两端斜面，可直接参与切割，无需分线网，可有效降低硅料浪费并提升切割效率。

摘要：本发明涉及线切割技术领域，提供一种减少线切割跳线断线的方法、切割液循环系统及切割设备，其中，减少线切割跳线断线的方法包括利用第一强磁部件在切割室的切割液出口处吸附切割液中的线头，在切割液流出切割室之前对切割液进行一次过滤；利用第二强磁部件在切割液的储存容器内吸附切割液中的线头；在切割液进入热交换器之前，对切割液进行二次过滤，并利用第三强磁部件吸附切割液中的线头；在切割液进入切割室之前，对切割液进行三次过滤，一次过滤、二次过滤和三次过滤用于滤除切割液内的异物。如此设置，减少了进入切割室的切割液中的线头和异物，解决了现有技术中在使用较细的金刚线进行线切割时极易出现跳线断线的问题。

摘要：本发明涉及晶体生产制造装置技术领域，提供一种拉晶炉的冷却装置及拉晶炉，包括用于供冷却介质流通的螺旋管道，螺旋管道的截面形状具有至少一个直线边，至少一个直线边所在的螺旋管道表面为第一吸热面，其余螺旋管道的表面为第二吸热面，第一吸热面平行于螺旋管道的中轴线，使用本装置时，可以在拉晶炉的炉壁内部以及腔室内部分别设置螺旋管道，由各自螺旋管道的第一吸热面分别螺旋环绕于腔室周围以及腔室内生长的晶体周围，相较于现有技术，第一吸热面各局部位置从整体上更靠近发热体，冷却效果更优，另外第二吸热面还能够在侧向进行换热冷却，整体提高了冷却效率，进而提高了单晶硅晶体的生产效率。

摘要：本发明涉及光伏电池领域，尤其涉及一种基于光伏电池的变温扩散工艺。具体的，其包括如下步骤：(1)在760～790摄氏度下对完成遂穿氧化层和本征非晶硅的硅片进行低温沉积；(2)将温度提高30～40摄氏度，进行低温推进；(3)将温度提高60～70摄氏度，进行高温沉积；(4)维持步骤(3)的温度，进行高温推进；(5)将温度降低20～50摄氏度，进行中温沉积；(6)将温度降低80～100摄氏度，进行低温沉积。本发明通过梯度升温扩散、推进以及梯度降温扩散的方式，降低穿透隧穿氧化层的磷元素的量，同时提高掺杂多晶硅中磷的浓度。

摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供一种背结太阳能电池及其制备方法，其中方法包括：将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出硅片；向硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照，形成重掺杂区域；在重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题，由于本发明的掺杂过程中硅片的裸露区域因光照产生的空穴能够与掺杂源带的电子中和进而发热，从而在裸露区域形成局部高温，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供一种背结太阳能电池及其制备方法，其中方法包括：在硅片的第一面沉积掺杂非晶硅层；利用激光将所述掺杂非晶硅层局部区域的掺杂元素推进所述硅片中形成重掺杂区域；去除所述掺杂非晶硅层；在所述硅片的第一面形成第一钝化层；在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线，所述第一金属栅线贯穿所述第一钝化层与所述重掺杂区域接触。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题，掺杂过程中硅片的局部区域经历激光的高温作用，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。