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发明专利:129983实用新型: 28501外观设计: 4673
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申请号:02111126.X 公开号:CN1392277 主分类号:C22C21/04
申请人:上海大学 申请日:2002.03.21 公开日:2003.01.22
摘要:本发明涉及一种过共晶铝硅合金双重复合变质精炼方法。将过共晶铝硅合金熔化成液体,并在炉中过热到800℃-860℃,保温15-30分钟,扒去浮渣;加入由La、Ce、Nd、Pr、Y、P、Cu、Al组成的双重复合精变剂,并进行搅拌;然后,用惰性气体作10-30分钟吹炼搅拌,镇静孕育。用本方法熔炼的过共晶铝硅合金,可实现共晶硅和初晶硅双重变质,且初晶硅尺寸长期(8小时)维持在50um以下。精炼净化效果也能保持5-10小时,无污染。
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申请号:02111477.3 公开号:CN1453371 主分类号:C21C7/00
申请人:上海大学 申请日:2002.04.25 公开日:2003.11.05
摘要:本发明属于冶金技术。本发明以炉渣作为金属液内溶解氧向外传输的通道,在金属液与覆盖于其上的熔渣之间施加直流脉冲电场,控制氧离子在熔渣体系中的传导方向和速度,从而实现金属液的无污染脱氧。该发明具有设备操作简单,脱氧速度及强度易控制且成本低廉等一系列优点。
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申请号:02111478.1 公开号:CN1453372 主分类号:C21C7/00
申请人:上海大学 申请日:2002.04.25 公开日:2003.11.05
发明人:丁伟中;鲁雄刚
摘要:本发明所涉及钢液精炼脱氮装置由真空系统,直流脉冲电源,工作气体和辉光等离子发生系统组成。依靠直流脉冲电场在钢液上方形成氩-氢混合气体的辉光等离子体,钢液中的氮与辉光等离子体作用,逸出离子态的氮并与工作气体反应,最后形成氮气和氨气并由真空系统抽出装置从而达到脱氮的目的。
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申请号:02111479.X 公开号:CN1453382 主分类号:C22B21/06
申请人:上海大学 申请日:2002.04.25 公开日:2003.11.05
摘要:本发明是由一套内外管组成的铝和铝合金熔体的脱氢装置。内管材料为固体电解质透氢陶瓷,内管外壁涂敷有多孔的导电层,外管由普通高温耐火材料制成。精炼脱氢时金属熔体流过内管,内外管间流过惰性气体或空气,并在金属熔体和内管外壁电层间施加一直流脉冲电场,从而实现熔体的去气除氢。
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申请号:02136765.5 公开号:CN1425792 主分类号:C22F1/04
申请人:上海大学 申请日:2002.09.02 公开日:2003.06.25
摘要:本发明述及一种强化铝合金的复合热加工成形方法,属金属材料热加工制造技术领域。本发明方法包括铸造、锻造、固熔热处理和时效热处理的多道复合加工程序。与单独常规的铸造法或锻造法不同,为一种复合热加工方法,由该复合新工艺制得的铝合金零件,具有高组织致密度,变形小的特点,而且具有优良的力学性能,提高了强度和硬度,其塑性也有一定程度的增加。本发明方法还具有工艺简单,易于实施,可降低生产成本,提高生产率等优点。
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申请号:02137372.8 公开号:CN1415781 主分类号:C23C16/27
申请人:上海大学 申请日:2002.10.10 公开日:2003.05.07
摘要:本发明涉及一种用作集成电路封装基板材料的制造方法,它是以氧化铝陶瓷为基材,其特征是在该基材上沉积有金刚石薄膜,而制成金刚石膜/氧化铝双层结构基板材料,其工艺方法是采用热丝化学气相沉积法在氧化铝陶瓷上生长金刚石薄膜,即以钨丝作为加热源,采用乙醇和氢气为反应物,在真空减压条件下使反应室内放置的氧化铝陶瓷基材上沉积金刚石薄膜。
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申请号:02137373.6 公开号:CN1415783 主分类号:C23C28/04
申请人:上海大学 申请日:2002.10.10 公开日:2003.05.07
发明人:李凌峰;沈嘉年
摘要:本发明述及一种不锈钢表面防氢渗透层的制备方法,特别是不锈钢表面原位生长AL2O3膜层的制备方法。本发明方法的特征是先采用固体粉末在不锈钢表面进行渗铝,然后对渗铝层进行原位氧化制得Al2O3膜层。氧化处理可采用高温气体热处理氧化法,或者采用电化学阳极氧化法。本发明制得的Al2O3膜层具有结合力强、稳定性好、致密度高、且具有很低的氢渗透率等许多优良性能,适宜作核聚变反应堆工程中的不锈钢包壳管材料。
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申请号:02137515.1 公开号:CN1415444 主分类号:B22D27/02
申请人:上海大学 申请日:2002.10.18 公开日:2003.05.07
摘要:本发明公开了一种铝合金凝固组织的细化工艺方法,包括铝合金配料经常规的熔化、去渣、除气、精炼各工序,其特征在于在浇注合金过程中施加一个脉冲电场,在铝合金母液中插入石墨电极,通入脉冲直流电,并调节脉冲电流的参数,最后使其自然冷却至室温,即可获得晶粒细化、组织均匀的铝合金坯料。所述的铝合金母液在插入石墨电极时的温度为650-750℃,所通入的脉冲直流电的参数为:脉冲频率100-2000Hz,脉冲宽度为1/100-1/5。电流密度为10-2000A/cm2
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申请号:03128850.2 公开号:CN1487103 主分类号:C22B9/02
申请人:上海大学 申请日:2003.05.27 公开日:2004.04.07
摘要:本发明提供了一种金属棒材连续区域熔化和凝固细晶的方法,属金属材料热加工技术领域。本发明的特征在于:将可下降(或上升)移动的金属棒材通过感应加热系统进行连续区域熔化,与此同时,对两端连接有脉冲电源系统的金属棒材施加脉冲电流,电流的脉冲频率为f为1-10KHz,输出电压U为50-1000V,电流峰值I为50-5000A,棒材直径d为5-100mm,运动速度v为0.1-10mm/s。
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10:[发明] 光纤微分干涉仪
申请号:03128852.9 公开号:CN1482478 主分类号:G02B6/26
申请人:上海大学 申请日:2003.05.27 公开日:2004.03.17
发明人:王廷云;郭小勇
摘要:本发明述及一种光纤微分干涉仪,它由光源、光纤耦合器、探测器、信号处理器、传感器和调制器组成,光纤耦合器采用3×3光纤耦合器,使其输入、输出两测的端子交叉地互相连接形成两个光纤回路,在两个光纤回路上分别设置传感器和调制器,而中间的两个端子分别连接光源和探测器。本发明使干涉光束同光路、同向传输,仅使用一个3×3光纤耦合器,结构简单;抗干扰能力强,特别是对缓变的干扰信号几乎不敏感;可采用短相干长度的光源,如发光二极管;测量参数广泛,如电磁量、机械量、热能量等;是微分干扰仪,它的测量动态范围大。
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