摘要：一种沟槽IGBT器件的制造方法，该制造方法是在选定的N型外延硅衬底或者区熔片上生长N型外延形成电荷贮存层，在上面生长P型外延形成沟道区；光刻沟槽图形，干法刻蚀硅衬底，生长栅极氧化层，淀积原位参杂的多晶硅材料填充沟槽；然后光刻栅极图形，刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质；然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；采取溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；有效增强沟槽IGBT电学性能。

摘要：一种沟槽IGBT器件的终端结构制造方法，该制造方法是：首先在N型外延硅衬底或者区熔片上生长N型外延形成有一定掺杂浓度和厚度的电荷贮存区，继续生长P型外延形成顶层MOS结构的沟道区；光刻终端区沟槽图形，干法刻蚀硅衬底，生长场氧化层；光刻有源区并刻蚀场氧化层；光刻终端区域保护环，注入P型杂质并扩散形成有效的保护环；光刻有源区栅极沟槽，刻蚀沟槽并生长栅极氧化层，淀积原位参杂的多晶硅材料填充沟槽；然后光刻栅极图形和终端保护场板，刻蚀多晶硅；光刻N型源区注入N型杂质，然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面。

摘要：一种沟槽IGBT器件的制造方法，该制造方法包括：首先在N型外延硅衬底或者区熔片上光刻注入N型杂质并扩散形成有一定参杂浓度和厚度的电荷贮存区，继续生长P型外延形成顶层MOS结构的沟道区；然后光刻刻蚀沟槽，生长栅极氧化层，淀积多晶硅材料填充沟槽；光刻刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质，然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；然后淀积背面金属完成IGBT器件的制作。

摘要：一种功率模块的可追溯性方法，它是：在功率模块的基板、DBC和外壳以及生产工单上均打印上相应的二维码，将所述二维码的信息存入电脑系统中，功率模块的基板、DBC和外壳以及生产工单上打印的二维码信息都与电脑系统中保存的原材料信息以及过程信息相对应；二维码信息至少包括批产品型号、批号以及清单号，功率模块在生产前，先在生产工单上打印上所述的二维码，而后续在基板、DBC和外壳的打标站点通过二维码信息调用相应打标程序，将批次信息输入到基板、DBC和外壳打标信息中，每个功率模块的基板、DBC和外壳都有唯一的编号；在每个需要调用程序和方法的生产过程和站点，通过扫描生产工单上的二维码调用相应的程序进行生产和测试。

摘要：一种均热板散热基板功率模块结构，它包括一具备均热散热系统的均热板散热基板，所述的均热板散热系统由均热板散热基板内部具有微细结构的真空腔体以及一定数量与之相连的散热鳍片构成，所述的真空腔体中有一定数量的、用于支撑腔体上下面的支撑块，真空腔体中注入有适量的散热介质；所述的均热板散热基板上通过焊料焊接有覆铜陶瓷衬底，覆铜陶瓷衬底是由绝缘陶瓷层上下两面烧结铜层组成，上面铜层通过焊料焊接有功率器件，功率器件通过导线连接，形成电路结构，覆铜陶瓷衬底下面铜层通过焊料焊接于均热板散热基板上；本发明的功率模块具有散热效率高，结构紧凑，可靠性高等优点。

摘要：一种用于功率模块的卡环固定结构及实施方法，所述的功率模块包括基板和与基板装配在一起的外壳，所述的基板和外壳装配在一起后的四个角部分别设置有对位的卡环开孔，并在卡环开孔中放入有卡环并通过压卡环夹具上的压柱压紧卡环，使卡环压入并固定在外壳和基板的卡环开孔中；所述卡环固定结构的实施方法，它利用一至少由上部下压柱和下部固定底座组成的压卡环夹具，并按照如下步骤进行：a）先将外壳与基板的相应卡环孔位对位并配合好，然后将装配后的功率模块一起放入压卡环夹具中；b）压卡环夹具的固定底座固定所述的整个功率模块，保证其不移动，并使上部的下压柱准确对准于相应的卡环，并通过下压所述的下压柱使卡环压进到外壳和基板的卡环孔中。

摘要：一种沟槽IGBT器件结构的制作方法，该制作方法包括如下步骤：a）首先在选定的N型外延硅衬底或者区熔片上定义有源区，生长场区氧化层；b）根据终端结构和有源区单胞的设计；c）光刻沟槽图形，干法刻蚀硅衬底；d）生长栅极氧化层，淀积原位参杂的多晶硅材料填充沟槽；然后光刻栅极图形，刻蚀多晶硅形成顶层结构的栅极；e）注入P型杂质并扩散形成浅P阱作为沟道区；f）溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；g）然后硅片背面减薄到特定的厚度，背面注入P型或者注入N型以及P型杂质，

摘要：一种IGBT模块散热性能的评估方法，该评估方法是：它采用带有多个距离传感器的带孔平台，并以带孔平台模拟散热器平面，将待评估IGBT模块安装于带孔平台上，IGBT模块在安装后，通过带孔平台上的距离传感器可以测出各个孔位置处IGBT模块的基板与安装平台之间距离，从而模拟出IGBT模块安装时基板的曲面；根据基板的曲面，可以识别曲面在一个平整的散热器上安装产生的间隙，从而知道该IGBT模块的散热性；进一步延展，可以评估涂覆所需合适的导热硅脂的厚度，如果可以取得安装前IGBT模块基板的3D点云曲面图，则可以对比分析出其安装时的受力情况；本发明能在IGBT模块安装后，较为准确地对其散热性能进行评估。

摘要：一种集成水冷散热器的功率模块，包括集成水冷散热器的散热基板，通过回流焊接于散热基板的绝缘基板DBC，焊接于绝缘基板DBC上的芯片，实现芯片与绝缘基板DBC表面铜层电气连接的铝线，保护芯片和铝线的硅凝胶，包覆功率端子的塑料外壳，其特征在于所述的散热基板正面与绝缘基板DBC粘结，散热基板背面为水冷散热器，散热基板的底部设置有至少两个进出水口连接外部水循环，构成模块整体的散热系统；所述至少两个进出水口的位置设置在散热基板的短边侧或者长边侧，所述进出水口数量在2个到10个之间；本发明直接将水冷系统集成于散热基板上，有效的避免了由于模块平整度、与散热器密封不良所造成的漏水失效问题。

摘要：一种绝缘栅双极型晶体管模块，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻，所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊焊接在绝缘基板导电铜层上；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间均通过铝线键合来实现电气连接；塑料外壳和绝缘基板通过密封胶粘接；所述的绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率圆柱、铝线以及热敏电阻均覆盖有能提高各原件之间的耐压绝缘硅凝胶；用于把整个模块固定安装在散热器上的固定卡片被注塑于塑料外壳内。