摘要：本发明涉及一种单光子探测器的量子效率绝对自身标定方法及其专用装置，该方法是利用光参量下转换过程中产生的光子对在时间上的相关性，先将参量光束分为两路，然后引入相对延时，使同时产生的孪生光子先后进入单光子探测器，然后对探测器之后的电路分为三路，其中一路直接进入计数器得到探测器所探测到的光子的总计数率N_A，另两路用电路方法引入和光路相当的相对延时，经符合电路后进入计数器，得到前后到达探测器的光子对之间的符合计数率N_C。这样，即可在不需要任何其他探测器或者参照标准的情况下，获得探测器的量子效率η＝2N_C/N_A。

摘要：本发明涉及一种微电子器件及其制备工艺，特别是一种以碳纳米管为基础的半加器；主要由一超长单壁碳纳米管、15个独立的栅极和16个独立的电极构成；在特定的栅极上加恒定偏压，使碳纳米管截断，形成若干个独立的碳纳米管场效应管；再根据设计连接这些场效应管，并连接必要的电阻和恒压源，实现半加器功能；与其它碳纳米管逻辑电路相比，本发明第一次通过一种碳纳米管的集成方式实现了具体的半加功能，且结构简单，易于制作。

摘要：本发明涉及一种使用碳纳米管能够实现场效应管的集成及其制备工艺；该集成场效应管是在绝缘层上制作相间的栅极和电极，将一根超长碳纳米管放置于其上；在一些栅极上通一定值恒压，使超长碳纳米管部分截止；其效果等效为若干个碳纳米管场效应管，实现了碳纳米管场效应管集成；其制备工艺是将碳纳米管放置在绝缘层的栅极和电极上，制成集成场效应管；本发明的结构简单、易于制作和集成。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管“或否”逻辑器件，它包括以Si作为衬底，该衬底上设有SiO₂氧化层，在Si衬底的SiO₂绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极；所述的栅极包括两个独立的栅极，在位于Si衬底上SiO₂绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层构成，栅极的绝缘层厚度小于3纳米；所述的电极包括两个独立的电极，位于Si衬底上SiO₂绝缘层和碳纳米管之上，或碳纳米管之下；一根碳纳米管平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触。一个电极加恒定偏压，另一电极为输出端，利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“或否”功能。与其它碳纳米管“或否”逻辑器件相比，本发明结构简单，且易于制作。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备工艺；该器件包括衬底，在衬底上设绝缘层、碳纳米管、栅极、电极及电阻；在绝缘层上的沟槽内设两栅极，在两栅极两侧的绝缘层上的沟槽内设两电极；一碳纳米管与栅极和电极接触；两电极中的一电极接地，另一电极通过电阻与一恒压相连。利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现逻辑“或”功能；与其他碳纳米管逻辑电路相比，本发明逻辑“或”门电路结构简单，且易于制作和集成。

摘要：本发明涉及一种利用碳纳米管制作的“非”门逻辑器件，该逻辑器件包括一Si衬底，该衬底上有一SiO₂绝缘层，在Si衬底上设置单壁碳纳米管、一个栅极和电极；其特征在于：所述的栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中沉积的Al，并经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层组成；所述的电极包括两个平行于栅极设置在栅极两侧，该电极设置在单壁碳纳米管之下或位于单壁碳纳米管之上；一根单壁碳纳米管放置在SiO₂绝缘层的表面上，与栅极的Al₂O₃绝缘层表面和电极的贵金属层表面相接触，第一电极联接恒压源，栅极为输入端。利用栅极控制碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“非”功能。与其它碳纳米管逻辑器件相比，本发明逻辑“非”门器件结构简单，且易于制作和集成。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管随机存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上有SiO₂绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；电极平行于栅极，并在栅极两侧设置碳纳米管之上或之下，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，并与Al₂O₃绝缘层表面和电极表面相接触。利用栅极控制碳纳米管截止或导通状态，并且保持碳纳米管的这种状态，从而实现了容量为1bit的信息存储。本发明结构简单，且易于制作和集成。

摘要：本发明涉及一种以单壁碳纳米管为基础的“与”门逻辑器件，该逻辑器件由一单壁碳纳米管、两个独立的栅极和三个独立的栅极构成。中间电极加恒定偏压并作为输出端，另外两个电极接地。利用两个栅极为输入端，用来控制单壁碳纳米管截止或导通，从而实现了逻辑“与”运算。与其它单壁碳纳米管逻辑电路相比，本发明结构简单，且易于制作。

摘要：本发明涉及一种采用单壁碳纳米管和MOSFET设计的单电子存储器及其制备方法，该器件包括：硅衬底，其表面是一层二氧化硅绝缘层，在其上制备出具有分裂栅结构的场效应晶体管和电极；还包括具有量子点结构的单壁碳纳米管；所述的场效应晶体管的分裂栅由一个中心栅和位于中心栅两侧，平行排列的两个外栅组成，并且由位于二氧化硅绝缘层之上的导电材料层形成；在外栅和中心栅下方对应的硅衬底中，通过掺杂形成p型导电沟道，导电沟道两侧是经重掺杂分别形成的一个n型的源极和一个漏极；所述的电极与分裂栅方向垂直设置；碳纳米管的两端分别与中心栅和电极相接触。它具有分裂栅结构，降低了工作时需要的电子数目，本实用新型单电子存储器可以在室温下实现信息低功耗超高密度存储。

摘要：本发明涉及具有高集成度的单电子存储器及制备方法，包括：以硅作为衬底，其表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在其上设置栅极、电极和数据线引脚；其中两个电极、一个栅极和数据线引脚，是由位于二氧化硅绝缘层上的导电层形成的；两个电极具有一定的间距；一碳纳米管在两个电极之上，与两个电极欧姆接触；栅极位于两个电极的一侧；并在衬底的另一边设置数据线引脚；另一根碳纳米管在栅极和数据线引脚之上，并与两者欧姆接触；碳纳米管上有两个隧穿结，二者之间形成碳纳米管上的一个量子点。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的电流可以实现存储器数据的读出。