摘要：本发明揭示了一种阳极氧化铝模板孔洞形状渐变的调制方法，包括步骤：I、去除经退火处理或未处理的铝箔表面油脂及污物，再经电化学抛光处理后备用；II、采用电化学氧化法或硬质模板机械压坑法在铝箔表面形成凹坑图案；III、将表面有凹坑图案的铝箔在酸性电解液下非连续性地氧化与扩孔，通过电解液组成、电解液温度、氧化电压、氧化与扩孔次数、氧化与扩孔时间的组合控制形成各种三维渐变型氧化铝纳米孔阵列结构。该调制方法使用现成的设备，实施简单，可以低成本大面积制造各种三维渐变形状可调的多孔阳极氧化铝模板。

摘要：本发明揭示了一种单分散近红外量子点的制备方法，利用二乙基二硫代氨基甲酸盐为单源的反应前驱物，通过其在高沸点且具有不同配位特性的表面活性剂的混合溶液中的热解反应，并且选用硫化银作为制备目标产物，得到在极性溶剂中分散性佳、低毒性且具有近红外发射光性质的量子点。本发明的方法反应条件温和、操作简单、安全、重复性好，消除了传统量子点使用所带来的毒性，为该种量子点作为荧光标记物应用于近红外生物标记和成像领域的研究提供了必要准备。

摘要：本发明揭示了一种新型的倒装型光电器件芯片，涉及半导体光电领域，其特征在于：所述芯片的形状为三边以上的多边形，其中第一种电极的压焊区设于芯片上至少一个顶角处，第二种电极的压焊区设于芯片顶角之外的芯片有源区，两种电极的间距至少100μm。利用普通贴片设备或熟练工人把芯片电极的压焊区与转移基板电极压焊区焊接安装。电源通过转移基板的电极引出线加载在芯片的电极上，导通并使光从芯片的背面发射出。该芯片结构的优点是：在不损失芯片有效使用面积的条件下，大大降低倒装对准精度，进而避免使用昂贵的倒装焊设备，减少器件的制造成本，提高产能。

摘要：本发明揭示了一种太阳电池电极结构，该电极结构适用于高倍聚光电池或薄膜电池，其特征在于：该电池表面形成的金属电极为密布而分散的网络孔状结构，与半导体的电池表面形成欧姆接触，其中每个单孔轴向长度远大于径向长度。制法上先选择高倍聚光电池或薄膜电池结构材料，而后再在电池表面通过金属沉积、刻蚀或剥离等方法制备形成网络孔状电极结构。本发明采用网络孔状结构电极代替实体电极，一方面可以在栅线相同的情况下，获得稳定的电极图形，有效减少金属和半导体之间的接触电阻和金半接触导致的非辐射复合，并有效减少遮光比，提升载流子的收集效率，从而整体上提高该聚光电池或者薄膜电池的效率。

摘要：本发明揭示了一种基于电芬顿反应的废水处理方法，对废水中含铁元素的电极施加电源，电极本身的铁元素失去电子形成亚铁离子，而在废水中的溶解氧在不锈钢阴极表面还原产生过氧化氢，过氧化氢与水中的亚铁离子反应产生氢氧自由基氧化降解废水中的有机物，其特征在于：所述废水处理方法采用不锈钢网作为电化学反应的阴阳两极，且所施加到阴阳两极上的电源采用可切换正负极方向的电源。本发明通过采用市售不锈钢网作为电芬顿反应的阳极，能减少电化学反应的副产物及后续废水处理成本，提高反应效率；同时采用程控电源定时转换阴阳极方向，有效延长了电极的使用寿命，能应用于广泛pH值的废水处理之中。

摘要：本发明揭示了一种掺入石墨烯的锂离子电池正极材料的制备方法，其中正极材料的主要成分为磷酸铁锂纳米粒子，其包括以下特征步骤：首先分别制备石墨烯、氧化石墨烯、插层石墨烯，然后将石墨烯、氧化石墨烯、插层石墨烯复合掺入磷酸铁锂纳米粒子的合成原料中，或制备磷酸铁锂纳米粒子后，将磷酸铁锂纳米粒子与插层石墨烯、氧化石墨烯或化学还原的石墨烯直接混合，经干燥、过滤、洗涤、再干燥及退火处理，合成石墨烯、氧化石墨烯搭桥或包覆磷酸铁锂纳米粒子结构形式的材料。应用本发明方法制得的磷酸铁锂纳米粒子，经性能表征能够大大提高电子导电能力，为锂离子电池的应用提供了一种加工工艺简单、成本低廉、容量高且安全的锂离子电池正极材。

摘要：本发明揭示了一种逐次逼近模数转换器，其内集成有电容阵列，其特征在于：该电容阵列内的电容分为三级：数字信号输出端的最高位至第五位设为第一级、第四位与第三位设为第二级，第二位与最低位设为第三级——选定第一级电容中第七位的电容为单位电容，高于第七位的第m位电容为由2m-7个单位电容并联而成，第六位和第五位的电容分别为由2个和4个单位电容串联而成，第二、三级的电容连接方式与第五、六位的相同，各级内每一位的电容相互并联，相邻两级电容阵列间均串联有3个单位电容。通过对电容阵列以分级连接的结构形式加以改进，能有效减少电容数目，减小电容面积，提高匹配精度，从而实现该模数转换器低功耗、高匹配度、低寄生及低面积间的折中。

摘要：本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的单壁或多壁碳纳米管薄膜，或以上两种材料混合制成的薄膜。碳纳米管的理想结构大大降低了载流子非弹性背散射，特别是其室温声学声子所对应的平均自由程达到了微米量级，光学声子的平均自由程也到了几十纳米，可以达到目前场效应晶体管的尺度，碳纳米管作为理想的有源层材料被植入场效应晶体管。本发明将具有手性选择性的基团修饰到碳纳米管上，通过与待检测的手性物质结合，使得场效应晶体管的参数发生变化，从而达到手性检测的目的。

摘要：本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用，将反应气源分隔并依次喷淋，能有效消除气相寄生反应，同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走，被排出反应器，能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用，提高了外延片的生长质量，并为实现无限增大装片容量提供了可能。

摘要：本发明揭示了一种用于CVD反应器的进气装置，包括呈径向闭合的气体分配管及一体贯通的一路以上进气管，且该气体分配管朝向其所围裹的空间平面中心设有复数个气体喷射孔，且各喷射孔的开设角度相对于其向心角度朝基片偏移。通过调整气体喷射孔的分布密度、气体喷射孔的孔径大小及气体分配管的管径分布，使到达基片上的气体流速相同，并在样品表面形成均一的边界层，从而保证了薄膜生长的均匀性和一致性。