摘要：本发明揭示了一种半导体制程的晶圆控片的形成方法。在本发明的一实施例中，首先提供一晶圆底材。然后，形成一氧化层于晶圆底材上。接着，形成一非晶硅层于氧化层上。之后，进行一离子植入制程以掺杂非晶硅层与氧化层。其次，进行一回火制程以形成一晶圆控片。在回火制程后，可进行一量测程序以测定方块电阻值(Rs)，并进行日程监控。另一方面，当日程监控完成后，湿法控片晶圆底材上的非晶硅层与氧化层，晶圆控片可以重复使用，降低日程监控成本。

摘要：本发明提供一种形成介电质层的方法。首先，形成含硅层于底材上；然后，以低温电浆增益化学气相沉积程序与反应气体处理含硅层，藉以形成介电质层于底材上。在此，可以先形成金属层于底材上，然后再形成含硅层于金属层上：可能的反应气体有氧气、氮气与氧化氮：而低温电浆增益化学气相沉积程序的典型反应环境为：温度在200℃至750℃之间、压力在2至12毫托耳之间、反应气体的流量在30sccm至150sccm之间、而电桨功率在1000瓦至6000瓦之间。

摘要：本发明提供一种半导体装置测试结构，除了包含一多重内连线与电性耦耦接至此多重内连线的二个相互分离的讯号传收端外，还包含用以提供接地管道的一传导元件。在此，传导元件的一端同时电性耦接至多重内连线与一讯号传收端(用以传收低电位讯号)，而另一端则电性耦接至一电位基准点。

摘要：本发明提供一种静电放电保护装置的制造方法，包括以下步骤,提供一基底,在该基底中形成一井区,在该井区中形成一掺杂区,在该井区上方形成一栅极以及于该栅极两侧的该井区中形成一源极区及一与该掺杂区邻接的漏极区。

摘要：本发明关于一种量测计固定装置，用以固定一量测计至一覆盖有外壳体的反应室上，该量测计固定装置包括：一固定板，其固定于该外壳体上；一固定座，其可移动地设置于该固定板上，用以固定该量测计，使该量测计的一端得以设置于该外壳体与该反应室之间；以及一第一弹性元件，其设置于该外壳体与该固定座之间，用以抵顶该固定座，藉以避免该量测计向该反应室方向移动。

摘要：本发明为一种拉线、球剪力与晶片剪力测量的重复性与再现性测试装置，其中该拉线、球剪力与晶片剪力测量藉由一应力提供装置进行。该测试装置包括：一底座，其具有一支撑杆；一手臂，其可轴转地固定于该支撑杆上；至少一刻度，其形成于该手臂上，用以供该应力提供装置施一应力；以及一磁力产生装置，其设置于该底座，用以产生一可调制的磁力，以提供一拉力拉引该手臂的一端。如此，在该应力装置所施该应力时，使该手臂的该端得以脱离该磁力产生装置。

摘要：本发明关于一种自动检测半导体芯片位置的溅镀系统，包括：一溅镀装置，而溅镀装置具有一反应室底座位置。芯片上盖，而芯片上盖位于反应室底座位置上方，具开启功能，且芯片上盖可以密闭溅镀装置。芯片检测器，而芯片检测器位于芯片上盖的一侧，该侧与半导体芯片的位置相反，其对应位置为半导体芯片在下而芯片检测器在上。可透过芯片上盖以检测半导体芯片的放置位置。本发明还提供一种溅镀系统中自动检测芯片位置的方法。

摘要：本发明涉及应用植入式可靠度分析系统于半导体产品生产，特别是晶圆层级的可靠度分析。主要特征是应用可靠度分析系统与相关概念，整合产品发展、制程、测试中所有机台、所有流程与各批晶圆之可靠度讯息于一数据库，并将所有数据分门别类。如此，每当任一机台、任一流程或任一批晶圆有任何变化，便可以立刻藉由与数据库对比判断可能的缺失与解决之道。此外，藉由整合所有的数据(包括良率与可靠度讯息)，便可判断对任一机台、任一流程或任一批晶圆的任何变化，对最终产品之可靠度的变化。进而有助于评估新制程技术研究的发展，亦即将先前与目前发展的技术做一比较并建立关系，以用于新产品寿命估计、提出相关可靠度问题及以往的解决方案。

摘要：本发明关于一种测试加烧机(test during burn-in，TDBI)系统，其包括：一烧机室，具有多个炉与延伸炉；至少一烧机板，设置于该炉内，用以进行一相对高或低温的烧机测试；以及至少一延伸印刷电路板，设置于该延伸炉外，用以进行一实质上室温的测试。

摘要：本发明提供一种石英管清洗台的超纯水回收管线系统，该石英管清洗台具有一超纯水清洗槽、第一化学清洗槽与第二化学清洗槽。该超纯水回收管线系统包括：第一清洗水排水管，其一端与该超纯水清洗槽相连接，另一端则导引至一超纯水回收预处理系统；第一气阀，其设置于该第一清洗水排水管上邻近于该超纯水清洗槽处；第二清洗水排水管，其一端连接于该第一清洗水排水管且介于该超纯水清洗槽与该第一气阀之间，另一端则导引至该超纯水回收预处理系统；第二气阀；一稀酸排水管；第三气阀；一浓酸排水管；第一化学清洗槽排水管；第四气阀；第二化学清洗槽排水管；以及第五气阀。藉由控制这些气阀，用以回收该超纯水清洗槽所排放的废水。