摘要：一种发光二极管结构及发光单元，所述发光二极管结构包含基板、设置于基板相反两表面的电极层与焊垫层、设置于电极层上的发光二极管芯片、设置于发光二极管芯片发光面上的荧光转换层、及起透滤光层。所述焊垫层电性连接于电极层及发光二极管芯片，所述荧光转换层具有远离发光二极管芯片的一出光面。起透滤光层设置于出光面上，起透滤光层朝向发光二极管芯片的发光面正投影所形成的一投影区域，其占发光面面积的30％至90％。起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长介于450～480纳米，并且起透滤光层的陡度为5～50纳米之间。借此，发光二极管结构(或发光单元)在可视角范围内的色温差距能有效地降低。

摘要：本发明公开一种增黏剂、有机硅封装胶组合物及有机硅封装胶。增黏剂是用于有机硅封装胶，增黏剂为一硼硅氧烷聚合物所形成，且所述硼硅氧烷聚合物的通式表示为：(R1R22SiO1/2)x(R2R3SiO2/2)y(R3SiO3/2)z(SiO4/2)i(BO(3‑k)/2)j(OR4)k。其中，R1为氢原子或是碳数为2至6的烯基，R2和R4各自独立为碳数为1至6的烷基，R3为碳数为6至12的芳香基。其中，x、y、z、i、j和k各自独立表示摩尔分率，x、y、z、i和j各自独立为小于或等于1的非负数，k为小于或等于3的正数，x+y+z+i＝1且x大于0。

摘要：本发明公开一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括一载体、一发光单元、一波长转换层及一反射结构。载体具有一承载面。发光单元设置于承载面上，并具有一发光面。波长转换层设置于发光单元上，波长转换层具有面向发光面的一入光面、相对于入光面的一上出光面，以及连接上出光面及入光面的一侧出光面。反射结构设置于承载面上，反射结构具有一内侧反射面，反射结构环绕发光单元以及波长转换层，反射结构的顶部具有一上反射面，其与内侧反射面相连。上反射面所在的高度位置高于入光面的高度位置，且低于上出光面的高度位置。如此，发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。

摘要：本申请公开一种发光二极管结构。发光二极管结构包括一发光单元、一第一光波长转换层与一第二光波长转换层。发光单元包括一蓝光芯片，用以产生一第一光束。第一光波长转换层设置于发光单元上，用以将一部份的第一光束转换成一第二光束。第二光波长转换层设置于第一光波长转换层上，用以将另一部分的第一光束转换成一第三光束。第一光束、第二光束与第三光束叠加后形成一工作光束，工作光束的频谱中包括介于350纳米至660纳米的一第一波段以及介于660纳米至1000纳米的一第二波段，工作光束在第二波段的功率大于工作光束在第一波段的功率。

摘要：本发明公开了一种发光装置，包括一基础结构、一光源部及一波长转换结构。光源部设置于基础结构上，用以发出波长在380纳米至700纳米的范围内的第一光，波长转换结构设置于第一光的光路径上，波长转换结构适可将部分的第一光转换成第二光，且第二光与剩余的第一光结合后形成一结合频谱。结合频谱具有380纳米至620纳米的第一波长段、660纳米至780纳米的第二波长段及接续在第一波长段与第二波长段之间的中间波长段，第一波长段的强度值呈上升趋势，第二波长段的强度值呈下降趋势，第二波长段的强度值的下降趋势比第一波长段的强度值的上升趋势更陡。借此，可以消除或降低由红光引起的干扰。

摘要：本申请提供一种发光模块。发光模块包括一载体、一发光芯片及一光波长转换结构，发光芯片位于载体及光波长转换结构之间。发光模块产生一工作光束，工作光束的波长范围由低至高依序具有一第一波峰、一第二波峰、一第三波峰、一第四波峰、一第五波峰及一第六波峰。第一波峰的波峰值介于400纳米至420纳米，第二波峰的波峰值介于421纳米至480纳米，第三波峰的波峰值介于481纳米至580纳米，第四波峰的波峰值介于581纳米至730纳米，第五波峰的波峰值介于740纳米至910纳米，第六波峰的波峰值介于910纳米至950纳米。

摘要：本申请提供一种封装胶、封装材料及应用其的半导体器件。用于半导体器件的封装胶及封装材料包括二氧化硅粒子以及电性调节添加剂，电性调节添加剂是含锆、镁、铝、锑及铋中至少一种金属元素的化合物。本申请的封装胶、封装材料及应用其的半导体器件可有效降低漏电流的产生，而可提升半导体器件的信赖度。

摘要：本申请公开一种封装器件。封装器件包括芯片以及封装层，封装层包覆芯片，且封装层的上表面生成有一强化层。所述封装层与所述强化层含有相同的元素，但所述封装层与所述强化层的元素组成比例不同。封装器件的制造方法包括设置芯片；生成封装层以包覆芯片；以及对封装层的上表面进行表面处理程序，以使一部分的封装层生成一强化层。强化层的设置可克服以往封装器件因内部应力过大所衍生的信赖性问题。

摘要：本发明是有关于一种发光二极管元件，包含基座及多个发光二极管芯片。该基座具有本体及电路布线。该本体为多边形柱状体并具有轴心，且具有分别位于相反两侧的两个连接面及多个环绕该轴心连接于所述连接面之间且两两相接的安装面，该电路布线至少布设于所述安装面且具有彼此电性绝缘的正极电路及负极电路。所述发光二极管芯片布设于所述安装面且分别与该正极电路及该负极电路电连接。本发明提供的技术方案可以使发光二极管元件整体能够大角度(360度)出光；多个发光二极管元件堆叠在一起后即可电连接，不需要再外加导线或焊接，方便组装；在封装发光二极管芯片的制造工艺中，可利用旋转轴来翻转安装面，以增加制造工艺速度及便利性。

摘要：一种扬声器异音检测方法及装置，该检测方法是先接收由一待测的扬声器输出的一扫频信号，再对该扫频信号进行微分处理并除以一常量，以产生一衰减后扫频信号，其中该常量大于该扫频信号的一最高频率的2π倍，最后再输出该衰减后扫频信号至一输出单元，以供辨识该衰减后扫频信号中是否存在异音，借此提高异音检测筛出率。