摘要：本发明公开了一种反应腔室的清洗方法，涉及半导体技术领域，能够有效清除反应腔室中的副产物。该反应腔室的清洗方法采用清洗气体在射频电源作用下起辉以实现清除沉积在反应腔室内壁上的副产物，该反应腔室的清洗方法包括对所述反应腔室内壁的不同区域进行清洗的至少两个主清洗步骤。

摘要：本发明公开了一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，由对硬掩模层进行刻蚀、去胶、对多晶硅进行主刻蚀、对栅极进行过刻蚀、微沟槽形成阶段等五个步骤构成。本发明在线条底部形成微沟槽，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。

摘要：本发明公开了一种光刻胶修整方法。由以下步骤构成：以氟碳类气体为处理气体，气流方向垂直于晶圆表面，在光刻胶表面形成C-F链高聚物层；以氧气和H₂N₂混合气体对光刻胶线条进行修整。本发明在对光刻胶线条修整的同时，对线条上部进行适当的保护，从而获得陡直的光刻胶线条。

摘要：本发明涉及一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀：在传统工艺中加入八氟化四碳工艺气体2-50sccm，此外溴化氢为100-500sccm，氦/氧气的流量为0-100sccm，上下电极功率分别为400-1500w、0-200w，压力为10-200mTorr。采用本工艺可以避免聚合物过多产生并在沟槽底部生成毛边。

摘要：本发明涉及一种多晶硅刻蚀工艺，其步骤如下：(1)刻蚀硬掩膜；(2)去胶；(3)多晶硅刻蚀；(4)过刻蚀：反应气体中溴化氢的流量为100-500sccm，氮气的流量为1-50sccm，氦/氧气的流量为0-100sccm，上下电极功率分别为400-1500w、0-200w，压力为10-50mTorr。本发明针对新型的硬掩模层(Hardmask)的结构，使用四氟化碳刻蚀RCHX+硅的氧化物组成的硬掩膜层，氟与碳可以形成少量的(CF₂)_n的聚合物，从而保护硬掩膜层的侧壁，氧气的加入可以产生更多的F原子，加速硬掩膜层的刻蚀，减少微沟道的产生。

摘要：本发明所述电感耦合等离子体装置，包括电感耦合等离子腔体、电感耦合线圈与线圈旋转装置。电感耦合线圈位于电感耦合等离子腔体上方，电感耦合线圈安装于线圈旋转装置上，线圈旋转装置固定在电感耦合等离子腔体上，线圈旋转装置旋转带动电感耦合线圈转动，其中线圈旋转装置由电机、固定盘与支架组成。通过电机旋转带动固定盘和固定盘上的电感耦合线圈转动，使反应腔室中产生的等离子体分布均匀，减小晶片表面化学反应速度的差异，提高晶片加工质量和加工稳定性，本发明特别适用于尺寸较大的晶片的加工过程。

摘要：本发明涉及一种抽真空阀门控制装置，包括旁路阀1、隔离阀2、阀门控制单元3，旁路阀1和隔离阀2并联在真空泵5和被抽真空腔室6之间，阀门控制单元3控制阀门1、2的开闭，还设有一个真空开关4，真空开关4检测被抽真空腔室6的压力，并比较阀门开闭压力标准值，根据比较结果发送打开/关闭旁路阀和/或隔离阀的开关触点信号给阀门控制单元3，阀门控制单元3根据检测结果确定时间控制旁路阀1和/或隔离阀2的开闭。使用本装置可以在对反应腔室抽真空的过程中有效的控制颗粒污染，并且在机台状态如腔室状态、真空泵抽速改变的时候同样可以有效的控制颗粒污染。

摘要：本发明提供了一种能够提高栅刻蚀关键尺寸控制能力的栅刻蚀工艺，包括BT步、主刻步和过刻步，其中所述的主刻步中所使用的气体为选自N₂O、NO、NO₂、NO₃、N₂O₅中的一种和Cl₂、HBr的混合气体。本发明提供的栅刻蚀工艺适用于所有栅刻蚀设备，在所有采用SiON层作为硬掩膜的刻蚀工艺中均可提高栅刻蚀工艺关键尺寸控制能力。

摘要：本发明涉及一种栅刻蚀的方法，包括BT步、主刻步和过刻步，其特征在于，所述的主刻步中所使用的气体含有Cl₂、HBr和O₂。该方法能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过改变栅刻蚀工艺中主刻(Mainetch)工艺步骤的气体种类和配比来提高硅片表面工艺气体的气流均匀性，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。同时，由于通入的混合气体在适当减少特气流量的同时可以保证刻蚀工艺的顺利进行，也就相应的降低了系统昂贵的特气消耗，从而有效地降低了系统的消耗成本。

摘要：本发明提供了一种避免微沟道现象的栅刻蚀工艺，包括BT步、主刻步、过刻步，其中主刻步中采用C_xF_y(X＞3，Y＞5)/CO₂混合气体取代含Cl气体。采用本发明所述的栅刻蚀工艺可以在保证刻蚀剖面陡直的前提下，有效避免微沟道现象出现。