摘要：本发明公开了一种带电源噪声隔离的芯片封装结构，其包括，第一封装元件，其包括具有相对的第一表面和第二表面的第一基板和安装于第一基板的第一表面上的第一半导体芯片；所述第一基板设置有第一整体隔离功能结构；所述第一整体隔离功能结构包括第一电磁带隙结构、第一电感装置以及第一蓄能装置。该封装结构能够有效解决芯片封装（包括二维和三维封装）中电源噪声的宽带宽、深隔离度的隔离问题。

摘要：本发明公开了一种通过制备超细间距微凸点来实现半导体或固体器件金属互连的方法及相应器件，首先沉积碳化硅刻蚀停止层和电解质层，涂胶，干法在电解质层中刻蚀出孔，沉积金属种子层，填充金属，用CMP清除面上的金属，对电解质层进行刻蚀，形成金属露头结构并镀上抗氧化或低熔点的金属，再进行键合，该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至纳米级，远远小于目前的凸点间距尺寸；金属端面比电解质层高，可以克服由于CMP造成的金属表面的凹穴现象，保证在键合时上下金属通过塑性变形能完全接触，对晶圆CMP后的平整度要求降低；可以通过常规的热压法在较低的温度下完成键合，具有成本低的优势。

摘要：本发明公开了一种制作硅通孔的方法及硅通孔互连的制作方法，首先通过热压方法将多个硅基片叠层键合在一起，在叠层硅基片一侧的表面上制作成型通孔所需的图形并加工成型通孔，之后向通孔内进行金属化填充，金属化填充完成后将多个硅基片进行拆键合处理，完成硅基片的拆分。本发明通过将多层硅基片叠层后同时对其进行通孔加工，一次性可对多层硅基片进行成型通孔，工作效率较高；通过向叠层硅基片的通孔内进行金属化填充，实现多个硅基片同时进行金属化填充的目的，极大的缩短了硅通孔及硅通孔互连的制作时间，同时很大程度的降低了加工生产成本。

摘要：本发明提供一种包含转接板的测试结构，包括转接板；测试芯片键合在转接板的正面；测试芯片与转接板之间分布有微凸点，以使得测试芯片与转接板间形成电连接；转接板中设置有填充了导电材料的硅通孔；转接板的正面和/或背面上设置有一级测试点。进一步地，所述包含转接板的测试结构，还包括基板；转接板的背面和基板的正面键合；转接板与基板之间分布有微凸点，以使得转接板与基板间形成电连接；基板中设置有过孔；基板的正面和/或背面上设置有二级测试点。更进一步地，所述包含转接板的测试结构，还包括测试板。本发明能够实时监测各个工艺过程，可以有效评估转接板的性能，也可检测封装结构的整体性能。

摘要：本发明提供一种包含铜柱的细间距叠层封装结构，包括下封装体和上封装体。下封装体包括下基板，第一芯片安装在下基板上表面的芯片封装区并与下基板电连接；在下基板上表面的焊接区制作有铜柱，在铜柱上植有第一焊球；第一焊球和下基板的上表面被封装材料预封装，第一焊球的顶部露出下基板上表面的封装材料；上封装体包括上基板，第二芯片安装在上基板的上表面并与上基板电连接；所述上基板下表面的焊接区植有第二焊球。上基板和下基板通过第二焊球与第一焊球的对接形成互连。本发明采用了铜柱可减小焊球的球径，从而达到细间距封装的目的。本发明采用的焊线方式制作铜柱，省略了电镀工艺的复杂工艺，具有制作简单、成本低等优点。

摘要：本发明公开了一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。还公开了两种多层芯片堆叠的实现方法，本发明在使用TSV的同时，在中间层芯片之外的区域，制作穿透介质层的垂直导电通道，直接实现跨层通讯，不仅降低了内层芯片的压力，也为系统设计提供了更多自由度。

摘要：本发明涉及一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法，其针对的问题是在热氧化方法生成二氧化硅绝缘层的过程中，氧化层厚度超过1微米后，氧化速度降低很多，难以形成更加厚的氧化硅绝缘层。本发明通过在衬底(10)内，形成孔(101)以及环形硅区域(20)，该环形硅区域(20)环绕孔(101)同心圆状分布；通过深刻蚀工艺，在硅通孔侧壁刻蚀成环形，然后将环形的硅氧化获得氧化硅绝缘层。考虑到硅通过形成氧化硅的体积变化比例，以一定的间隔比例，通过深刻蚀形成周期性的圆环结构，再采用热氧化的方式，将硅圆环氧化，得到所需氧化层的厚度。通过这种方法可以获得厚度不受限制的、可以控制的致密氧化硅绝缘层。

摘要：本发明提供了一种用于柔性基板封装的简易弯折装置，其包括底板，所述底板端部设置有可旋转的弯折杆，所述弯折杆包括旋转头和弯折头，所述弯折头为带有间隙的叉杆结构。可以简单、方便地实现柔性基板的弯曲，降低了劳动强度和生产成本，而且有效地提高了产品质量。

摘要：本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上设置有中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述第一芯片连同所述柔性基板弯曲叠加在所述中央芯片上，所述第一芯片对应所述柔性基板的背面设置有mold塑胶层，所述第二芯片对应所述柔性基板弯曲设置在所述mold塑胶层一侧，成型G形封装结构，所述mold塑胶层封闭所述G形封装结构开口，本发明同时提供了一种柔性基板封装结构的封灌方法。

摘要：本发明提供了一种柔性基板封装结构，可以有效防止灌封材料的泄露，避免了泄露的灌封材料对基板其他区域构成污染，保证了后续的植球及测试工艺的正常进行，其包括柔性基板，所述柔性基板上中央芯片、第一芯片和第二芯片，其特征在于：所述中央芯片上对应所述柔性基板两端在所述中央芯片上的弯曲位置设置有mold塑胶层，所述中央芯片和所述mold塑胶层上设置有片胶层，所述mold塑胶层两侧通过所述柔性基板弯曲成型所述第一芯片和所述第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片成型在所述mold塑胶层两侧所述中央芯片上的所述片胶上，本发明同时提供了一种柔性基板封装结构的封灌方法。