摘要：各种实施例包括包含光传感器的设备和方法。光传感器包括第一电极、第二电极、第三电极以及与第一电极、第二电极和第三电极中的每一个电连通的吸光半导体。用以显著衰减在吸光半导体的部分上的入射光的吸光材料被设置在第二电极与第三电极之间。电偏置被施加在第二电极与第一和第三电极之间，并且流过第二电极的电流与入射在光传感器上的光有关。描述了附加方法和设备。

摘要：在各个示例性实施例中，提供一种成像系统和方法。在一个实施例中，所述系统包括第一图像传感器阵列、用以将第一图像投影在第一图像传感器阵列上的第一光学系统，所述第一光学系统具有第一缩放水平。第二光学系统用以将第二图像投影在第二图像传感器阵列上，所述第二光学系统具有第二缩放水平。

摘要：各种实施例包括包含光传感器的设备和方法。光传感器包括：第一电极；第二电极；第三电极；和光吸收半导体，与第一电极、第二电极和第三电极中的每个电极电气连通。用于基本上衰减入射到光吸收半导体的一部分上的光的光模糊材料被设置在第二电极和第三电极之间。电气偏置将要被应用在第二电极以及第一和第三电极之间，并且流经第二电极的电流与入射在光传感器上的光相关。描述另外的方法和设备。

摘要：本发明公开了各种实施方案，在所述各种实施方案中，具有扩展的动态范围的电子图像传感器包括例如像素电路和列读出电路。列读出电路包括例如相关双采样(CDS)电容器、一个或多个CDS钳位开关、单斜率模数转换器(ADC)电路和列存储器。公开了其他设备和方法。

摘要：本发明公开了一种电子设备。在各种实施方案中，电子设备包括例如至少一个光敏层和至少一个载流子选择层。在设备的一个偏压范围下，该光敏层在被照明时产生光电流。在设备的另一个偏压范围下，该光敏层在被照明时不产生光电流。载流子选择层扩大了光敏层在被照明时不产生任何光电流的偏压范围。在各种实施方案中，电子设备包括例如至少一个光敏层和至少一个载流子选择层。在设备的第一偏压范围下，该光敏层被配置为在被照明时收集光电流。在设备的第二偏压范围下，该光敏层被配置为在被照明时与在第一偏压范围下相比收集至少1/M的光电流。

摘要：本发明的各种实施方案包括图像传感器，所述图像传感器提供具有集成电路、第一电荷提取层、光敏层和第二空穴提取层的全局电子快门。在第一模式(所述“开启”模式)下，经由所述第一电荷提取层提取电子。在第二模式(所述“关闭”模式)下，所述空穴的提取被所述第一电荷提取层阻止。公开了其他实施方案。

摘要：在各种实施方案中，本发明公开了图像传感器和相关方法。在实施方案中，图像传感器包括光学敏感材料和包括与光学敏感材料电连通的感测节点的像素电路。像素电路在集成周期期间存储与入射在光学敏感材料上的光强度成比例的电信号。像素电路包括与光学敏感材料电连通的差分晶体管对。所述差分晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管设置在所述光学敏感材料和所述感测节点之间。所述差分晶体管对在所述集成周期期间通过所述第一晶体管引导所述光学敏感材料和所述感测节点之间的电流，并且在所述集成周期之后通过所述第二晶体管引导电流

摘要：本发明在各种实施方案中公开了一种图像传感器以及所述图像传感器的相关操作方法。在一个实施方案中，图像传感器包括至少一个像素。所述至少一个像素包括晶体管以将溢流电容器耦接至浮动扩散节点。在低光照条件下，光电荷将被收集在浮动扩散中，但是基本上不进入溢流节点。在高光照条件下，光电荷将溢流到溢流节点中。还公开了其它传感器及相关操作。

摘要：本发明提供了成像装置(100,200,1200)，所述成像装置包括半导体基板(312)和像素电路(1202,1204)的阵列(202)，所述像素电路阵列在所述半导体基板上被布置成矩阵形式并且限定所述装置的相应像素(212)。像素电极(1208)分别耦合到所述像素电路，并且感光膜(1206)形成在所述像素电极上方。至少部分透明的公共电极(1207)形成在所述感光膜上方。不透明金属化层(1214)形成在所述像素中的一个或多个上的所述感光膜上方，并以欧姆接触方式耦合到所述公共电极。控制电路(208,1212)被

摘要：本发明提供了一种成像装置，包括：图像传感器，包括像素的阵列，所述像素被配置为响应于在所述像素的从可见波长延伸到至少1600nm的灵敏度范围上入射到所述像素的光而输出信号；滤光器，其被放置以阻挡从超过700nm到至少1400nm的阻带中的近红外光入射到所述图像传感器上；和处理器，其被配置为接收和处理来自所述图像传感器的输出信号，从而既获取第一可见光波长图像，又响应于大于1450nm的波长的通带中入射到所述图像传感器上的光而获取第二红外图像。