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1:
[发明]
使用III-V半导体太阳能电池的聚光光伏打系统模块
申请号:
200910009814.0
公开号:CN101510571 主分类号:H01L31/052(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2009.01.23 公开日:2009.08.19
发明人:
加里·赫林
;
米哈伊尔·卡茨
;
艾伦·戈伦兹
;
斯科特·埃尔曼
;
方 路
摘要:本发明揭示一种太阳能电池模块(20),其包括透镜(22a-22j)阵列、对应的辅助光学元件(210)及对应的太阳能电池接收器(12a-12j)。太阳能电池接收器(12)包含具有一个或一个以上III-V化合物半导体层的太阳能电池(30)、与所述太阳能电池(30)并联耦合的二极管(14)及用于耦合到其它太阳能电池接收器的连接器(40)。所述模块包含外壳(21),所述外壳(21)支撑透镜(22a-22j)使得每一透镜将太阳能聚集到其相应的太阳能电池(30)上。
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2:
[发明]
陆地太阳跟踪光伏阵列
申请号:
200910206641.1
公开号:CN101728981A 主分类号:H02N6/00(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2009.10.23 公开日:2010.06.09
发明人:
米哈伊尔·卡茨
;
彼得·艾伦·扎瓦兹基
;
特拉维斯·多德
;
詹姆斯·舍曼
;
加里·D·赫林
;
约翰·兰内利
摘要:本发明揭示一种陆地太阳跟踪光伏阵列,其包含可由离散区段构造而成的纵向支撑件。所述阵列的总长度可依据所述阵列的必需大小加以调整。驱动器可经配置以使所述纵向支撑件围绕第一轴沿第一及第二方向旋转。太阳能电池模块沿所述纵向支撑件定位且可各自包含具有定位于对应接收器上方的多个透镜的矩形箱。联杆可连接到所述太阳能电池模块且可沿所述纵向支撑件轴向移动以使所述太阳能电池模块在各自正交于第一平面的第二平面内旋转以便在一天的过程期间进一步跟踪太阳。所述阵列可经配置以促进围绕所述第一轴的旋转。所述阵列可经构造以使所述阵列的重心延伸穿过所述纵向支撑件。
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3:
[发明]
具有两个变质层的四结倒置变质多结太阳能电池
申请号:
200910223615.X
公开号:CN101740647A 主分类号:H01L31/042(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2009.11.13 公开日:2010.06.16
发明人:
阿瑟·科恩费尔德
;
本杰明·丘
摘要:本申请案涉及一种具有两个变质层的四结倒置变质多结太阳能电池。本发明提供一种多结太阳能电池,其包含:上部第一太阳能子电池,其具有第一能带隙;第二太阳能子电池,其邻近于所述第一太阳能子电池且具有比所述第一能带隙小的第二能带隙;第一经分级夹层,其邻近于所述第二太阳能子电池;所述第一经分级夹层具有比所述第二能带隙大的第三能带隙;以及第三太阳能子电池,其邻近于所述第一经分级夹层,所述第三子电池具有比所述第二能带隙小的第四能带隙,使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。邻近于所述第三太阳能子电池提供第二经分级夹层;所述第二经分级夹层具有比所述第四能带隙大的第五能带隙;且邻近于所述第二经分级夹层提供下部第四太阳能子电池,所述下部第四子电池具有比所述第四能带隙小的第六能带隙,使得所述第四子电池相对于所述第三子电池晶格失配。
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4:
[发明]
制造太阳能电池的方法
申请号:
200910223616.4
公开号:CN101740663A 主分类号:H01L31/18(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2009.11.13 公开日:2010.06.16
发明人:
弗雷德·纽曼
摘要:本发明提供一种通过以下步骤来制造太阳能电池的方法:提供第一衬底;在第一衬底上沉积形成太阳能电池的半导体材料层序列;安装并接合代用第二衬底,所述代用第二衬底由热膨胀系数大体上类似于所述层序列的顶部上的半导体层的热膨胀系数的材料组成;以及移除所述第一衬底。
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5:
[发明]
具有Ⅳ/Ⅲ-Ⅴ族混合合金的多结太阳能电池
申请号:
201010147977.8
公开号:CN101882644A 主分类号:H01L31/18(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2010.04.08 公开日:2010.11.10
发明人:
保罗·夏普斯
;
弗雷德·纽曼
摘要:本发明涉及具有IV/III-V族混合合金的多结太阳能电池。一种通过以下步骤制造太阳能电池的方法:提供锗半导体生长衬底;及在所述半导体生长衬底上沉积形成太阳能电池的半导体材料层的序列,其包含由IV/III-V族混合合金构成的子电池。
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6:
[发明]
供在集中太阳能系统中使用的太阳能电池接纳器
申请号:
201110126842.8
公开号:CN102651414A 主分类号:H01L31/052(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2011.05.12 公开日:2012.08.29
发明人:
杨磊
;
苏尼尔·瓦伊德
;
米哈伊尔·卡茨
;
加里·赫林
;
菲利普·布卢门菲尔德
;
达明·布伊
;
约翰·纳吉瓦里
;
詹姆斯·福雷西
;
彼得·艾伦·扎瓦兹基
摘要:本申请案涉及一种太阳能电池接纳器,其供在集中太阳能系统中使用,所述集中太阳能系统将太阳能集中到太阳能电池上以用于将太阳能转换为电。所述太阳能电池接纳器可包含安装在支撑件上且具有一个或一个以上III-V族化合物半导体层的太阳能电池。光学元件可定位在所述太阳能电池上方,且具有入口背离所述太阳能电池而出口面向所述太阳能电池的光学通道。框架可定位在所述支撑件上方并围绕所述太阳能电池而延伸,其中所述框架具有在所述支撑件上方延伸并面向所述光学元件的内部侧面。封装物可定位在所述支撑件上方且容纳在所述光学元件与所述框架之间。所述封装物在与所述光学元件和所述框架的接触点处可具有增大的高度,且在远离所述光学元件和所述框架的接触点之间具有减小的高度。所述太阳能电池接纳器可在太阳能电池模块中使用。
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7:
[发明]
供在集中太阳能系统中使用的太阳能电池模块
申请号:
201110126862.5
公开号:CN102651415A 主分类号:H01L31/052(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2011.05.12 公开日:2012.08.29
发明人:
杨磊
;
苏尼尔·瓦伊德
;
米哈伊尔·卡茨
;
加里·赫林
;
菲利普·布卢门菲尔德
;
达明·布伊
;
约翰·纳吉瓦里
;
詹姆斯·福雷西
;
彼得·艾伦·扎瓦兹基
摘要:本发明案涉及一种供在集中太阳能系统中使用的太阳能电池模块。一种具有太阳能电池接纳器的太阳能电池模块,其供在集中太阳能系统中使用,所述集中太阳能系统将太阳能集中到太阳能电池上以用于将太阳能转换为电。所述太阳能电池接纳器可包含安装在支撑件上且具有一个或一个以上III-V族化合物半导体层的太阳能电池。光学元件可定位在所述太阳能电池上方且具有入口背离所述太阳能电池而出口面向所述太阳能电池的光学通道。框架可定位在所述支撑件上方并围绕所述太阳能电池而延伸,其中所述框架具有在所述支撑件上方延伸并面向所述光学元件的内部侧面。封装物可定位在所述支撑件上方且容纳在所述光学元件与所述框架之间。所述封装物在与所述光学元件和所述框架的接触点处可具有增大的高度,且在远离所述光学元件和所述框架的所述接触点之间具有减小的高度。
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8:
[发明]
用于III-V化合物半导体电池的栅格设计
申请号:
201110276170.9
公开号:CN102983208A 主分类号:H01L31/18(2006.01)I
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2011.09.07 公开日:2013.03.20
发明人:
理查德·W·小霍夫曼
;
普拉温·帕特尔
;
坦森·瓦格赫塞
摘要:一种用于从太阳产生能量的光伏太阳能电池,所述光伏太阳能电池包含:锗衬底,其包含第一光敏结且形成底部太阳能子单元;砷化镓中间单元,其安置在所述衬底上;磷化铟镓顶部单元,其安置在所述中间单元上;以及表面栅格,其包含多个间隔开的栅格线,其中所述栅格线具有大于7微米的厚度,且每一栅格线具有梯形形状的横截面,其中横截面面积在45与55平方微米之间。
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9:
[发明]
耐辐射倒置变质多结太阳能电池
申请号:
201310544913.5
公开号:CN104300025A 主分类号:
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2013.11.06 公开日:2015.01.21
发明人:
普拉温·帕特尔
;
本杰明·邱
摘要:本发明涉及一种用于空间辐射环境的多结太阳能电池,所述多结太阳能电池具有以减小带隙的次序布置的多个太阳能子电池,所述多个太阳能子电池包含:第一太阳能子电池,其由InGaP构成且具有第一带隙,所述第一太阳能子电池具有与其相关联的第一短路电流;第二太阳能子电池,其由GaAs构成且具有小于所述第一带隙的第二带隙,所述第二太阳能子电池具有与其相关联的第二短路电流;其中在寿命开始状态中,所述第一短路电流小于所述第二短路电流使得AM0转换效率为次优的。然而,在寿命结束状态中,所述短路电流大致匹配,此产生经改进的AM0转换效率。
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10:
[发明]
在中间电池中具有低带隙吸收层的多结太阳能电池和其制备方法
申请号:
201410003620.0
公开号:CN103915522A 主分类号:
申请人:
安科太阳能公司
申请日:2014.01.03 公开日:2014.07.09
发明人:
本杰明·C·理查兹
;
林勇
;
保罗·R·夏普斯
;
普拉文·帕特尔
摘要:本申请案涉及一种在中间电池中具有低带隙吸收层的多结太阳能电池和其制备方法。本发明涉及一种多结光伏电池,其包括顶部子电池;经安置与所述顶部子电池直接相邻且产生第一光生电流的第二子电池;且包括具有不同晶格常数的第一和第二不同半导体层的序列;和经安置与所述第二子电池直接相邻且产生量实质上等于所述第一光生电流密度的第二光生电流的下部子电池。
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