摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括溶胶型氧化铈、含羟基的非离子型表面活性剂以及pH调节剂。本发明采用溶胶型氧化铈研磨颗粒与含有羟基的非离子型表面活性剂配合使用的技术方案，在一定pH条件下，实现在几乎不降低氧化硅的抛光速率的条件下，提高氧化硅对多晶硅的选择比。

摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括溶胶型氧化铈、以及聚季铵盐。本发明采用溶胶型氧化铈作为研磨颗粒，同时添加聚季铵盐作为添加剂，在聚季铵盐作用下，实现抑制氮化硅的抛光速率、提高二氧化硅的抛光速率，同时控制蝶形凹陷的产生的技术效果。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈研磨颗粒、苯甲酸类化合物及pH调节剂。采用上述组分的抛光液，可以显著提高其对二氧化硅介质层的抛光速率，抑制氮化硅的抛光速率，提高二氧化硅对氮化硅的选择比，同时克服现有技术中抛光速率不均匀的问题。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。

摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈研磨颗粒、苯甲酸类化合物及pH调节剂。采用上述组分配比的抛光液，能够显著提高其对二氧化硅介质层的抛光速率，抑制对氮化硅的抛光速率，提高二氧化硅对氮化硅的选择比，同时克服了现有技术中抛光速率不均匀的问题。