摘要：一方面，本发明提供了一种包括真空处理腔和被放置在真空处理腔上的涡轮分子泵的真空处理系统。涡轮分子泵包括具有进气口和出气口的壳体、被设置于壳体内壁的定子、被设置于定子内的转子以及与转子共轴设置的马达，其中至少泵的第一级被扩大，而且除了相应的外壳上部之外泵的其它部件没有相应扩大。

摘要：一方面，本发明提供了用于在大面积基片上形成光学器件的方法和装置。最好，大面积基片由石英、硅石或石英玻璃制成。大面积基片可以使更大的光学器件形成在单个模片上。另一方面，本发明提供了用于在大面积基片如石英基片、硅石基片和石英玻璃基片上形成集成光学器件的方法和装置。另一方面，本发明提供了利用镶嵌技术在大面积基片或硅基片上形成光学器件的方法和装置。另一方面，提供了通过将上覆盖层结合到下覆盖和芯上形成光学器件的方法。

摘要：本发明一般地提供了用于支撑衬底的衬底支撑构件。在一个实施例中，用于支撑衬底的衬底支撑构件包括连接到下屏蔽罩的主体。所述主体具有适用于支撑衬底的上表面和下表面。所述下屏蔽罩具有中央部分和凸缘。所述凸缘以与所述主体分隔开的关系放置。所述下屏蔽罩适用于与置于处理室中的上屏蔽罩结合来确定迷宫式间隙，该迷宫式间隙基本上可以防止等离子体迁移到低于构件的位置。在另一个实施例中，所述下屏蔽罩向等离子体提供短射频接地返回路径。

摘要：本发明公开一种半导体处理装置，该装置提供衬底或晶片夹持器(180)的扫描臂(60)在至少两个通常正交方向(所谓X-Y扫描)上的移动。在第一方向上的扫描是纵向穿过在真空室壁上开口(55)。臂(60)通过一个或多个直线式电动机(90A、90B)往复运动。臂(60)使用万向空气轴承相对于滑片(100)支撑，以便于为臂相对于滑片(100)提供悬臂支撑。用于臂(60)的进入真空室的适应性穿通装置(130)然后作为真空密封和导引，但其自身不需要提供轴承支撑。法拉第(450)被连接到邻近衬底夹持器(180)的臂(60)，以允许在注入之前和过程中实现射束分布的确定。法拉第(450)可以替代地或另外地被安装邻近所述衬底夹持器的后部或与其成90°，并且所述衬底支撑被颠倒或水平并脱离射束线，以允许在注入之前实现射束分布的确定。

摘要：注入器提供对衬底的相对于注入射束的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交的、均匀间隔的平行扫描线的栅格，并且线之间的间距被选择以确保适当的剂量均匀性。

摘要：本发明提供了一种方法，其中，在一个系统的室中被等离子氮化的栅极电介质薄膜随后在同一系统的另一个室中被加热或“退火”。可以控制处理延迟，使得在系统中被处理的全部晶片经历类似的氮含量。

摘要：一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。

摘要：一种在溅射室工件上形成涂层的方法和装置。所述装置一般包括具有至少一个工件的溅射室。所述至少一个工件一般包括一个或者多个在其上形成的沟槽，所述沟槽被配置来定义电弧喷射涂层区域。所述方法一般包括在所述工件中形成一个或者多个沟槽，所述沟槽定义涂层区域并通过电弧喷射对所述涂层区域涂覆金属涂层。

摘要：本发明公开了一种用于制造半导体设备的洁净铝合金，其中该洁净铝合金的至少一部分表面通过阳极化镀层进行保护，所述洁净铝合金包含一些杂质微粒，其中至少85％的所述杂质微粒尺寸小于5μm，少于15％的所述杂质微粒的尺寸在5μm到20μm之间，少于1％的所述杂质微粒的尺寸大于20μm，没有大于40μm的杂质微粒。本发明还公开了一种生产用于半导体加工的抗腐蚀器件的方法，其中所述器件包含一个由洁净铝合金制成的本体，其中所述本体的至少一个要暴露于腐蚀性环境中的表面被覆盖上一层阳极化镀层，其中至少所述本体的覆盖了所述阳极化镀层的所述表面是如上所述的铝合金。

摘要：本发明提供了为诸如室部件的工件表面提供纹理的方法和系统。本方法包括：将工件提供给纹理化室，并在工件表面上扫掠电磁能量束，以在其上形成多个特征。所形成的特征一般是凹陷、凸起及其组合。所述室部件可以包括例如室防护件和相关组件、靶、遮蔽环、接触环、衬底支架或其他可设置在处理室内的部件。还提供了一种减少处理室内污染的方法。本方法包括：在一个或多个处理室部件的表面上扫掠电磁能量束，以在其上形成多个特征；将所述一个或多个室部件置入处理室内；以及在处理室内开始进行处理工序。