摘要：本发明提供一种在包含目标页面的要写入和读取数据的主非易失性存储器(MM)中写入和读取数据的方法，该方法包含：提供具有擦除区的非易失性缓存(NVB)；提供易失性高速缓冲存储器(CM)，接收写入命令，该写入命令旨在用长度小于页面长度的更新数据更新目标页面。该方法还包含，对写入命令作出响应：将更新数据连同第一类型的管理数据写入非易失性缓存的擦除区；并且在高速缓冲存储器中记录目标页面的更新版本或者在高速缓冲存储器中更新目标页面之前的更新版本。

摘要：本发明提供一种非易失性存储器器件，包括：存储器阵列(12)，其具有布置在至少一个逻辑行(20)中的多个非易失性存储器单元(11)，逻辑行(20)包括共用共同的控制线(22)的第一行(20a)和第二行(20b)；以及多个位线(BLJa、BLJb)。每个逻辑存储器单元(11)具有用于存储第一逻辑值直接存储器单元和用于存储第二逻辑值的互补存储器单元，第二逻辑值与在对应的直接存储器单元(11a)中的第一逻辑值互补。每个逻辑存储器单元(11)的直接存储器单元(11a)和互补存储器单元(11b)耦合到相应的分离的位线(BLJa、BLJb)并且被放置为一个在相应的逻辑行(20)的第一行(20a)中，并且另一个在相应的逻辑行(20)的第二行(20b)中。

摘要：一种真空集成电子器件具有导电材料的阳极区；阳极区之上的绝缘区；延伸穿过绝缘区并且具有侧壁的腔；以及阴极区。阴极区具有尖端部分，尖端部分在腔内的周边地延伸并且邻近腔的侧壁。阴极区通过倾斜沉积形成，以相对于器件表面的垂线呈30‑60°角实现倾斜沉积。

摘要：本公开提供了用于检测具有大分子的气体的气体传感器设备。本公开涉及一种气体传感器设备，其检测诸如硅氧烷之类的具有大分子的气体(例如，具有的分子量在150g/mol和450g/mol之间的气体)。气体传感器设备包括薄膜气体传感器和体膜气体传感器。薄膜气体传感器和体膜气体传感器各自包括半导体金属氧化物(SMO)膜、加热器和温度传感器。薄膜气体传感器的SMO膜是薄膜(例如，在90纳米和110纳米厚之间)，并且体膜气体传感器的SMO膜是厚膜(例如，在5微米和20微米厚之间)。气体传感器设备基于SMO薄膜和SMO厚膜的电阻之间的变化来检测具有大分子的气体。

摘要：本公开提供了一种用于车辆中的运动估计的方法、对应设备和计算机程序产品。一种系统包括惯性传感器和GPS。该系统基于运动数据和定位数据来生成第一经估计的车辆速度，基于经处理的运动数据和第一经估计的车辆速度来生成第二经估计的车辆速度，并且基于经处理的运动数据、定位数据和第二经估计的车辆速度来生成指示车辆的定位、速度和姿态的融合数据集。生成第二经估计的车辆速度包括：对运动数据进行滤波；基于第一经估计的车辆速度，在频域中变换经滤波的运动数据，以生成频谱功率密度信号；基于频谱功率密度信号，生成经估计的车轮角频率和经估计的车轮尺寸；以及根据经估计的车轮角频率和经估计的车轮尺寸，生成第二经估计的车辆速度。

摘要：本公开的实施例涉及具有分时致动和感测电路装置的基于压电的MEMS器件。MEMS器件包括旋转体和机械耦联至旋转体的第一压电致动器。第一压电致动器电耦合在第一信号节点与公共电压节点之间。第二压电致动器机械耦联至旋转体，并且电耦合在第二信号节点与公共电压节点之间。控制电路装置包括：驱动电路，被配置为驱动第一压电致动器和第二压电致动器；感测电路，被配置为处理由第一压电致动器和第二压电致动器生成的感测信号；以及多路复用电路。多路复用电路被配置为在将驱动电路连接至第一压电致动器的同时将感测电路连接至第二压电致动器与在将驱动电路连接至第二压电致动器的同时将感测电路连接至第一压电致动器之间交替。

摘要：本公开的实施例涉及利用光电二极管进行反馈的扫描激光投影仪系统。扫描激光投影仪包括光学模块和投影引擎。所述光学模块包括输出激光束的激光发生器，以及以宽于出射窗口的扫描图案在穿过壳体限定的出射窗口上扫描激光束的可移动反射镜，使得激光束以小于扫描图案并在扫描图案内的投影图案被引导穿过出射窗口。第一光检测器围绕出射窗口的周边定位，使得当可移动反射镜以扫描图案扫描激光束时，以扫描图案将激光束跨壳体内部扫描而不穿过出射窗口的点处，使得激光束撞击第一光检测器。投影引擎基于来自第一光检测器的输出调整可移动反射镜的驱动。

摘要：本公开的实施例涉及零加热器功率激活的基于半导体金属氧化物的气体传感器。气体传感器由薄膜半导体金属氧化物气体感测层形成，具有导热且电绝缘层，该导热且电绝缘层与气体感测层的背部直接物理接触以承载气体感测层。感测电路系统向气体感测层施加电压并且测量流过气体感测层的电流。流过气体感测层的电流被检测气体是否已经被气体感测层检测到，并且用于自加热气体感测层。支撑结构从衬底延伸以围绕导热且电绝缘层的背面承载且直接物理接触导热且电绝缘层，其中支撑结构被形成为在衬底的正面和导热且电绝缘层的背部之间形成气隙。

摘要：本公开涉及处理系统、相关集成电路、设备和方法。处理系统包括通信系统和被配置为生成写入请求的处理核心。电路具有关联的从属接口电路，从属接口电路被配置为管理地址子范围并且选择性地转发寻址到给定地址的写入请求。配置数据指定给定地址是否受保护/未受保护以及被锁定/解锁。响应于所接收到的写入请求，地址和数据被提取，并且基于配置数据确定所提取的地址是否受保护/未受保护以及被锁定/解锁。当所提取的地址未受保护或被解锁时，从属接口转发写入请求。当所提取的地址受保护以及被锁定时，从属接口响应于所提取的地址与所提取的数据的比较而生成解锁信号，当所提取的数据满足相对于所提取的地址的预定规则时，解锁信号被断言。

摘要：本公开涉及沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法。一种垂直导电沟槽栅极类型的MOS晶体管包括与沟槽栅极的栅极氧化物的从半导体衬底突出的部分相邻的第一间隔物和第二间隔物，第一间隔物和第二间隔物关于对称轴彼此镜像；通过使用间隔物作为注入掩模在本体区域内注入掺杂剂物种，来形成富集P+区域。对称间隔物的形成使得可以形成与栅极电极自动对准的源极、本体和本体富集区域，从而克服其中借助于光刻技术形成这样的区域(具有随之而来的不对称性风险)的已知类型的MOS晶体管的限制。