摘要：本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述方法包括：提供包括多个薄膜LED器件的薄膜LED器件阵列；基于提供的薄膜LED器件阵列确定红、绿、蓝三个颜色对应的子像素区域，在至少两种子像素区域的薄膜LED器件的出光面上形成各自颜色对应的色彩转换媒介，所述色彩转换媒介包括透明支撑结构和色彩转换颗粒；在子像素区域的不同颜色对应的子像素之间设置黑色挡墙；基于形成有色彩转换媒介的薄膜LED器件得到红、绿、蓝三色LED芯片。本发明通过在薄膜LED器件的出光面上形成包括微纳米结构和色彩转换颗粒的色彩转换结构，能够基于某种颜色的LED器件制作出不同波长的LED。

摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：自下而上依次堆叠设置的基板、第一导电层、第一发光单元和第二发光单元，以及用于连接外部电源的第一电极和第二电极；第一发光单元的第一型半导体与第二发光单元的第二型半导体相互靠近并电性连接；第一发光单元的第二型半导体设于第一导电层上并与第一导电层电性连接，第二发光单元的第一型半导体设于第二发光单元背离第一发光单元的一侧；第一电极和第二电极中的一者与第一导电层电性连接、另一者与第二发光单元的第一型半导体电性连接。本申请提供的发光二极管，通过将第一发光单元和第二发光单元串联并堆叠设置，可提高发光二极管的单位面积出光亮度。

摘要：本申请公开了一种改进型集成式LED芯片结构及制作方法，包括生长衬底；层状外延结构，其包括外延结构一和外延结构二2‑3，且二者之间以绝缘层进行隔离；外延结构一和外延结构二2‑3从下至上均包括负极性层、量子阱发光层和正极性层；透明导电层；第一绝缘层；第一扩展电极；反射绝缘层；第二扩展电极；Micro LED芯片；第二绝缘层；焊线电极；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作工艺方法，由原先的单层外延结构和两次转移的加工工艺变为采用双层外延结构和单次转移的加工工艺，降低转移带来的可靠性风险，提升产品可靠性；由于一次转移，两个光源分别来自于原生衬底，尺寸精度更易于控制，可以进一步缩小产品尺寸，增强企业的核心竞争力。

摘要：本申请公开了一种芯片巨量转移排列的制备工艺，包括如下步骤：S10，准备待转移的Micro LED芯片，其包括芯片电极、芯片、生长衬底；S20，在Micro LED芯片上方涂布动力层结构；S30，准备高平整度、高透过率材料的临时衬底；S40，在临时衬底上涂布激光分解层；S50，将涂布动力层结构的Micro LED芯片与涂布激光分解层的临时衬底进行对位键合；S60，将生长衬底去掉，得到可进行激光转移的独立芯片结构；S70，进行选择性激光排列，激光分解层被分解成气体，独立芯片结构精准掉落至临时基板上进行承接，完成芯片转移排列；本申请通过在Micro LED芯片上方涂布动力层结构以及在临时衬底上涂布激光分解层的制备步骤，保证了芯片转移的精度，也实现了排列芯片且免清洗的目的。

摘要：本申请公开了一种集成式LED芯片结构及制作方法，包括生长衬底；位于所述生长衬底之上设有外延结构，其外延结构从下至上依次包括负极性层、量子阱发光层和正极性层；位于所述外延结构的正极性层之上设有透明导电层；位于所述透明导电层、外延结构的负极性层和生长衬底之上设有第一绝缘层；以及依次设置的第一扩展电极、反射绝缘层、第二扩展电极、有Micro LED芯片、第二绝缘层和焊线电极；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作工艺、方法，很好的解决了现有技术中像素点占用面积大，影响显示效果的问题，同时简化了制作工艺，解决了芯片隔离问题，提升了产品的可靠性，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。

摘要：本申请公开了一种可覆胶刚性印章的制作方法，包括如下步骤：S1，准备图形化衬底；S2，均匀沉积一层二氧化硅；S3，经过光刻和蚀刻，得到图案化的二氧化硅保护层；S4，再对图形化衬底材料进行蚀刻，得到图案化印章凸点；S5，进一步蚀刻清洗，初步得到刚性印章；S6，继续均匀沉积一层二氧化硅；S7，经过光刻和蚀刻，得到图案化的二氧化硅保护层；S8，得到新的图案化印章凸点；S9，最后经过蚀刻清洗，得到可覆胶的刚性印章；本申请可以显著提升印章的结构刚性，解决了传统PDMS印章所遭受的机械损伤和形变等问题，使得生产过程中对印章的机械损伤与变形得到有效控制，从而降低生产成本，提高生产效率；提高产品的可靠性以及多元性。

摘要：本申请公开了一种Mi cro芯片巨量转移方法，包括如下步骤：S 10，准备好激光转移设备、部分区域透光以及部分区域非透光的基准板、多片待转移晶圆和承载板；S20‑S50，将多片待转移晶圆传输进入激光转移设备，基准板、待转移晶圆、承载板三者进行精准定位后，开启激光源，激光源透过基准板的透光区域照射至待转移晶圆上，透光区域下的待转移晶圆上的Mi cro芯片被转移至承载板上；S60，按上述顺序将待转移晶圆全部转移完成后；本申请通过在待转移晶圆之上放置一既有透光区域又有不透光区域的基准板，以使晶圆上的部分区域Mi cro芯片转移，通过巨量转移的方式，把来自于不同晶圆的Mi cro芯片放置于承载板的同一区块，采用这样的方式来消除区块间的Mura现象。

摘要：本申请公开了一种集成显示晶圆的制备方法，包括如下步骤：S 10,提供一第一临时透明基板，且在该基板上涂覆第一临时键合胶；S20,提供一第二临时透明基板，并且在该基板表面涂覆第二临时键合胶；S30,第一透明基板的有机透明绝缘层和第二临时透明基板的第二临时键合胶之间相接触；40,使Mi cro LED芯片和有机透明绝缘层通过第二临时键合胶置于第二临时透明基板之上；S50,在有机透明绝缘层和Mi cro LED芯片之上制作第一隔离绝缘层；S60,在第一隔离绝缘层之上制作布线线路；S70,在布线线路和第一隔离绝缘层之上制作第二隔离绝缘层；S80,在第二隔离绝缘层之上制作焊线电极；本申请大大的提升了Mi cro LED芯片性能和效率，符合企业的发展需求，提升了企业竞争力。

摘要：本申请公开了一种集成显示晶圆的制备方法，包括如下步骤：S10,提供一第一临时透明基板，且在该基板上涂覆第一临时键合胶；S20,提供一第二临时透明基板，并且在该基板表面涂覆第二临时键合胶；S30,第一透明基板的有机透明绝缘层和第二临时透明基板的第二临时键合胶之间相接触；40,使Micro LED芯片和有机透明绝缘层通过第二临时键合胶置于第二临时透明基板之上；S50,在有机透明绝缘层和Micro LED芯片之上制作第一隔离绝缘层；S60,在第一隔离绝缘层之上制作布线线路；S70,在布线线路和第一隔离绝缘层之上制作第二隔离绝缘层；S80,在第二隔离绝缘层之上制作焊线电极；本申请大大的提升了Micro LED芯片性能和效率，符合企业的发展需求，提升了企业竞争力。

摘要：本申请公开了一种色转换全彩化Mi cro LED芯片及制作方法，包括透明衬底；所述透明衬底之上设有色转换层及环形吸光阻隔层；所述透明衬底、色转换层及环形吸光阻隔层之上设有透明黏附层；所述透明黏附层之上设有Mi cro LED芯片；所述透明黏附层、Mi cro LED芯片之上设有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设有布线线路；所述布线线路、第一绝缘层之上设有第二绝缘层；所述第二绝缘层之上设有焊线电极；本申请通过对Mi cro LED芯片的重新设计和相应的结构布局，并提供相应的制作方法，解决了芯片尺寸过小无法测试导致上屏后形成坏点及返修问题，降低了成本，并解决了色转换中存在的光串扰问题，提升了产品的可靠性，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。