摘要：本发明公开了一种用于APCVD背封炉氮气罩的固定装置。该固定装置包括供氮气罩管路穿过的主体部分、用于将氮气罩管路与主体部分彼此紧固的固定螺母，所述主体部分具有圆柱体、设置在圆柱体上部的圆台部，以及设置在圆台部上部的紧固部；该紧固部外周设有螺纹，并在该紧固部的径向上设有凹槽，所述氮气罩管路穿过的位置与该凹槽在同一直线上；所述固定螺母具有与所述紧固部外周的螺纹匹配的内螺纹。本发明的固定装置能够保证固定的密封性和紧合度，可重复多次使用，可适用于所有APCVD背封炉，具有很强的通用性。本发明的固定装置显著地减少了设备的停机时间，保证了产品的质量，节约了喷头由于断钉造成的维修成本，杜绝了由于氮气罩固定造成的故障发生。

摘要：本发明提供了一种用于半导体单晶硅棒切割的粘晶定位装置。该装置包括：粘接平台、定位标尺、标尺架和定位螺丝，其中，所述标尺架安装在粘接平台上，所述标尺架上设有供定位标尺安装的安装孔，定位标尺可以相对于标尺架前后移动；所述定位标尺表面有刻度，达到预定位置时，定位标尺的前端与单晶硅棒的端面接触，利用定位螺丝拧紧在标尺架上的螺孔来限定定位标尺的位置。该装置有效控制了单晶粘接位置，减少了通过估算位置而盲目粘接单晶造成的切割损失，改善了操作者的操作习惯，提高了单晶切割收率。该装置操作简单，利于首次接触该装置人员的学习。

摘要：本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(2)将吸盘及硅片转速提高到3500‑5000rpm，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(3)经热烘箱烘烤后，粘贴在有蜡抛光专用的工装夹具上，进行有蜡抛光。本发明能够产生厚度更加均匀的蜡膜，进而制造出具有更加优异局部平整度的硅衬底抛光片，提高后道器件厂的成品率。

摘要：本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。

摘要：本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。

摘要：本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。

摘要：本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。

摘要：本发明公开了一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5‑15rpm，埚转为0.1‑3rpm；控制晶体生长时液面位置+/‑0.5mm波动范围；(2)进行滚磨及线切割；(3)进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800#导轮粗倒2次，1000‑3000#导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；(4)进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在5‑15μm，酸腐蚀去除量控制在15‑20μm；(5)进行抛光，抛光转速控制在30‑50rpm，压力控制在300‑500kg，化学液浓度控制在1∶15‑1∶30，pH值控制在9‑13，蜡膜厚度控制在1‑3μm；(6)进行清洗检测；(7)进行边缘形状评估。

摘要：本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。

摘要：本发明公开了一种8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装及方法。工装包括铝质基体、开设在铝质基体中央位置的装配孔、设置在铝质基体外周上的磨削区，在该磨削区嵌刻有多个T型磨削槽，所述T型磨削槽的内径从磨削槽口至顶端逐渐变小，整体呈弧形形状，该弧形形状与硅抛光片倒角的目标形状相同。方法包括以下步骤：(1)根据8英寸硅抛光片边缘T型轮廓要求，设计工装磨削槽；(2)通过装配孔将工装安装在硅抛光片边缘倒角加工专用设备上；(3)对8英寸薄硅抛光片边缘进行磨削加工，得到符合要求的T型边缘轮廓。本发明可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。