摘要：本发明公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1)，SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2)，深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本发明通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果；同时通过LP‑SiO2‑Spacer层的刻蚀可以使浅P+grid层在加工时无需单独光刻成型，进而相比现有的SiC二极管加工工艺能够减少一层光罩，具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。

摘要：本发明公开了一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法,包括N型硅衬底层(1)，N型硅衬底层(1)表面分布有若干沟槽(2)，沟槽(2)内侧设有P+衬底结构(3)，N型硅衬底层(1)的外部设有N型硅外延层(4)，N型硅外延层(4)的内侧将沟槽(2)完全填充。本发明通过在N型硅衬底层表面形成的沟槽和P+衬底结构的配合，能够有效提高FRD二极管的反向恢复时间和高温可靠性，并避免对产线造成的污染；同时，沟槽的设置还能够提高FRD二极管的电流密度，从而在提高性能的基础上弥补因工艺造成的正向导通压降增大问题，使本发明同时具有反向恢复时间短、无产线污染和正向导通压降小的特点。

摘要：本发明公开了一种高正向浪涌电流能力的SiC二极管及加工工艺,包括SiC层(1)，SiC层(1)上设有若干第一沟槽(2)，第一沟槽(2)的中部上端设有第二沟槽(3)，第二沟槽(3)内填充有浅P+grid层，第一沟槽(2)和第二沟槽(3)之间填充有深P‑grid层，SiC层(1)的外部设有离子注入层(4)。本发明能够进一步提高SiC二极管的正向浪涌电流能力。

摘要：本发明公开了一种碳化硅半导体芯片高温检测装置，包括检测箱，检测箱的顶部安装有横向移动装置，横向移动装置连接有升降装置，升降装置的底部安装有吸盘夹爪，检测箱的顶部在横向移动装置的内部下侧设有传输装置，检测箱内侧底部安装有旋转机构，旋转机构的顶部安装有托盘，托盘顶部均匀的安装有若干检测座，检测座内设有插接槽，插接槽内安装有检测器，检测器连接有控制面板，检测座的内侧底部安装有温度传感器，检测箱的顶部一侧安装有气缸，气缸的动力输出端连接有导向组件，导向组件滑动安装在检测箱上，导向组件的底部安装有加热机构，加热机构设置在检测箱的内侧，检测箱的顶部另一侧安装有隔离机构。

摘要：本发明公开了一种便于调节半导体芯片切割角度的划片装置，包括机座，机座的内部右侧设有安装腔，安装腔顶部安装有网孔板，网孔板的底部安装有步进电机，步进电机的外侧设有防水壳，防水壳安装在网孔板的底部，步进电机的动力输出端连接有定位装夹座，安装腔在网孔板的下侧安装有过滤板，安装腔的内侧底部安装有水箱，机座的顶部在收纳腔与安装腔之间安装有分隔板，机座的顶部外侧安装有机罩，机罩与分隔板之间在定位装夹座的上侧形成划片腔，划片腔内部安装有第一三轴移动装置，第一三轴移动装置的输出端安装有划片罩，划片罩的一侧安装有保护壳，保护壳内安装有伺服电机，伺服电机的动力输出端连接有金刚砂轮，金刚砂轮安装在划片罩内。

摘要：本发明属于焊接装置技术领域，公开了一种功率器件固晶焊接装置，包括上料输送带、下料输送带、三轴移动机构和料架，所述上料输送带和所述下料输送带均设有一组转料机构和一组转角机构，所述三轴移动机构输出端安装有抓料机构，所述三轴移动机构下侧安装有两组移料机构，两组所述移料机构之间安装有锡盘机构，对应所述下料输送带上的所述转料机构位置的所述移料机构安装有加热机构；所述料架一端开口，所述料架包括上料料架和下料料架，所述上料料架置于所述上料输送带，所述上料料架放置有置件板，所述下料料架放置有产品板；公开了一种功率器件固晶焊接方法，包括如下使用步骤：S1、备件；S2、调试；S3、启动。