摘要：提供了一种电子部件(1)，它含有电子元件(2)和安装电子元件(2)的基片(3)，电子元件(2)和基片(3)通过至少三个块(4)彼此电气或机械地连接。将连接于电子元件(2)的块(4)的总连接面积除以电子元件(2)的质量所得的值，以及将连接于基片(3)的块(4)的总连接面积除以电子元件(2)的质量所得的值都至少为8.8mm²/g。

摘要：与参考测量系统不精确一致的实际测量结果被校正到与参考测量系统的测量结果相同的级别上。在参考测量系统和实际测量系统分别测量校正数据获得样本的电学特性以后，获得了实际测量系统的测量结果与参考测量系统的测量结果之间的关系等式。这样，通过将实际测量系统测量的目标电子元件的电学特性代入到关系式中进行计算，目标电子元件的电学特性就能够被校正为假定由参考测量系统所获得的电学特性。

摘要：本发明在于提供一种开关变压器，特别是，线圈的作业性良好，且容易获得与电路的匹配，使用容易的开关变压器。其构造为：线圈架结构采用由初级线圈架(1)，以及其内部收容该初级线圈架(1)的次级线圈架(2)形成的双组件结构。另外，在外侧的次级线圈架(2)的卷筒部(17)的外周，以适当间隔，形成有多个凸缘(18)，作为所谓的多凸缘型的开关变压器，在这些凸缘(18)上的适当位置，形成多个搭接槽(18a)，以便能够引出次级线圈(19)的引出线。

摘要：在具有ASK调制和QPSK调制功能的无线通讯设备中，其中该设备可以低成本制造且尺寸不大，QPSK调制器(5)的一个输出终端(5Q)通过开关(15)与ASK调制器(1)的载波输入终端(1A)相连。并且，天线(4)通过开关(16)与ASK调制器(1)的输出终端(1C)相连。此外，在开关(15)和(16)之间设置混频器(13)。开关(15)在发送时连接QPSK调制器(5)和ASK调制器(1)，而在接收时它连接QPSK调制器(5)和混频器(13)。开关(16)在发送时连接ASK调制器(1)和天线(4)，而在接收时连接天线(4)和混频器(13)。由此，在发送时，使用ASK调制器(1)和QPSK调制器(5)输出ASK-调制波或QPSK-调制波。在接收时，由QPSK调制器(5)输出正弦波，数据信号被混频器(13)向下转换、检波或解调制。

摘要：环形谐振元件包括各导线2a、2b和2c，各导线沿环的一周周长在衬底1上形成。各导线2a、2b和2c具有两个端部，它们附加地延伸并被定位以便它们在宽度方向上紧密相邻。各环形谐振元件以同心方式布置。电容部分形成的区域中，各导线两端被定位彼此紧密相邻，而各导线的其它部分充当电感部分。各导线如半波传输线一样工作，其两端均为电开路的。不需要在衬底形成导线的表面相对的表面上形成接地电极。因此，可以用很小数量的组成元件来形成谐振器。从而可以以合理低的成本生产具有小尺寸和高导体Q因子的谐振器、滤波器、天线共用器、以及通信装置。

摘要：本发明提供的介电陶瓷组合物具有极低的温度依赖性；该组合物可以在还原气氛下焙烧，有利于在由非贵重金属，如镍或镍合金形成的内电极的层叠的陶瓷电容器上使用。该介电陶瓷组合物可由{Ba_1-xCa_xO}_mTiO₂+αMgO+βMnO表示，其中0.001≤α≤0.05；0.001≤β≤0.025；1.000＜m≤1.035；0.02≤x≤0.15。还公开了由该介电陶瓷组合物形成的电容器及其制备方法。

摘要：公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

摘要：一种不可逆电路装置包括磁铁和中心电极。中心电极包括具有第一表面的非磁性基片(所述第一表面具有槽)，配置在非磁性基片的第二表面上的磁体以及中心电极导体，一部分中心电极导体配置在槽中。磁铁给磁体施加直流电磁场，并且邻近磁体放置。

摘要：一种压电元件，包含一个埋在压电陶瓷体内的、在该压电体的纵方向上延伸的内电极。在该压电陶瓷体的上下表面上在沿该纵方向的第一至第三部分内形成第一至第三表面电极。形成备连接电极，以便使其把第一至第三表面电极相互连接起来。第一至第三部分的极化方式是使第二部分的极化方向与第一和第三部分的极化方向相反，并且在第一至第三部分的各个部分内使位于内电极之上和之下的区域在相反的方向上进行极化。

摘要：一种多层电感器，包括放置在多层体上部的两层中的第一和第二导电线圈图样，并且所述的导电线圈图样通过在绝缘层中形成的通孔与放置在多层体下部的第三和第四导电线圈依次连续地进行电连接，从而形成一个螺旋形线圈。第一导电线圈图样的边缘和第二导电线圈图样的边缘相互重叠。第四导电线圈图样的边缘和第三导电线圈图样的边缘相互重叠。