摘要：一种工艺过程，用来制作单晶铌酸锂薄膜或单晶钽酸锂薄膜材料。在进行晶片键合后，利用离子注入造成损伤层的晶格强度降低，以及二氧化硅层与铌酸锂(钽酸锂)晶体热膨胀系数的差别，选择合适的热处理过程，在晶片组内部形成应力，从而将薄膜剥离。采用此工艺过程可大大降低离子注入剂量，从而降低生产成本，提高薄膜质量。

摘要：本发明提供一种薄膜和制造薄膜的方法，所述方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余料层之间，注入离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；将键合体放入预定容器内以对键合体进行加热，使得薄膜层和余料层分离；在薄膜层和余料层分离之后，在预定容器内以高压的气氛的条件继续对薄膜层和目标基板加热达预定时间。本发明能大大减小薄膜的缺陷密度，制作出大尺寸、晶片面积大、纳米等级厚度、膜厚均匀的薄膜。

摘要：本发明公开了一种在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法，该方法包括通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面；对离子注入后的原始基板进行加热；使基底与原始基板的薄膜层接触，进而在室温下利用晶片键合法将原始基板与基底键合在一起，以形成键合体，其中，基底的热膨胀系数与原始基板的热膨胀系数不同；在低于190℃的条件下对键合体加热达预定时间，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，对薄膜层进行退火处理。本发明实现了在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制作薄膜，并且可以制备出大尺寸、纳米级厚度、膜厚均匀、低缺陷密度的薄膜。

摘要：本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，该方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法，可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

摘要：本发明公开了一种设置在基底上的薄膜及其制备方法，本发明设置在基底上的薄膜包括基底层和薄膜层，薄膜层的厚度为10~30×10³纳米，基底层材料和薄膜层材料的热膨胀系数不同；制备方法为先制备在同种材料基底上的薄膜层，薄膜层和同种材料基底之间有一层牺牲层，然后将薄膜层键合到目标基底上，再将牺牲层去除，最终得到目标基底上的薄膜层；本发明的薄膜为基底材料和薄膜材料的膨胀系数差别较大时，形成的膜厚均匀，缺陷密度低的薄膜层，薄膜的厚度达到纳米级；通过在不同材料上制备的薄膜，能实现各种材料生产工艺和生产线的兼容，可以将基底材料的半导体器件和薄膜器件进行集成，提高薄膜材料的可加工性能，进而生产出性能优良的新型器件。

摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。

摘要：本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景。此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。

摘要：本发明公开了一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括基底层和位于基底层上的功能层，所述的基底层为硅基底；所述的功能层为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜；制备方法采用将键合体先研磨再退火，然后抛光的方式制备出目标厚度的硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜，采用该方法制备的单晶薄膜不仅能够保持钽酸锂或铌酸锂材料的特性，薄膜与硅基底的键合界面清晰，而且能制备出大尺寸、微米级厚度、低残余应力和低缺陷密度的单晶薄膜；该制备方法克服了当前技术中键合体是不同材质退火时产生的形变。

摘要：提供了一种纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间，其中，第一过渡层包含一定浓度的H元素。

摘要：提供一种制造用于声表面波器件的复合压电衬底的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有抛光表面的硅晶圆和压电晶圆，并对其进行半导体级清洗；形成第一键合体；将第一键合体中的压电晶圆依次进行减薄和抛光处理；对减薄和抛光后的第一键合体中的压电晶圆进行离子注入；形成第二键合体；加热第二键合体，以实现压电晶圆的热分离，从而得到复合压电衬底和第三键合体；对复合压电衬底进行退火。回收热分离后得到的第三键合体，从而提高原材料的利用率。