摘要：一种栅源侧台保护的功率器件及其制造方法，包括金属底层、硅片、栅氧层、多晶硅层、热氧化层、热氧化侧台，所述硅片被热氧化作为栅氧化层，其中多晶硅层下方生长第一氮化硅层作为多晶硅下保护层，生长多晶硅充任栅极导电层；所述热氧化生成多晶硅层上面二氧化硅层再生长第二氮化硅层作为多晶硅上保护层；所述热氧化多晶硅层侧部形成隔离栅极和源极的热氧化侧台。本发明具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，利用氮化硅在氧气气氛下氧化速率远低于硅或者多晶硅的氧化速率的特点能使栅极和源极能够有效地短路，具有非常好的绝缘性能，大大的提高制造成品率。

摘要：本发明公开了一种栅源和栅漏过压保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极和漏电极，其中；还包括一P+区域和一N+区域，所述P+区域和所述N+区域分别设置在所述源电极的源区上。本发明各电极保护效果好，具有过压保护，栅区不容易损坏，结构和制造工艺均较简单，使用寿命长。

摘要：一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法，通过对硅片进行氧化，涂覆过程中在硼乳胶源中加入光刻胶，在硼乳胶源和光刻胶混合后并将二者放入搅拌皿中进行充分的搅拌，从而得到乳胶源涂覆液，其中光刻胶在高温碳化从而随扩散过程中的携带气体去除，得到需要的硼区杂质浓度分布。本发明操作简便，设备简单，适于大批量生成，该方法扩散参数可以随意控制调整，掺杂浓度可调，通过在硅片上扩散氧化生成二氧化硅氧化层，控制氧化的厚度精度，达到精确控制扩散杂质的浓度，简化工艺流程，降低生产成本。产品的成品率可提高20%以上，特别适用于中低档半导体厂家批量生产，有显著的经济效益。

摘要：本发明公开了一种栅源侧台保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层，所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层；所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上，并且，所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上，作为所述多晶硅的上保护层；所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面，作为所述多晶硅层的下保护层；所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和源电极之间，用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。本发明对栅源之间具有保护作用，防止短路，增加栅源绝缘性能，结构简单，工艺也较简单，产率较高。

摘要：本发明公开了一种低电容的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于；所述栅氧化层和所述多晶硅层之间，还设置一热场氧化层，所述热场氧化层的厚度为9500-11500埃。本发明具有低电容、驱动功率较低、栅区不容易损坏、使用寿命长。

摘要：本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的阀值抖频控制系统和方法，阀值抖频控制系统通过设置一与逐周期限流单元连接的限流阈值抖动单元，逐周期限流单元设置电阻和比较器，限流阈值抖动单元设置振荡器、分频器和若干组电流源和开关，限流阈值抖动单元会产生一个周期性的电流信号来调节恒流频率控制单元，使系统工作于恒流模式时，其工作频率在一定的范围内周期性抖动，以分散电磁干扰EMI能量，从而大幅降低EMI，并且，使阀值抖频控制系统的恒流特性不受频率抖动的影响；所述阀值抖频控制方法与所述阀值抖频控制系统相对应。

摘要：本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的空载控制系统，包括控制芯片、变压器、NMOS管，控制芯片设置PWM控制及线补偿单元；PWM控制及线补偿单元一输入端与输出电压侦测采样单元连接，另两个输入端分别与反馈信号引入脚FB和原边电流侦测信号引入脚CS相连接；PWM控制及线补偿单元输出端、逐周期限流单元分别通过或门逻辑与RS触发器连接。本发明PWM控制及线补偿单元产生中轻载时的PWM控制模式，使得每个周期的原边峰值电流随负载的降低而降低，利于降低中轻载时的系统噪声，其还对最低的原边峰值进行线补偿，使系统在宽的输入电压范围内均具有极低的待机功耗，或门逻辑可以实现PWM与PFM控制模式的平滑转换。

摘要：本发明公开了一种原边反馈AC-DC开关电源的抖频控制系统，包括控制芯片、变压器、NMOS管；控制芯片还包括一频率抖动单元，频率抖动单元与控制芯片内的恒流频率控制单元连接；频率抖动单元设置抖频控制电流产生电路，抖频控制电流产生电路包括振荡器、分频器、若干组电流源和开关；恒流频率控制单元包括充电电流源、放电电流源、第一开关、第二开关、反相器、电容和比较器。本发明通过在控制芯片中引入适当的频率抖动，使抖频控制系统的工作频率在一定的范围内周期性地抖动，从而使电磁干扰的能量分散于整个抖频范围内的频率段，而不是集中于某个频率点，从而使抖频控制系统具有很低的电磁干扰，其恒流特性不受频率抖动的影响。

摘要：本发明公开了一种反激式AC-DC转换器，其在AC-DC控制芯片中加入了线电压侦测与补偿模块，该线电压侦测与补偿模块通过间接地侦测线电压，产生一个随线电压变化而变化的补偿量，该补偿量被叠加在反馈信号上，线电压越大，则该叠加上去的补偿量也越大，这样经过线电压补偿后的反馈信号，再去控制与调节线性降频，从而使开始降频的负载点和降频曲线的斜率在宽的输入线电压范围内（85-264V）都几乎保持一致，从而在提高转换效率的同时，获得最佳的电磁干扰性能。

摘要：本发明提供一种双绕组单级原边反馈的LED灯驱动电路，其采用源极驱动技术的LED驱动芯片，并通过外部第一功率管源漏极的寄生电容来间接侦测消磁时间Tons（即副边导通时间）；还通过固定原边导通时间Tonp的控制方法来实现很高的功率因素，缓解电网压力；通过副边导通时间与原边电流峰值的关联技术，实现了输出LED的开路保护；此外，由于LED驱动芯片具有极低的工作电流，可通过第一电阻直接由线电压供电，从而省略了现有原边反馈LED驱动电路所需要的用于给LED驱动芯片供电和消磁时间、输出电压侦测的辅助绕组，变压器只需要原边绕组和副边绕组，简化了变压器的制造工艺流程，进一步降低了成本。