摘要：本发明公开了一种高透气性可降解的载药皮肤创伤敷料及其制备方法和设备，属医用新材料技术领域。本发明所述的高透气性可降解的载药皮肤创伤敷料包括组分（重量百分数）：壳聚糖乳酸盐45～50%；透明质酸钠45～50%；抗生素5～10%。本发明以壳聚糖乳酸盐与透明质酸钠的复合材料为基材，并载上抗生素药物的多孔性生物活性敷料。通过特殊冷冻工艺使敷料具有垂直的孔道、高透气率、高吸水性和保湿性，从而增加创面的通透性，在保持创面水份不会过度蒸发的同时又能够及时吸收多余的渗出液。对创面的治疗起着长期而有效的作用，从而避免了频繁地换药给患者造成的痛苦。

摘要：本发明涉及一种高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元仅由一个P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)、一个源极跟随晶体管(M11)和一个选择晶体管(M12)组成；对应像素阵列工作方法包括：重置：施加高正电压的选择控制信号(Φ12)和重置控制信号(Φ11)，以激活P+/N-Well/P-sub结构的二极管为节点充电；光集成：在一个固定光照集成时间内将Φ12和Φ11都置为低正电压，所述二极管中N-Well/P-sub部分积聚光产生载流子，所述节点放电；读出：在光集成后，只将Φ12改置为高正电压，对应所述载流子的光感信号通过M11和M12被列总线读出。

摘要：本发明涉及一种高填充系数的CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元包括仅一个P+端电连接控制信号的P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)和仅一个射极连接读出总线的源极跟随晶体管(M1)；对应像素阵列工作方法包括：清零：运作时，对全体像素单元施加一个负电压，清除内部节点电荷；重置：在指定像素列施加高的正电压，以激活N1为节点充电；读出：将控制信号置零，在一个固定光照集成时间后，光感信号将通过M1被读出；置零：在读出操作后，施加高负电压的控制信号，使M1失效，并通过N1的结电容将感应节点电荷释放至零；截止：将控制信号置零，这将使像素单元输出被截断，直至下一个重置。

摘要：本发明涉及一种超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法，其中像素单元包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)以及中间接点与第二输出端之间的射极互连的集电极接地的源PMOS跟随晶体管(M4)和NMOS管(M5)，M2集电极接偏置电压(Vdd)，M4集电极接地，M3、M5基极电连接选择信号(RS)；对应电压输入输出方法包括：施加VDD＞VIP+VIN+2Vdsat的输入偏置电压，VIP是M2的阈值电压，VIN是M5的阈值电压，Vdsat是经过源电流的电压；第一和第二输出端共同构成了输出电压Vout，Vdsat＜Voutput＜VDD-Vdsat。

摘要：本发明涉及一种尤其适用于纳米FinFET场效应晶体管的阈值电压提取方法，包括：选择三点不同漏-源电压Vds，将栅-源电压Vgs从-0.5伏扫描到+1.5伏，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids-Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+1.5伏，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids-Vds；将漏-源输出电流Ids对Vds求导，得到输出电导特性曲线Gout-Vds，再在线性区内选二点获取对应直线的截距和斜率；提取场效应晶体管的阈值电压Vth，这种方法实现简单，在低Vds下对偏置波动不敏感，能抑制小尺寸器件引起的短沟效应和超薄体效应。

摘要：本发明涉及一种独立栅控制的纳米线隧穿场效应器件，由控制栅电极(2)、调节栅电极(1)、源区(6)、漏区(7)、沟道区(5)、调节栅介质层(3)和控制栅介质层(4)组成，成轴对称：调节栅电极位于中心；沟道区及其两侧的源区和漏区与调节栅电极通过调节栅介质层电隔离，并同轴全套入调节栅电极；沟道区、源区和漏区的总长度与调节栅电极和调节栅介质层的长度都相等；控制栅电极与沟道区通过控制栅介质电隔离，并同轴全套入沟道区；控制栅电极、控制栅介质层和沟道区的长度都相等。这种晶体管，引入调节栅电极使其工作于独立栅控的条件下，能动态调节阈值电压，降低电路功耗，而工作于共栅条件下，能提高器件的电流开关比和驱动能力。

摘要：本发明涉及一种放大器的弱非线性失真计算方法，包括：设定电路元件的初始值，同时将每一个非线性单元描述为线性单元并联一个电流源；由低到高依次计算一阶、二阶和三阶的电流和电压并保存，高阶的电流和电压的计算使用已经保存的低价数据；利用一阶、二阶和三阶的电流和电压计算Volterra泛函级数序列的失真。这种弱非线性失真计算方法，在保证高速通讯信号品质的同时，大幅度缩短了二极管桥式开关结构放大器弱非线性失真计算耗时，改善超高带宽无线接收器性能。

摘要：本发明公开一种用于语音增强系统的背景噪声估计方法，包括如下步骤：对目标信号利用窗函数分成相互叠加的帧并对每帧进行短时傅立叶变换，得到目标信号的频域表示：Y(k,l)=X(k,l)+D(k,l)；将所述目标信号根据语音出现与否划分为语音出现状态H1(k,l)和语音缺失状态H0(k,l)，并按照如下公式分别估计噪声上述方法中，引入了残差噪声In(k,l)，残差噪声In(k,l)的本质是在噪声估计算法中引入反馈机制对估计的噪声进行自适应调节，因此解决了在语音出现状态下的噪声估计不准确的问题。

摘要：本发明涉及一种快速估算集成电路良率的计算方法，包括：根据待分析集成电路中电路单元内的元件或者关键元件确定输入的原始参数变量并正交化，所述参数变量的个数Y为对电路特性最敏感的工艺参数的数量；由归一化高斯分布的原始采样点确定rmax，使其在Y维空间的chi分布的累积分布函数值等于设定的采样精度；在半径为rmax的超球体内获取均匀分布的M个采样点；基于M个采样点计算所述电路单元的失效概率。这种快速估算集成电路良率的计算方法，在失效区域的搜索上更加准确可靠，仿真研究结果表明：在效率，精度和失效区域搜索上有良好的折中，能快速有效估计数字电路的良率，大幅提高效率。

摘要：本发明涉及一种微纳米结构滤波器、滤波器超元胞、CMOS数字图像传感器，微纳米结构滤波器为金属层和介质层组成的多层结构，滤波器超元胞为微纳米结构滤波器形成的4X4矩阵，若干超元胞在横向与纵向呈周期阵列分布形成CMOS数字图像传感器。本发明的CMOS数字图像传感器是完全集成的CMOS芯片，具有同时光谱成像与偏振成像的功能；其中，成像用光谱滤波功能和偏振滤波功能都由微纳米结构滤波器实现，通过优化设计各像素的微纳米结构滤波器与像素阵列的排列方式，可以在一块CMOS芯片上通过分别组合特定的像素同时实现光谱成像与偏振成像；相比于现有成像设备，本发明的数字图像传感器具有多功能成像、高集成度和高可靠性的优点。