摘要：本发明涉及一种螺杆压缩机机体结构及螺杆压缩机。该螺杆压缩机机体结构包括壳体与腔体，所述壳体为中空筒形，所述腔体置于所述壳体的内部；所述腔体包括阳转子腔、阴转子腔与滑阀腔，分别用于放置阳转子、阴转子与滑阀；在所述阳转子腔、所述阴转子腔与所述滑阀腔的外壁上分别设置第一支撑筋、第二支撑筋与第三支撑筋，用于在所述腔体与所述壳体之间增加隔音腔。其达到提高双层壁在机体中占有比值的目的。

摘要：本发明涉及一种排气轴承座、螺杆压缩机及空调机组，其中，排气轴承座包括排气腔，所述排气腔上设有排气口，所述排气腔被构造成具有多个转弯结构，排气气流在所述排气腔中能够多次改变方向，最后从所述排气口排出，所述排气口的开口朝向这样设置，即在所述排气轴承座被罩设在壳体内的情况下，使由所述排气口排出的气体具有沿所述壳体的内壁且围绕所述壳体的轴线做旋转流动的分量。本发明提供的排气轴承座能够从离心作用、均匀流场、撞击分离等多个方面，起到提高油分效率的作用。

摘要：本发明涉及一种油分桶、螺杆压缩机及空调机组，其中，油分桶内设有油分滤结构，所述油分桶包括油分离腔和排气口，排气气流通过所述油分滤结构过滤后，进入所述油分离腔，最后从所述排气口排出，至少部分所述油分离腔具有双层或双层以上的周向壁，排气气流在具有双层或双层以上的周向壁的油分离腔中多次转向流动，能够均匀流场，降低噪声和振动，且排气气流多次撞击油分桶的周向内壁面，能够进一步提高油分效率。

摘要：本申请提供了一种晶圆测试的控制方法、控制装置、存储介质和电子设备。该控制方法包括：在探针卡的探针与晶圆接触的情况下，接收探针台发送的第一启动信号，其中，探针卡中具有气体通道，气体通道连接有阀门，以使得气体通道在阀门开启的情况下输送保护气体；根据第一启动信号控制阀门开启，并对晶圆上的第一待测器件进行晶圆测试；在完成对第一待测器件的晶圆测试的情况下，关闭阀门；通知探针台将晶圆移动至第二待测器件，以使第二待测器件和探针接触，并对第二待测器件进行晶圆测试。通过本申请，减少了保护气体与探针卡的接触时间，使得探针卡上的元器件和探针的温度降低，实现了增加探针的寿命的目的。

摘要：本发明提供了一种MPS二极管及其制作方法。该MPS二极管包括：半导体基底，包括顺序层叠的半导体衬底、第一外延层和第二外延层，第一外延层的厚度大于第二外延层的厚度，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度，且半导体基底具有第一掺杂类型；掺杂区，自第二外延层远离第一外延层的一侧表面延伸至第一外延层中，掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反；沟槽结构，自掺杂区远离半导体基底一侧的部分表面延伸至掺杂区中；欧姆接触层，至少覆盖沟槽结构的侧壁和底部。通过本申请，增加了MPS二极管中的欧姆接触层与掺杂区的接触面积，从而能够有效提高器件的抗浪涌能力，使得MPS二极管的性能得到大幅度提升。

摘要：本发明提供了一种碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构，该方法包括：提供第一基底层，其中，第一基底层的材料为碳化硅；对第一基底层的表面进行第一热氧化处理，形成第一氧化层，并去除第一氧化层，得到第二基底层；对第二基底层的表面进行第二热氧化处理，形成第二氧化层，并去除第二氧化层，得到第三基底层，第二热氧化处理的温度小于第一热氧化处理的温度，第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度；对第三基底层的表面进行第三热氧化处理，形成栅氧化层，第三热氧化处理的温度小于第二热氧化处理的温度。该方法解决了栅氧化层进行热氧化过程中在界面处形成C残留，导致沟道迁移率退化并影响栅氧化层性能的问题。

摘要：本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法，该装置包括图形结构和定位结构；图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各淀积孔贯穿淀积面和定位面；定位结构与图形结构连接，定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行，且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了欧姆接触的检测工序，且能够缩短检测的时间，在产品出现异常时，能够更快地发现，减少受影响的产品的数量。

摘要：本发明提供一种半导体金属淀积装置及简易欧姆接触测试方法，该装置包括图形结构和定位结构；图形结构具有相背设置的淀积面和定位面，图形结构按预设图形形状沿预设方向开设有若干淀积孔，且各淀积孔贯穿淀积面和定位面；定位结构与图形结构连接，定位结构用于对待淀积的半导体晶圆定位，以使得半导体晶圆与图形结构的定位面平行，且对齐图形结构的各淀积孔。通过图形结构上的具有预设图形形状的淀积孔对半导体晶圆进行金属淀积，使得该半导体晶圆无需经过光刻、刻蚀的工序步骤，有效地精简了欧姆接触的检测工序，且能够缩短检测的时间，在产品出现异常时，能够更快地发现，减少受影响的产品的数量。

摘要：本申请涉及一种托盘组件，托盘组件包括：托盘和提手，包括托盘和提手，所述托盘包括沿厚度方向相背设置的第一放置面和第二放置面；提手可枢转地连接于托盘的外周壁，提手的旋转轴线平行于第一放置面，提手具有第一位置和第二位置，当提手位于第一位置时，提手的远离旋转轴线的一端位于第一放置面的一侧，当提手位于第二位置时，提手的远离旋转轴线的一端位于第二放置面的一侧。根据本申请实施例的托盘组件，通过设置第一放置面和第二放置面，可以提高托盘的利用率。同时，提手的旋转轴线平行于第一放置面和第二放置面，可以使提手相对于第一放置面和第二放置面翻转，进而可以使得提手的灵活度高，可以根据实际需求转动提手来拿取或放置托盘。

摘要：本申请提供的一种SIC IGBT的制造方法和SIC IGBT。其中，SIC IGBT的制造方法包括：提供第一导电类型的衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，在衬底的第一表面形成间隔设置的凹槽；在凹槽内填充第二导电类型的半导体材料，在衬底的第一表面上外延形成第一导电类型的漂移层，漂移层覆盖第二导电类型的半导体材料，在漂移层上外延形成第二导电类型的外延层；从衬底的第二表面开始减薄衬底至露出第二导电类型的半导体材料，在露出的第二导电类型的半导体材料上通过离子注入第一导电类型的离子而形成掺杂区；在掺杂区上形成第一金属层，并在第二导电类型的外延层上形成第二金属层；其中，第一导电类型和第二导电类型不同。本申请提供的SIC IGBT的制造方法，节约了制造成本。

摘要：本申请公开了一种欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件。该欧姆接触电极包括：欧姆接触层，具有第一表面；阻挡结构，位于欧姆接触层的具有第一表面的一侧，且阻挡结构包括沿第一方向顺序层叠的多层阻挡层，多层阻挡层中位于最外侧的阻挡层的体积密度大于其余阻挡层的体积密度，第一方向为背离第一表面的方向；电极层，位于阻挡结构背离欧姆接触层的一侧。采用本申请的电极结构，通过两侧高致密性的阻挡结构设计，能够分批次阻挡欧姆接触层和电极层中材料的相互扩散，实现了应力的逐层释放，提高了膜层质量，从而保证了电极结构的稳定性。