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发明专利:67实用新型: 29外观设计: 0
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1:[发明] 基板处理装置
申请号:202311004440.X 公开号:CN117587382A 主分类号:C23C16/44
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.08.10 公开日:2024.02.23
摘要:本发明涉及基板处理装置,其包括:处理室,其内部形成有内部空间;基座,其用于在所述内部空间放置基板,并与所述处理室的侧面隔开布置;喷淋头,其从放置于所述基座的基板的上侧供给工艺气体;抽气通道,其以沿着所述处理室的底面的周围连续的环状,在所述处理室的底面向下凹陷地形成,且形成有与所述内部空间连通的抽气孔;以及排出通道,其用于将流入到所述抽气通道的气体排出。该基板处理装置由于在处理室的内部空间的底面形成抽气通道,从喷淋头供给的工艺气体先往基板流动之后,再通过基座与内部空间的侧面之间的缝隙往铅直方向流动,使基板周边的气体保持稳定且恒定的流动,能够在基板的整个表面上均匀地进行处理工艺。
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2:[发明] 基板处理装置
申请号:202311008057.1 公开号:CN117594481A 主分类号:H01L21/67
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.08.10 公开日:2024.02.23
摘要:本发明涉及基板处理装置,其包括:处理室,其内部形成有内部空间;基座,其用于在所述内部空间放置基板;喷淋头,其从放置于所述基座的基板的上侧供给工艺气体;抽气通道,其在所述处理室的侧面以连续的环状凹陷形成,并通过抽气孔与所述内部空间连通地形成;缓冲通道,其与所述抽气通道之间隔着分隔壁且通过形成于所述分隔壁的贯通孔连通;排出通道,其与所述缓冲通道连通地形成,当被施加吸入压时,将通过所述抽气孔从所述内部空间流入到所述抽气通道的气体经过所述贯通孔和所述缓冲通道排出。该基板处理装置通过以基板为中心使吸入到抽气通道的气体量在处理室周围方向上保持均匀,从而可使基板处理工艺在整个基板表面上均匀地进行。
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申请号:202311025460.5 公开号:CN117594482A 主分类号:H01L21/67
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.08.15 公开日:2024.02.23
摘要:本发明涉及基板处理装置。本发明提供一种基板处理装置,其包括:第一工艺腔室,其用于执行基板的第一处理工艺;第二工艺腔室,其用于执行基板的第二处理工艺;共同排出通道,其用于排出从所述第一工艺腔室排出的第一工艺气体和从所述第二工艺腔室排出的第二工艺气体;以及调节单元,其在所述共同排出通道的一部分区间,分隔所述共同排出通道的流动截面而形成供所述第一工艺气体流动的第一排出通道的至少一部分及供所述第二工艺气体流动的第二排出通道的至少一部分,并调节所述共同排出通道中所述第一工艺气体和所述第二工艺气体汇合的位置,从而确保基板处理工艺的可靠性。
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申请号:202311050046.X 公开号:CN117587385A 主分类号:C23C16/455
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.08.17 公开日:2024.02.23
摘要:本发明涉及一种基板处理装置的气体歧管,提供一种基板处理装置的气体歧管,其用于从供气源向进行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体,包括:金属材料的供给配管,其从所述供气源沿上下方向延伸至分配体;金属材料的流入配管,其与所述工艺腔室连接,用于使所述工艺气体流入所述工艺腔室的内部;陶瓷材料的输送配管,其介于所述分配体与所述流入配管之间,用于将通过所述供给配管传递来的工艺气体输送至所述流入配管,能够抵消根据温度变化而引起压缩或者拉伸位移导致的热应力,从而提高耐久寿命。
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申请号:202311333709.9 公开号:CN117912990A 主分类号:H01L21/67
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.10.16 公开日:2024.04.19
摘要:本发明的基板处理装置包括:工艺腔室,其内部设置有内部空间;喷淋头,其用于向所述内部空间提供工艺气体;基板支撑台,其可上下移动地设置,且在所述内部空间执行基板的处理工艺期间将所述基板搁置于支撑面;RF电力施加部,其用于向等离子体电极施加RF电力,以在所述喷淋头与所述基板支撑台之间生成等离子体;负荷测量部,当利用等离子体处理所述基板的工艺结束的状态下,在所述基板支撑台向下方移动的期间,测量所述基板支撑台向下方移动所需的负荷;控制部,其根据所述负荷测量部的负荷测量值,感测所述基板是否为附着于所述基板支撑台的状态,从而短时间内将基板无损伤地从基板支撑台分离,进而缩短基板移送时间并防止基板损伤。
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申请号:202311338248.4 公开号:CN117912925A 主分类号:H01J37/32
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.10.16 公开日:2024.04.19
摘要:本发明涉及一种基板处理装置的供气结构体,在具有与从气体供给源沿上下方向延伸的供应管道连通的上方通道;以及与连接到各工艺腔室的移送管道连通的分支通道的分配体的分支位置上,利用密封状态的旋转轴旋转调节板来设定旋转位置,并利用机械工具进行固定,即使存在气体管道的尺寸误差和连接部中的组装误差等,也能够均匀地控制从一个气体供给源向至少两个工艺腔室提供工艺气体时单位时间的供给量。
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申请号:202311342791.1 公开号:CN117917749A 主分类号:H01J37/32
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.10.17 公开日:2024.04.23
摘要:本发明提供一种基板处理装置,即使因第一供气管和第二供气管的尺寸和组装公差带来的流动阻力的偏差,导致第一供气管和第二供气管中提供的工艺气体的单位时间供给量互相不同,也能够通过将从配置于工艺腔室下部的一个气体供给源延伸的第一垂直供应管和第二垂直供应管在腔体的上侧区域进行相互连通的连接管,最小化各工艺腔室中提供的工艺气体的单位时间供给量的偏差,从而能够均匀地调节第一工艺腔室和第二工艺腔室中提供的工艺气体的单位时间供给量。
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申请号:202311405699.5 公开号:CN117947407A 主分类号:C23C16/455
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.10.26 公开日:2024.04.30
摘要:本发明涉及气体喷射器及具有该气体喷射器的基板处理装置,该基板处理装置用的气体喷射器用于向执行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体,其包括:气体供应管,形成有沿上下方向的通道,且下端设置有吐出口;气体注入口,用于注入工艺气体,以在所述气体供应管中产生向下方的涡流;气体分散部,配置于所述气体供应管的下端部,用于分散涡流。在向基板支撑台的上侧提供工艺气体的过程中,将涡流作为基本流动形态,并使通过下端部的气体分散部的扩散孔吐出的工艺气体从半径外侧方向朝远处扩散,使通过气体喷射器提供的工艺气体均匀地扩散到更大的面积,从而在各种基板处理工艺中能够在基板的整个表面上获得均匀的处理效果。
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申请号:202311575484.8 公开号:CN118169034A 主分类号:G01N21/01
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.11.23 公开日:2024.06.11
摘要:本发明涉及一种工艺腔室的光学检查装置用夹具,包括:外壳,前方端部形成入射孔,在后方下面形成射出管;透镜,设置在所述外壳的内部前方,并且配置有一个以上;及镜子,可调节角度地设置在所述外壳的内部后方,将通过所述透镜的光反射至所述射出管;其中,在所述射出管设置光传感器。因此,根据本发明的工艺腔室的光学检查装置用夹具为,调节透镜的组合与镜子的角度,进而可调节工艺腔室内监控对象部分的位置与范围(面积)。
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10:[发明] 基板处理装置
申请号:202311585474.2 公开号:CN118116839A 主分类号:H01L21/67
申请人:盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 申请日:2023.11.24 公开日:2024.05.31
摘要:本发明涉及一种基板处理装置,从工艺腔室下侧流入由波纹管围成的可变空间中的微粒连同从气体供给部喷射的去除用气体一起通过排气口排出,从而抑制可变空间中残留的微粒流入工艺腔室引起由于微粒导致基板处理工艺的处理品质下降。
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