摘要：本发明公开了一种发光二极管封装方法。首先，将一发光二极管芯片与一承载器接合，以使发光二极管芯片与承载器电性连接。其次，加热承载器，以升高承载器的温度。接着，通过点胶方式形成一封装胶体于加热后的承载器上，以包覆发光二极管芯片，其中封装胶体在未接触承载器时的粘性低于封装胶体与承载器接触后的粘性，之后，固化封装胶体。

摘要：一种发光二极管装置的制造方法以及喷涂设备。该发光二极管装置的制造方法包括提供发光二极管以及至少一种荧光体溶液，经分散程序后将荧光体溶液涂布在发光二极管上。在固化程序后，使荧光体溶液固化成荧光层。之后，以封胶层包覆住发光二极管及荧光层。该制造方法可以提高发光二极管的发光效率。该喷涂设备可用在发光二极管表面喷涂荧光层，其组成包括搅拌槽、振动槽、第一连通管、缓冲槽、第二连通管、喷涂装置以及第三连通管，其中喷涂装置设置于发光二极管的一侧，以将荧光体溶液喷涂至发光二极管表面。该设备可经由精密的喷涂装置将荧光粉体均匀地涂布在发光二极管上，因此能够制作出发光效率良好的发光二极管装置。

摘要：本发明公开一种光学测量设备，用于测量至少一个待测件的厚度，此光学测量设备包括基座、光学测量模块、转动件及控制模块。光学测量模块及转动件均配置于基座上。转动件用于承载待测件并带动待测件转动。控制模块配置于基座上且电性连接至光学测量模块及转动件。控制模块适于控制光学测量模块与转动件相对移动，使光学测量模块对准待测件，并控制转动件转动，以测量待测件的厚度。上述光学测量设备可提高测量精准度及效率。

摘要：本发明发光二极管照明装置及其电流控制方法，发光二极管照明装置由电力传输线构成一驱动模组与至少一发光二极管灯体的电性连接；其驱动模组透过变频方式用以输出电压值30v以上，频率为72Hz以上的高频交流电源；各发光二极管灯体具有至少一发光二极管元件以及一整流模组，透过整流模组将来自于驱动模组的高频交流电源调变成直流电源供驱动发光二极管元件；俾可有效改善光源闪烁现象，以及省去于各发光二极管灯体内部建构滤波元件，只要使用简单的电路即得以可靠的驱动发光二极管元件，藉以达到快速开发产品及节省成本的目的。

摘要：本发明公开一种半导体元件及其切割方法。切割方法包括下列步骤。以激光切割形成于基板上的发光层，以形成沟槽于发光层的表面。以刀具切割基板，以形成切割线于基板的背面，切割线与沟槽位于劈裂线上。沿着劈裂线劈开基板以及发光层，以形成断面。

摘要：本发明公开了一种线路保护装置与其作动方式。本发明提供的线路保护装置，包括基板，包括第一板材，与第二板材位于第一板材的一侧上。基板上形成有组件，且基板两端连接的线路将电性连接至组件。基板中的第一板材的热膨胀系数高于第二板材的热膨胀系数。本发明提供的线路保护装置可改善现有的线路保护装置在线路过热时造成的断路为不可逆过程的问题。

摘要：本发明涉及一种发光二极管的制造方法，其包括下列步骤。首先，在第一基底上形成磊晶层，再在该磊晶层上形成金属接垫以及应力释放环，并且应力释放环围绕金属接垫。接着，进行基底置换制程，以将磊晶层、金属接垫以及应力释放环置换到第二基底上，并且金属接垫及应力释放环位于磊晶层与第二基底之间。而后，图案化磊晶层，以暴露出部分应力释放环。然后，移除应力释放环，以使部分磊晶层悬空。此外，本发明另提出一种发光二极管。本发明发光二极管及其制造方法可提升发光二极管的元件特性及使用寿命。

摘要：本发明公开一种半导体发光结构，其包括一基材、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层。基材具有一上表面以及一下表面，上表面与下表面不平行。第一半导体层配置于上表面。发光层配置于第一半导体的至少一部分表面上。第二半导体层配置于发光层上。在一实施例中，上表面可为一斜面、一曲面或一曲折面。

摘要：一种灯具，包含一绝缘构件，一被连接至绝缘构件的灯罩，以及一发光模块放置于前述绝缘构件以及前述灯罩之间。前述发光模块可以发光穿透前述灯罩以供照明。

摘要：本发明公开一种可替换色度的灯具装置，其包括一支撑架、一发光二极管阵列光源、一滤光片、二端盖以及二对电极。发光二极管阵列光源配置于支撑架上。滤光片呈圆弧状，滤光片与支撑架组合成一管状结构，并以其圆弧表面为发光二极管阵列光源的出光面。滤光片用以吸收发光二极管阵列光源的发射光中一特定波长的光线。二端盖分别配置于管状结构的两端。二对电极分别配置于管状结构的两端及二端盖上，并与发光二极管阵列光源电连接。