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发明专利:
4769
实用新型:
57
外观设计:
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1:
[发明]
单晶衬底及其切割方法
申请号:
03812150.6
公开号:CN1656677 主分类号:H03H9/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.06.25 公开日:2005.08.17
发明人:
瓦连京·切列德尼克
;
德弗舍尔斯托夫·米哈伊尔
;
崔用林
摘要:公开一种单晶衬底及其切割方法。单晶衬底包括具有SAW传播表面的langasite衬底;和在所述表面上具有用来发射和/或检测表面声波的电极的输入和输出IDT,其中表面波的传播方向平行于X’轴,并且该衬底还具有垂直于所述表面的Z’轴和平行于该表面且垂直于X’轴的Y’轴,langasite衬底具有由修正轴X、Y和Z所限定的晶体取向,轴X’、Y’和Z’的相对取向由欧拉角φ、θ和ψ限定,其中φ的范围为8°≤φ≤25°,θ的范围为15°≤θ≤30°,ψ的范围为55°≤ψ≤85°。
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2:
[发明]
使用狭缝声波的SAW传感器装置及其方法
申请号:
03812631.1
公开号:CN1659426 主分类号:G01L9/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.06.09 公开日:2005.08.24
发明人:
瓦连京·切列德尼克
;
米哈伊尔·德弗舍尔斯托夫
;
崔用林
摘要:本发明公开了一种使用狭缝声波的SAW传感器装置及其方法。该使用狭缝声波的SAW传感器装置包括压电介质,其具有其一个部分处的薄膜,另一个部分处的介质,以及狭缝声波在其内部经过的窄狭缝;输入IDT,其被形成于压电介质的窄狭缝中的外部处,用于将电输入信号转换成狭缝声波;以及输出IDT,其被形成于与输入IDT相对的外部,用于接收经传播的狭缝声波并将该波转换成电信号,从而使被传输给该装置的外部压力被感测。使用狭缝声波的SAW传感器装置及其方法可通过使用在窄狭缝的谐振器中产生的狭缝声波的频率和速度偏移的相关性,来获得外部压力的强度以及经过窄狭缝的液体的粘度和介电常数。
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3:
[发明]
氮化物半导体及其制备方法
申请号:
03813234.6
公开号:CN1659714 主分类号:H01L33/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.08.19 公开日:2005.08.24
发明人:
李昔宪
摘要:本发明涉及氮化物半导体,更具体地,涉及GaN基氮化物半导体及其制备方法。根据本发明的氮化物半导体包含基底;按以下结构的任一种形成的GaN基过渡层:三层结构的Al
y
In
x
Ga
1-x,y
N/In
x
Ga
1-x
N/GaN,其中0≤x≤1且0≤y≤1;两层结构的In
x
Ga
1-x
N/GaN,其中0≤x≤1;和In
x
Ga
1-x
N/GaN的超晶格结构,其中0≤x≤1;和GaN基单晶层。
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4:
[发明]
氮化物半导体LED和其制造方法
申请号:
03813235.4
公开号:CN1659715 主分类号:H01L33/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.08.19 公开日:2005.08.24
发明人:
李昔宪
摘要:公开了一种氮化物半导体LED,包括:基底;在基底上形成的GaN基过渡层;在GaN基过渡层上形成的、上部和下部之间置有未掺杂的GaN层或掺杂铟的GaN层的夹层结构的Al
y
Ga
1-y
N/GaN短周期超晶格(SPS)层(这里0≤y≤1);在Al
y
Ga
1-y
N/GaN SPS上层形成的n-GaN层的第一电极层;在第一电极层上形成的活性层;以及在活性层上形成的p-GaN层的第二电极层。
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5:
[发明]
扁平型振动马达
申请号:
03813866.2
公开号:CN1663095 主分类号:H02K7/075
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.07.21 公开日:2005.08.31
发明人:
朴荣一
摘要:本发明的扁平振动马达具有被放置在低于转子上部分的位置处且完全地被容纳在转子里的线圈,以便于线圈既不被暴露于外部也不受到颤动。本发明的扁平振动马达进一步改善了振动马达的操作稳定性。
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6:
[发明]
光器件及其制造方法
申请号:
200380103411.3
公开号:CN1711649 主分类号:H01L33/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2003.11.17 公开日:2005.12.21
发明人:
秋圣镐
;
张子淳
摘要:本发明公开了一种光器件及其制造方法。本发明的一个目的是提供该光器件及其制造方法,由此获得电的/热的/结构的稳定性,并且能够同时形成P型电极和N型电极。为了达到上述目的,所述发明的光器件包括:基于GaN的层;形成在所述基于GaN的层上的高浓度的基于GaN的层;形成在所述高浓度的基于GaN的层上的第一金属镓化合物层;形成在所述第一金属镓化合物层上的第一金属层;形成在所述第一金属层上的第三金属铝化合物层;以及形成在所述第三金属铝化合物层上的导电的氧化防护层。
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7:
[发明]
逻辑低噪声放大器及其放大控制方法
申请号:
200480000179.5
公开号:CN1698265 主分类号:H03F1/26
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2004.02.20 公开日:2005.11.16
发明人:
金容圭
摘要:本发明涉及逻辑低噪声放大器及其放大控制方法。该低噪声放大器包括:根据RF信号的电场强度来控制RF信号的放大的RF放大控制电路单元;在RF放大控制电路单元的控制下,放大RF信号的低噪声放大电路单元;以及在RF放大控制电路单元的控制下,使得RF信号通过的转接电路单元。
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8:
[发明]
使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
申请号:
200480000328.8
公开号:CN1698212 主分类号:H01L33/00
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2004.06.21 公开日:2005.11.16
发明人:
李昔宪
摘要:基于氮化物的3-5族(group)化合物半导体发光器件,包括:基底;在基底上形成的过渡层;在过渡层上形成的第一In掺杂的GaN层;在第一In掺杂的GaN层上形成的In
x
Ga
1-x
N/In
y
Ga
1-y
N超晶格结构层;在In
x
Ga
1-x
N/In
y
Ga
1-y
N超晶格结构层上形成的第一电极接触层;在第一电极接触层上形成的、起发光作用的活性层;第二In掺杂的GaN层;在第二In掺杂的GaN层上形成的GaN层;和在GaN层上形成的第二电极接触层。本发明能够减少基于氮化物的3-5族化合物半导体发光器件的晶体缺陷,提高GaN、GaN基单晶层的结晶性,以改善发光器件的性能,确保其可靠性。
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9:
[发明]
振动装置
申请号:
200480000815.4
公开号:CN1701485 主分类号:H02K7/065
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2004.07.01 公开日:2005.11.23
发明人:
金尚真
摘要:公开了一种振动装置,其中一个弹性部件形成于配重的上表面和/或下表面上,且用于产生振动的配重沿周向伸长。同时也公开了一种具有发声功能的振动装置,其通过制造一个更大的磁力产生部件而增大了振动量,磁力产生部件由弹性部件支承。从而,可以制造较小尺寸的振动装置,因此使得移动通信终端小型化,这样的振动装置通常安装于移动通信终端内。
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10:
[发明]
集成了射频开关和射频调制的射频系统
申请号:
02820995.8
公开号:CN1575589 主分类号:H04N5/50
申请人:
LG伊诺特有限公司
申请日:2002.11.12 公开日:2005.02.02
发明人:
吴德守
;
金容圭
摘要:本发明涉及集成了射频开关单元和射频调制器单元的射频系统。本发明提供了一种包括若干天线、射频单元及数字调谐器和解调器单元的射频系统,包括与各天线相连的若干射频输入终端;射频中继器,用于根据控制信号选择性地输出被输入到多个射频输入终端的射频信号;射频放大器,用于放大从射频中继器输出的射频信号;射频信号分配器,用于分配由射频放大器放大并输出的射频信号;射频调制器,用于接收和调制从与射频信号分配器相连接的数字调谐器和解调器单元输出的信号并输出射频信号;射频选择开关,用于根据控制信号选择性地输出从射频信号分配器输出的射频信号和射频调制器输出的射频信号中的至少一个;和射频输出终端,用于输出来自射频选择开关的信号。
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