摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括预定形成金属栅极结构的区域；在所述预定金属栅极结构的区域内的所述半导体衬底的表面上依次沉积形成高k介电层、覆盖层、功函数层、阻挡层和金属栅电极层，其中，所述覆盖层由底层的富非金属的膜层逐渐转变为顶层的富金属的膜层。根据本发明的方法，在高k介电层上形成由底层的富N的TiN层逐渐转变为富Ti的TiN层的覆盖层，该覆盖层与高k介电层之间具有良好的粘附力，同时还可调制整个金属栅极的功函数，可提高器件的性能和良率。

摘要：一种互连结构及其形成方法。其中，互连结构的形成方法包括提供前端器件结构，前端器件结构具有第一介质层和位于第一介质层中的导电结构；在第一介质层和导电结构上形成第一硅掺杂氮化铝层；或者，先在导电结构上形成帽盖层，然后在第一介质层和帽盖层上形成第一硅掺杂氮化铝层；在第一硅掺杂氮化铝层上形成纯氮化铝层；在纯氮化铝层上形成第二硅掺杂氮化铝层；在第二硅掺杂氮化铝层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成第二介质层；刻蚀介质层和扩散阻挡层，直至形成贯穿介质层和扩散阻挡层的通孔，通孔底部暴露至少部分第二硅掺杂氮化铝层；在通孔中填充导电材料，直至形成导电插塞。所述形成方法提高所形成互连结构的可靠性能。

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，包括用于形成第一晶体管的第一区域以及用于形成第二晶体管的第二区域，第一晶体管的沟道长度小于第二晶体管的沟道长度；在基底上形成层间介质层；在层间介质层中形成第一开口和第二开口；在第一开口底部和侧壁上以及第二开口底部和侧壁上形成栅介质层；在第二区域栅介质层上形成第一含氮层；在第一区域栅介质层以及第一含氮层上形成材料含铝的功函数层。本发明通过形成第一含氮层，降低铝原子在第二开口内的沉积能力，以弥补由开口纵宽比不一致带来的铝原子沉积能力不一致的问题，使第一晶体管和第二晶体管的功函数层厚度相当且铝含量相当。

摘要：一种晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层；在所述功函数层上形成氮化层；在所述氮化层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成金属层；所述金属层、所述阻挡层、所述氮化层、所述功函数层以及所述栅介质层用于形成栅极结构。本发明技术方案能够减少易扩散离子对晶体管阈值电压的影响，有利于降低所述功函数层的功函数值，进而降低所形成晶体管的阈值电压，提高所形成半导体结构的性能。

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成功函数层，形成功函数层的步骤包括一次或多次功函数膜形成步骤，所述功函数膜形成步骤包括：在所述衬底上形成初始功函数膜，所述初始功函数膜中具有碳原子；通过除碳前驱体对所述初始功函数膜进行除碳处理形成功函数膜，除碳前驱体用于与初始功函数膜中的碳原子反应；在功函数层上形成栅极。在功函数层上形成栅极。形成初始功函数膜之后，通过除碳前驱体对初始功函数膜进行除碳处理。除碳前驱体能够与初始功函数膜中的碳原子反应，从而降低初始功函数膜中的碳原子含量，进而改变功函数层的功

摘要：本发明涉及一种具有高活性稳定性的乙炔氢氯化反应铜基催化剂，所述铜基催化剂以铜盐作为活性组分；所述铜盐选自氯化铜、硝酸铜、硫酸铜、磷酸铜中的一种及以上，其特征在于，在铜基催化剂中引入稳定剂；所述稳定剂选自盐酸胍、四甲基乙二胺盐酸盐、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、三甲基苄基氯化铵、三乙基苄基氯化铵、四甲基氯化鏻、四丁基氯化鏻、甲基三苯基氯化鏻、1‑丁基三苯基氯化鏻中的一种及以上。本发明通过在催化剂中引入具有成本低、毒性低、热稳定性好、蒸气压小等优势的稳定剂，使乙炔氢氯化铜基催化剂稳定性得到显著提升。

摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第一区和第二区；在基底上形成介质层，第一区介质层内具有第一开口，第二区介质层内具有第二开口，第二开口深宽比大于第一开口深宽比；采用多次原子层沉积步骤在第一开口和第二开口内形成功函数层，原子层沉积步骤包括：在第一开口和第二开口内形成第一前驱体膜；采用第一通气工艺通入第二前驱体，部分第二前驱体与第一前驱体膜反应，第一通气工艺具有第一通气时间；采用第一抽气工艺去除未反应的第二前驱体，第一抽气工艺具有第一抽气时间；多次原子层沉积步骤中，多次第一通气工艺的第一通气

摘要：本发明公开了一种功函数调节层的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：将用于形成半导体器件的基底放入反应腔室，然后执行第一主步骤和第二主步骤以在该基底上形成用作功函数调节层的钛铝合金层；第一主步骤包括：第一子步骤，包括：向反应腔室中通入含钛的第一前驱体；以及第二子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第二前驱体，第二前驱体与第一前驱体发生反应以形成钛铝合金；第二主步骤包括：第三子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第三前驱体，其中，第三前驱体的分子量小于第二前驱体的分子量，第三前驱体与第一前驱体发生反应以形成

摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成层间介质层；在层间介质层中形成露出基底的开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；通过原子层沉积工艺进行至少1次膜层形成工艺，在栅介质层上形成含铝功函数层，当膜层形成工艺次数为1次时，膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次，当膜层形成工艺次数大于1次时，至少第1次膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次；在形成有功函数层的开口中形成金属栅极。通过增加含铝前驱体的脉冲次数，特别是第1次膜层形成工艺中的脉冲次数，以增加开口中的铝原子含量，提高铝原子在开口中的沉积能力，从而增加功函数层的铝原子含量，进而改善晶体管的阈值电压翻转问题。

摘要：本发明提供一种金属栅极、半导体器件及其制造方法，所述金属栅极包括功函数层，所述功函数层的上表面和/或下表面上形成有掺杂硅和/或锗的功函数保护层，硅和/或锗的掺入能够形成非晶结构，能够将原本纯的基材中沿垂直方向生长的柱状晶结构细化，并演变为等轴晶或者无明显晶粒边界的结构，致密性显著提高，在用于PMOS晶体管时可以阻挡外界的铝原子等向所述功函数层中扩散，在用于NMOS晶体管时可以阻挡所述功函数层中的铝原子等向外界扩散，从而能够改善铝等扩散对金属栅极的功函数的影响，提高器件的可靠性和电学性能。