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实用新型:
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1:
[发明]
一种基于语义精准分块和精准背景信息生成的RAG方法
申请号:
202510369383.8
公开号:CN120387448A 主分类号:G06F40/289
申请人:
四川君逸数码科技股份有限公司
申请日:2025.03.27 公开日:2025.07.29
发明人:
吴侃
;
丁俊元
摘要:本发明提出了一种基于语义精准分块和精准背景信息生成的RAG方法,属于人工智能技术领域。该方法包括,在推理前准备阶段:预处理大量相关知识文本,按字数将其分割成粗粒度文本块;通过大语言模型将粗粒度文本块按语义拆分为多个细粒度文本块,并为每个细粒度文本块生成上下文摘要及关联问题;将细粒度文本块与上下文摘要拼接成最终文本块,作为包含精准背景信息分块;最终的文本块和关联问题向量化后存储于不同的向量数据库中。在推理阶段,当面对用户问题时,系统会先将用户问题文本进行向量化,再分别从上述不同的向量数据库中分别检索出最相关的条目进行合并,然后通过一个重排序模型对上述检索结果进行优化排序,挑选出排名靠前的文本块供大语言模型生成回答。这种方法有效改进了传统RAG方法中分块不准、上下文信息缺失和检索不够准确的问题。
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2:
[发明]
沟槽绝缘方法
申请号:
200510070458.5
公开号:CN1862777 主分类号:H01L21/314(2006.01)I
申请人:
联华电子股份有限公司
申请日:2005.05.09 公开日:2006.11.15
发明人:
丁玮祺
;
吴俊元
摘要:一种沟槽绝缘工艺,包括:提供一半导体基底,具有上表面以及背面;于该半导体基底的该上表面形成一第一硅氧层以及一第一氮化硅层,同时,于该半导体基底的该背面形成一第二硅氧层以及一第二氮化硅层;进行一光刻工艺以及一蚀刻工艺,利用该第一氮化硅层作为蚀刻屏蔽,在该半导体基底的该上表面形成一沟槽;于沟槽内填入绝缘材料,且该绝缘材料覆盖该半导体基底的该上表面的该第一氮化硅层;利用该绝缘材料为蚀刻屏蔽,蚀刻掉该半导体基底的该背面的该第二氮化硅层;进行一致密化工艺,致密化该绝缘材料;以及进行一化学机械研磨工艺,以该第一氮化硅层为研磨停止层,将该半导体基底上的该绝缘材料研磨平整。
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3:
[发明]
具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元
申请号:
201110352579.4
公开号:CN102456830A 主分类号:H01L43/08(2006.01)I
申请人:
希捷科技有限公司
申请日:2011.11.01 公开日:2012.05.16
发明人:
丁元俊
;
Y·郑
;
Z·高
摘要:本发明涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元,其包括:铁磁自由层;具有至少约厚度的增强层;氧化物阻挡层;以及铁磁基准层,其中所述增强层和所述氧化物阻挡层位于所述铁磁基准层和铁磁自由层之间,且所述氧化物阻挡层相邻于所述铁磁基准层,且其中所述铁磁自由层、所述铁磁基准层和所述增强层均具有平面外的磁化方向。
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4:
[发明]
一种连续可逆调控肖特基二极管势垒的方法
申请号:
202310740196.7
公开号:CN116525434A 主分类号:H01L21/329
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2023.06.21 公开日:2023.08.01
发明人:
丁俊峰
;
姚德元
摘要:本发明公开了一种连续可逆调控肖特基二极管势垒的方法,具体为:使用金刚石对顶砧作为压应力产生装置,对肖特基二极管进行加压,肖特基二极管的势垒高度随着压应力的改变而改变,从而实现肖特基二极管势垒高度的连续并可逆调节。本发明的方法简单、操作方便,为设计新型高效肖特基器件提供了新的思路。
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5:
[发明]
具有红外波段光电探测功能的硅基光电探测器的制备方法
申请号:
202410917639.X
公开号:CN118486751A 主分类号:H01L31/09
申请人:
中国科学院合肥物质科学研究院
申请日:2024.07.10 公开日:2024.08.13
发明人:
丁俊峰
;
姚德元
摘要:本发明公开了具有红外波段光电探测功能的硅基光电探测器的制备方法,其为:对硅纳米粉进行表面氧化处理后获得硅/氧化硅核壳纳米粉,以硅/氧化硅核壳纳米粉作为光敏材料构建硅基光电探测器,对硅/氧化硅核壳纳米粉施加外部压力,硅基光电探测器的光电探测性能随着压力的改变而改变,且硅基光电探测器在压力作用下具备了红外波段光电探测功能。本发明的方法成本低、效率高,为设计新型高效硅基光电探测器提供了新的思路。
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6:
[发明]
一种具有钠位高熵结构的磷酸钒锰钠正极材料及制备方法
申请号:
202411683730.6
公开号:CN119240649A 主分类号:C01B25/45
申请人:
江苏铠钠新能源科技有限公司
申请日:2024.11.22 公开日:2025.01.03
发明人:
丁元力
;
万坤俊
摘要:本发明公开了一种具有钠位高熵结构的磷酸钒锰钠正极材料及制备方法,属于钠离子电池技术领域,包括正极材料的化学通式为Na(4‑x‑y)MxNyVMn(PO4)3,其中M为Li+、K+、Rb+、Cs+中的至少3种,N为Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+中的至少2种;本发明通过多种元素原子在钠离子位点的无序化分布抑制晶体在充放电中形成的Na+/空位有序和电荷有序结构,降低Na+嵌入脱出导致的结构变化,同时,这些占据钠位的高熵元素也起到对晶体结构的“支柱”作用,均有助于稳定晶体结构;另一方面,高熵元素使晶格局部扭曲,导致局部无序,可降低电子带隙和钠离子扩散势垒,从而使材料电导率和离子扩散动力学得到提升,更为重要的是高熵元素在钠位有效削弱了Na(1)‑O键,激活了Na(1)位的钠离子电化学活性,促进了钠离子扩散动力学和比容量。
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7:
[发明]
一种高稳定焦磷酸磷酸锰铁钠正极材料的制备方法
申请号:
202510639001.9
公开号:CN120573665A 主分类号:C01B25/45
申请人:
江苏铠钠新能源科技有限公司
申请日:2025.05.19 公开日:2025.09.02
发明人:
丁元力
;
万坤俊
摘要:本发明属于钠离子电池正极材料领域,具体为一种高稳定焦磷酸磷酸锰铁钠正极材料的制备方法。公开了一种空位和铌掺杂策略增强焦磷酸磷酸锰铁钠正极材料的结构稳定性和电化学性能。采用螯合剂与过渡金属前驱体和铌前驱体在水溶液进行原子尺度的螯合反应,实现螯合剂‑Fe/Mn/空位/Nb前驱体的精准可控制制备,通过高温固相反应,制备出空位和铌掺杂的焦磷酸磷酸锰铁钠正极材料,其中,空位掺杂不仅提升了钠离子扩散动力学而且有效抑制了杂相产生,铌掺杂有效抑制了Mn3+的Jahn‑Teller畸变提升了结构稳定性,该正极材料既实现了高倍率性能又具有长循环寿命。
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8:
[发明]
双弹力羽毛球拍
申请号:
202510898153.0
公开号:CN120478941A 主分类号:A63B49/02
申请人:
舒城县徽之王体育用品有限公司
申请日:2025.07.01 公开日:2025.08.15
发明人:
张元香
;
丁仕俊
摘要:本发明公开了一种双弹力羽毛球拍,包括球框和上端与该球框的下端固连的球杆,该球框上设有球网,该球网分为用于击球的迎风面和相对于迎风面的背风面,所述球杆上部的两个相对应于该迎风面和背风面的2个侧面上分别设有迎风凸棱和背风凸棱,同时,该背风凸棱上从上至下分布有至少3个“V”型缺口。所述球框的上端部设有至少2个增重柱。本发明的优点是:能够提供更大击球力量、击球较为稳定,以及能够根据战术需要进行力量调节。
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9:
[发明]
可微调长度与韧性并平衡重心的羽毛球拍
申请号:
202511152772.1
公开号:CN120789625A 主分类号:A63B49/032
申请人:
舒城县徽之王体育用品有限公司
申请日:2025.08.18 公开日:2025.10.17
发明人:
丁仕俊
;
张元香
摘要:本发明公开了一种可微调长度与韧性并平衡重心的羽毛球拍,包括球框、上端连接该球框下部的连接杆、上端连接该连接杆下端的手柄,所述球框下端固定有T型连接扣,该T型连接扣内设有沿上下方向延伸的第一内螺纹孔;所述手柄上设有沿上下延伸的第二内螺纹孔;所述连接杆为中空结构,其上端部和下端部分别螺接于该第一内螺纹孔和该第二内螺纹孔;以及,该第一内螺纹孔内螺接有第一配重内六角螺钉,该第二内螺纹孔内螺接有第二配重内六角螺钉,且该第二配重内六角螺钉上固连有向上延伸且插入在该连接杆内的韧性调节杆。优点是:长度可调且重心稳定。
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10:
[发明]
一种由烯烃氢甲酰化制取有机醛的生产方法
申请号:
01140433.7
公开号:CN1422837 主分类号:C07C45/49
申请人:
中国科学院大连化学物理研究所
申请日:2001.12.06 公开日:2003.06.11
发明人:
丁云杰
;
朱何俊
;
严丽
;
吕元
摘要:一种由烯烃氢甲酰化制取各类有机醛的生产过程,采用多相催化剂匀相化方法研制的催化剂,浆态床反应工艺,气、液体产品和浆态液与催化剂分离,气、液体产品与浆态液分离及催化剂循环使用等组成。该催化过程产生的液体产品经简单过滤后与催化剂分离,浆态液与产品经闪蒸分离或精馏后可直接作为比相应的烯烃多一个碳数的有机醛。所生产的有机醛经加氢后可生产相应的醇。由本发明的催化过程可用于各种增塑剂的有机伯醇的生产。
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