摘要：量子电池及其制备方法，涉及量子电动力学应用技术。利用光刻技术或者等离子体溅射技术在金块的表面刻出矩形腔，矩形腔的个数根据输出电压大小决定，至少在1000个以上，每个矩形腔的尺寸范围为：长度100～300μm，宽度50～120nm，深度500～1500nm，然后在矩形腔上方贴上粘有压电体材料薄膜的金属簧片，最后将每个矩形腔产生的电压进行电学串联，并用高分子聚合物进行外壳封装，外壳上有正负极导线引出点。本发明无需携带能源，输出稳定，可以用于长期工作的电子设备；结构简单，制造方便。

摘要：本发明共公开了一种3D工程图纸的生成方法，涉及工程制图技术领域。本发明在三维模型的三维轴视图的视角位置，选择实体模型前表面的一点作为焦点，然后分别以该焦点为旋转中心，向左和向右水平旋转α角度，生成两张图纸。将两张图纸分别染成红色和蓝色然后重合。读图人员带上读图眼镜进行读图。3D工程图纸更加直观，可以方便读图者读图。3D工程图纸对于一些局部特征，读图者可以不借助局部视图就可以想像和理解，有助于减少局部视图数量。

摘要：本发明公开一种彩色图案的计算机辅助拼接方法，属于计算机图象处理技术领域，包括扫描、编码、配对、模拟拼图和实物拼图步骤，主要是将扫描后的n块拼图模块和其棱边进行编号，并在棱边上进行等间隔取点，并对所取点的颜色编码进行提取，构建数据，通过对具有相同取点数的棱边进行颜色编码匹配判断是否配对，并进行实际拼图；该方法采用了边缘特征点的颜色信息和边缘长度作为拼接依据，以边缘信息长度匹配作为拼接的首要条件进行初次筛选，从而节省拼接计算的时间。

摘要：本发明涉及一种用于多核处理器的核间通信的方法、处理器、核间通信系统及计算机可读存储介质。核间通信的方法包括：接收由发起核发送的与接收核进行通信的通信请求；基于通信请求指示发起核通过使用传递消息调用接收核中的服务的接口来与接收核进行通信；其中，传递消息是面向服务的，并且对应于接收核中的服务的接口。根据本发明的核间通信的方法，构建在各种各样的系统中的服务可以通过面向服务的传递消息以统一和通用的方式进行交互。因此，能够提高位于不同的核上的应用程序的可移植性，并降低开发难度。

摘要：本发明公开了一种纳米晶/非晶硅两相薄膜太阳电池的制备方法，包括对玻璃表面进行清洗；利用PECVD沉积SiN薄膜；在电池的正面沉积一层ITO透明导电薄膜，在ITO/玻璃衬底上制备氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜；利用B离子注入能量在200～250keV、剂量在1×10¹⁷～4×10¹⁷/cm^2，形成P型层；利用P离子注入能量在15～30keV，剂量在2×10¹⁷～5×10¹⁷/cm^2，形成N型层。本发明避免了有毒气体磷烷和硼烷的使用，B、P的掺杂激活率高；降低p和n层中的杂质俘获中心，提高电子和空穴的收集效率，降低接触电阻，提高短路电流。

摘要：本发明涉及一种单晶硅太阳电池及其制备方法，特指利用在钝化介质层中引入电荷埋层的单晶硅太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明是基于通常单晶硅太阳电池的制备方案，太阳电池的结构是采用局部背接触结构，其特征在于：在太阳电池背面利用热氧化或原子层沉积技术生长一层SiO2层，再利用PECVD生长一层SiNx薄膜，利用激光刻槽技术，刻出背电极接触区域，然后利用电晕方式注入电子，最后利用真空蒸镀方式沉积Al电极。本发明能有效提高太阳电池效率。

摘要：本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法，特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV)，所以异质结的开路电压得到提高，另一方面，纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV，由于带隙是渐变的，p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化，提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合，进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率，从而提高短路电流。

摘要：本发明涉及一种铜互连制造方法，属于微纳制造领域。本发明利用溅射或原子层沉积技术制备氮化铜薄膜，利用飞秒激光直写技术，在需要金属互连区域，利用激光分解形成铜单质，一步化实现铜互连，由于金属铜是在氮化铜平面上激光热分解形成的，所以无需额外的化学抛光来实现表面平坦化。

摘要：本发明涉及太阳电池，特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池，其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅（c-Si）纳米线，采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成由内至外的c-Si（n）/nc-Si:H（p）或c-Si（n）/nc-Si:H（i）/nc-Si:H（p）径向结构，随后利用ALD技术制备Al2O3层，利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层；最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极，并进行快速退火；完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池，而且可以利用低品质的单晶硅材料，从而可以降低电池成本。

摘要：本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌（AZO）纳米线，再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层，不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构，而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池；利用原子层沉积（ALD）技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(Al2O3)钝化层；利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜，改善纳米线的电极接触性能，本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。