摘要：本发明涉及图像处理领域，公开了一种图像纹理重建方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取待重建的三维立体图像；对三维立体图像进行权重设置处理，得到三维立体图像对应的像素坐标权重集；对三维立体图像进行遮挡判定处理，得到三维立体图像对应的遮挡区域和非遮挡区域；在遮挡区域中构建出三角拓扑图形；在非遮挡区域中匹配出特征顶点相同像素值的重构点；以重构点为顶点，三角拓扑图形为形状，一个边平行于特征顶点在三角拓扑图形中对角边，在非遮挡区域构建出采集三角形；获取采集三角形中的像素值分布，以及将像素值分布替换修改三角拓扑图形中的像素值分布，并将三角拓扑图形对应区域确定为非遮挡区域。

摘要：本发明涉及三维建模领域，公开了一种三维建模方法、系统、设备及存储介质。该方法包括：投影拍摄系统基于第X相对坐标系，扫描出待建模物体对应的第X空间数据，并将第X空间数据发送至所述计算分析系统；计算分析系统接收第X空间数据，根据第X空间数据，生成第X姿态更新数据，以及将第X姿态更新数据发送至运动调整系统；运动调整系统接收第X姿态更新数据，基于第X姿态更新数据，改变投影拍摄系统与待建模物体的空间相对位置；投影拍摄系统基于第X+1相对坐标系，扫描出待建模物体对应的第X+1空间数据，并将第X+1空间数据发送至所述计算分析系统；计算分析系统接收第X+1空间数据，根据第X空间数据与第X+1空间数据，生成三维模型。

摘要：本发明公开了一种基于三维网格模型的数据测量方法和相关设备，方法包括:获取测量指令；对所述测量指令进行解析，得到若干个测量点；针对每一个所述测量点，根据该测量点对应的屏幕位置坐标，计算与该测量点对应的目标射线；基于预设的初始模型的网格片，对所述目标射线进行相交检测，确定与所述屏幕位置坐标对应目标空间点；基于所述目标空间点，计算所述测量指令对应的测量结果。本发明在提高基于三维网格模型的计算精确度的基础上，降低计算量，提高计算速度。

摘要：本公开涉及一种光计算方法和系统、控制器和存储介质。该光计算系统包括：模数转换器阵列，被配置为将聚合物相对于纳米孔易位的情况下产生的电流转换为数字信号；光计算芯片，被配置为根据数字信号识别聚合物中聚合物单元的排列。本公开计算能力优于GPU的光计算芯片应用于基于纳米孔的多聚物测序，优化了光计算芯片在多个纳米孔平行产生数据的情况下″识别有效信号中的多聚物单元″的计算速度。

摘要：本发明公开了一种洗漱杯加工用具有便于脱模结构的成型装置，涉及洗漱杯加工成型相关技术领域，解决不便于脱落下料的技术问题，包括工作台，所述工作台的底端固定安装有底板，所述工作台远离底板的一侧固定安装有外模具，所述外模具内安装有内模具，所述底板靠近工作台的一侧固定安装有电动脱模杆，所述电动脱模杆远离底板的一端固定安装有脱模板，所述工作台上设置有清扫组件，清扫组件包括清扫刷，所述工作台远离底板的一侧固定安装有第一电动伸缩杆；一个内模具配备两个外模具，在往复螺杆的作用下带动内模具切换，同时在切换的过程中便于将脱模后的洗漱杯推送下料，缩短了外模具冷却定型的时间，方便脱模下料，有利于提高装置工作效率。

摘要： 本发明属于非晶态合金或超微晶合金的热处理方法。主要适用铁基超微晶铁芯的热处理。本发明在热处理过程中，用一只热电偶测炉温，用一只或多只热电偶测铁芯的温度，根据铁芯的实际温度来调整和控制炉温，并根据铁芯的晶化放热程度及散热条件，及时调节热处理炉的加热功率，使炉温相应地减缓升温、或保温、或降温，直至放热结束，再升至最佳热处理温度，保温，然后随炉冷却。经本发明处理的铁芯，不仅性能优异，而且成品率高。

摘要： 本发明公开一种非晶软磁合金薄带大功率变压器矩形铁芯的制造方法，该方法解决了磁性水平高，工艺简单易行，便于批量生产的非晶薄带对接矩形铁芯的制作工艺，其主要工艺包括将非晶合金薄带根据计算长度分剪分组，先形成各薄带组对接的圆环状铁芯，然后将圆环铁芯在相互垂直的两个径向加压，再经退火形成四个拐角有一定弧度的矩形铁芯。

摘要：本发明公开了一种多单片机协同工作方法及多单片机协同工作系统，该工作系统由一个单片机主机、多个单片机客机、一个计数器、一个译码器和一个数据选择器组成；单片机主机上的4个IO端口作为控制端口，该4个IO端口分别是计数器复位端口、计数脉冲输出端口、响应信号反馈端口和使能端口；每一个单片机客机都有一个功能执行单元，该功能执行单元用于由译码器输出的输出选通信号触发而执行本单片机从机中的预设程序以实现预设的功能。本发明采用较少且廉价的外围芯片，使用很少的单片机IO端口线就解决了多单片机阵列的协同工作的应用技术障碍，充分发挥了单片机价格低廉，性价比极高，具有很广的应用前景。

摘要：本发明涉及CMOS超大集成电路，是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性，同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件短沟效应抑制能力。

摘要：本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。