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发明专利:910实用新型: 553外观设计: 26
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申请号:201510005210.4 公开号:CN104596996A 主分类号:
申请人:香港理工大学深圳研究院 申请日:2015.01.06 公开日:2015.05.06
摘要:本发明提供了一种基于空芯光纤光热效应的气体检测方法,包括:将待测气体填充至空芯光纤的纤芯内;将探测激光和周期性调制后的泵浦激光输入空芯光纤中;待测气体吸收泵浦激光后产生光热激发效应导致探测激光相位的周期性调制;解调探测激光的相位调制信息,得到待测气体浓度;其中周期性调制为泵浦激光的波长及/或强度的调制。本发明采用泵浦和探测双激光方案进行检测,方法简单而实用,可以实现极小的光斑面积,大大提高了光功率密度,从而使光热信号强度得到增强;本发明可实现有选择性的ppb量级的气体浓度测量,对在近红外波段具有吸收的气体具有普适性。
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申请号:201610703067.0 公开号:CN106292817A 主分类号:G05F1/56(2006.01)I
申请人:上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 申请日:2016.08.22 公开日:2017.01.04
摘要:本发明提供了一种快速提升输出电流的电压缓冲电路及系统,包括:第一NMOS晶体管的源端接地,栅端与第一偏置电压连接,漏端与第二NMOS晶体管的源端、第三NMOS晶体管的源端和第七NMOS晶体管的源端相连接;第二NMOS晶体管的栅端接电压输入端,漏端与第四NMOS晶体管的源端相连接;第三NMOS晶体管的漏端与第五NMOS晶体管的源端相连接且共同与电压输出端相连接,栅端与电压输出端相连接;第四NMOS晶体管的漏端与电源相连接,栅端与第五NMOS晶体管的栅端相连接且共同与第六PMOS晶体管的漏端、第七NMOS晶体管的漏端相连接;第五NMOS晶体管的漏端与电源相连接;第六PMOS晶体管的栅端与第二偏置电压相连接,源端与电源相连接;第七NMOS晶体管的栅端与电压输出端相连接。
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申请号:201710286511.8 公开号:CN108801946A 主分类号:G01N21/31(2006.01)I
申请人:香港理工大学深圳研究院 申请日:2017.04.27 公开日:2018.11.13
摘要:本发明属于气体测量装置技术领域,具体提供一种法布里‑珀罗谐振腔光纤传感器。所述光纤传感器的结构为单模光纤‑介质膜‑空芯光子带隙光纤‑介质膜‑单模光纤,所述介质膜与空芯光子带隙光纤的距离均大于0而小于1μm,以便气体进入空芯光子带隙光纤内。本发明的法布里‑珀罗谐振腔光纤传感器,通过空芯光子带隙光纤纤芯与两端介质膜组合形成的谐振腔,增加光与气体相互作用的有效长度,从而实现气体吸收信号的增强,提高气体探测灵敏度;与传统光学谐振腔相比,无需复杂的对准光学系统;而且空芯光子带隙光纤形成的谐振腔可以实现传感器小型化,极大的提高了传感器的适用性。
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申请号:201811561447.0 公开号:CN109361384A 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
申请人:上海艾为电子技术股份有限公司 申请日:2018.12.20 公开日:2019.02.19
摘要:本发明提供了一种模拟开关电路,电荷泵根据第一开关的衬底的电压产生控制电压,并通过控制电压控制第一开关导通,停止输出该控制电压,控制第一开关断开;第一分压电路用于在第一开关导通时,向第一开关的衬底提供第一电压,第一电压等于第一开关的源极的电压与第一电压差之和,第一电压差等于第一开关的源极和第一开关的漏极之间的电压差的一半;第一电压选择电路用于在下拉电路将第一开关的漏极的电压下拉到地后,将第一开关的源极的电压和第一开关的漏极的电压中的最小者传输给第一开关的衬底。本发明中通过电荷泵替代了齐纳二极管,由于电荷泵对制作工艺的要求比齐纳二极管低,因此,可以降低模拟开关电路对制作工艺的要求。
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申请号:201811561577.4 公开号:CN109449156A 主分类号:H01L27/02(2006.01)I
申请人:上海艾为电子技术股份有限公司 申请日:2018.12.20 公开日:2019.03.08
摘要:本发明提供一种端口静电释放保护电路,包括低压选择电路和NMOS晶体管;低压选择电路的一个输入端和NMOS晶体管的漏极,均与待保护端口相连;低压选择电路的另一输入端和NMOS晶体管的源极均接地;低压选择电路的输出端与NMOS晶体管的栅极和衬底相连;并且,低压选择电路输出端输出的信号,为低压选择电路的两个输入端接收的信号中电位较低的信号。本发明通过增加低压选择电路,保证NMOS管的衬底电位始终是待保护端口和地之间的较低电位,当待保护端口接收到负电压信号时,NMOS晶体管的衬底与漏极之间的寄生二极管不会正向导通,避免NMOS管在工作时被烧毁的风险。
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申请号:201811561655.0 公开号:CN109379071A 主分类号:H03K17/687(2006.01)I
申请人:上海艾为电子技术股份有限公司 申请日:2018.12.20 公开日:2019.02.22
摘要:本发明提供一种模拟开关电路,包括:开关管、控制电路、第一下拉电路以及电荷泵电路;当使能信号为关断时,第一下拉电路的第二端电位为地电平,控制电路的输出端电位为地电平与模拟开关的输入端接收信号的电压值之间较低的值,将电荷泵电路的第一输出端电位下拉为较低的值,使开关管关断;当使能信号为导通时,控制电路的输出端电位等于模拟开关电路的输入端接收信号的电压值,电荷泵电路正常工作且第一输出端电位等于模拟开关的输入端接收信号的电压值及预设电压之和,使开关管导通。本发明无需齐纳二极管即可实现对于负电压信号的传导,避免了现有技术中工艺要求高的问题。
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申请号:201810626611.5 公开号:CN110609562A 主分类号:G05D1/08
申请人:华为技术有限公司 申请日:2018.06.15 公开日:2019.12.24
摘要:本申请实施例提供一种图像信息采集方法和装置,用于可移动装置,涉及计算机控制技术领域,能够使可移动装置自动调整图像信息获取角度和位置,从而获取更准确的图像信息。其方法为:可移动装置采用第一位姿采集第一图像,以使第一图像包括目标物体;确定第一图像是否满足预设条件;当第一图像不满足预设条件时,将第一位姿调整为第二位姿;采用第二位姿采集第二图像。本申请实施例应用于可移动装置进行图像信息采集和图像信息处理的场景中。
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申请号:202110357937.4 公开号:CN113215559A 主分类号:C23C22/60
申请人:北京科技大学 申请日:2021.04.01 公开日:2021.08.06
摘要:一类平行取向(Al‑Co)xOy纳米片的制备方法。制备方法如下:在反应釜中加入一定浓度的NaOH溶液,然后将表面具有平行生长台阶的Al‑Co合金薄片放入不同温度、不同浓度的NaOH溶液中反应一段时间,在样品表面制备出平行取向的(Al‑Co)xOy纳米片。通过此方法制备的平行取向纳米片的晶体结构为α‑Al2O3类型的晶体相,成分为(Al‑Co)的氧化物。同一合同条件下制备出的纳米片表面平整,尺寸分布范围窄。本发明的优点在于样品制备过程简单,无催化,成本低廉,条件温和,为之后在其他材料上制备平行取向纳米片提供了新思路。同时,平行排列的纳米片结合了取向纳米材料以及二维纳米材料的优点,有望在催化剂、磁性材料、光电材料等领域有较好的应用前景。
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申请号:202210835020.5 公开号:CN115242598A 主分类号:H04L41/042
申请人:天翼云科技有限公司 申请日:2022.07.15 公开日:2022.10.25
摘要:本申请实施例提供了一种云操作系统部署方法及装置,用于在一个服务器集群上部署多个云操作系统,节约成本。所述方法包括:接收第一请求;其中,所述第一请求用于请求部署第一云操作系统对应的第一管理服务,所述第一请求中包括所述第一管理服务所需要的管理节点数量;获取多个预设管理节点的剩余资源信息;其中,所述多个预设管理节点属于所述第一服务器集群,所述剩余资源信息为所述多个预设管理节点在部署第二云操作系统对应的第二管理服务之后剩余的可用资源;基于所述剩余资源信息和所述管理节点数量确定所述第一管理服务对应的目标管理节点。
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申请号:202310283193.5 公开号:CN116483149A 主分类号:G05F1/56
申请人:上海艾为电子技术股份有限公司 申请日:2023.03.21 公开日:2023.07.25
摘要:本申请公开一种稳压器、芯片和电子设备,稳压器包括误差放大电路、极点补偿电路、功率管、电阻反馈网络和补偿电容;电阻反馈网络用于对所述稳压输出端的输出电压进行采样,调节采样得到的电压,向所述误差放大电路的负输入端输出反馈电压;误差放大电路用于放大所述参考电压和所述反馈电压的差值,使得所述参考电压和所述反馈电压相等,并配合所述补偿电容使得所述误差放大电路的输出成为主极点;极点补偿电路用于弱化所述稳压输出端对应的输出阻抗,以将输出极点成为次极点;功率管的漏极作为所述稳压输出端,用于进行稳压输出。本申请能够提高稳压器的鲁棒性。
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