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1:
[发明]
中碳低合金结构钢强磁场快速完全退火工艺方法
申请号:
02133271.1
公开号:CN1492059 主分类号:C21D1/26
申请人:
东北大学
申请日:2002.10.25 公开日:2004.04.28
发明人:
左良
;
赵骧
;
张宇东
;
何长树
摘要:本发明涉及中碳低合金结构钢强磁场快速完全退火工艺方法,首先将所选材料加热到热处理温度后,开始施加强度为10~14特斯拉的恒磁场,该磁场是由环状超导强磁体产生;在该磁场下保温、冷却,冷却速度为40~50℃/min,当冷却至650~550℃时降磁场,磁场为零时出炉空冷;本发明冷却速度是传统方法的40~50倍,极大地缩短了占炉时间,提高了生产率;经处理后的材料组织明显细化,其组织为均匀随机分布的铁素体和珠光体的混合物,铁素体平均晶粒尺寸<15μm,结构钢硬度在最佳切削范围内;另外还可以避免热轧原料完全退火后出现的带状组织,改善材料的切削加工工艺性能。
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2:
[发明]
一种消除亚共析钢中粗大魏氏组织的强磁场真空退火方法
申请号:
200710012002.2
公开号:CN101082076 主分类号:C21D9/00(2006.01)I
申请人:
东北大学
申请日:2007.07.09 公开日:2007.12.05
发明人:
王守晶
;
赵 骧
;
何长树
;
左 良
摘要:一种消除亚共析钢中粗大魏氏组织的强磁场真空退火方法,包括以下步骤:工件装炉;将真空热处理炉内真空度升高至6×10
-3
Pa~8×10
-3
Pa;将磁场强度升高至大于10T以上;将工件以真空热处理炉的最大升温速度加热至Ae
3
+30K,保温(1~1.5min/mm),进行奥氏体化;以小于30K/min的冷却速度将奥氏体化后的工件冷却至873K,然后随炉冷却至室温,再撤去磁场及真空。该方法用于亚共析钢的热处埋,可以消除普通处理方法所难以消除的粗大魏氏组织铁素体,抑制了对机械性能具有破坏作用的粗大的先共析魏氏组织铁素体的析出,得到均匀的细小弥散的显微组织,提高亚共析钢的机械性能。另外,施加强磁场热处理可以增加先共析铁素体析出的面积百分含量,提高了亚共析钢的塑性变形能力。
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3:
[发明]
激光增材快速成型烧结热等静压制备稀土永磁体的方法
申请号:
201410697427.1
公开号:CN104377027A 主分类号:
申请人:
东北大学
申请日:2014.11.27 公开日:2015.02.25
发明人:
裴文利
;
何长树
;
李金国
摘要:一种激光增材快速成型烧结热等静压制备稀土永磁体的方法,属于材料技术领域,按以下步骤进行:(1)准备Nd/Pr/Dy-Fe-B微粉;(2)在3D打印设备的控制计算机上编制好程序;(3)将基板安装到工作台上,并调节激光功率,控制光斑大小;(4)用高压氮气或氩气将Nd/Pr/Dy-Fe-B微粉吹入送料管道中,调节输送量;(5)将Nd/Pr/Dy-Fe-B微粉喷到基板上,通过电磁铁施加磁场,将激光辐照到基板上的Nd/Pr/Dy-Fe-B微粉上;按程序依次扫描烧结,获得磁体粗坯;(6)将磁体粗坯进行热等静压烧结。本发明的方法获得的产品可经过抛光后去掉粗糙表面和氧化皮等表面缺陷后,可直接使用,无需切片、打磨、线切割等后加工工序。
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4:
[发明]
一种搅拌摩擦加工预防铝合金搭接焊晶界液化裂纹的方法
申请号:
201710254926.7
公开号:CN107150165A 主分类号:B23K20/12(2006.01)I
申请人:
东北大学
申请日:2017.04.19 公开日:2017.09.12
发明人:
何长树
;
张志强
;
李颖
;
田妮
摘要:一种搅拌摩擦加工预防铝合金搭接焊晶界液化裂纹的方法,在采用熔焊对铝合金厚板搭接焊之前,对参与焊缝形成的厚板端面进行搅拌摩擦加工预处理,预处理部位由于受到摩擦热和剧烈塑性变形作用,原纤维状晶粒发生完全动态再结晶,形成细小的等轴晶,晶界处的低熔点共晶相弥散分布,提高该部位抗晶界液化开裂的能力。搅拌摩擦加工头主要由夹持柄、轴肩和搅拌针三部分组成。搅拌头材料为:马氏体不锈钢、或工具钢。搅拌摩擦加工参数为搅拌头转数为500‑2000r/min,行进速度为20‑100mm/min,搅拌针倾斜角度为0‑5°。分别按顺序对板材厚度方向的四个加工面进行搅拌摩擦处理,即获得抗裂性良好的搭接焊接板材。
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5:
[发明]
一种硒化镉薄膜材料的制备方法
申请号:
201710618018.1
公开号:CN107604339A 主分类号:C23C16/30(2006.01)I
申请人:
昆明理工大学
申请日:2017.07.26 公开日:2018.01.19
发明人:
刘翔
;
何利利
;
张明
;
吴长树
摘要:本发明涉及一种硒化镉薄膜材料的制备方法,属于半导体制造技术领域。本发明在Si衬底上制备得到InAs薄膜材料;在真空条件下,将硒单质、镉单质预沉积在InAs薄膜材料上得到CdSe缓冲层;将硒单质、镉单质沉积生长CdSe缓冲层上,冷却即得硒化镉薄膜。本发明在III‑V族衬底材料上生长II‑VI族薄膜的方法简单,对仪器设备要求低、成本低、易于操作;制备得到的硒化镉薄膜的表面平整、均匀。
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6:
[发明]
一种管道修复装置及修复方法
申请号:
202210074823.3
公开号:CN114440049A 主分类号:F16L55/134
申请人:
广东省第五建筑工程有限公司
申请日:2022.01.21 公开日:2022.05.06
发明人:
刘福长
;
陈树展
;
何建新
摘要:本申请涉及一种管道修复装置及修复方法,涉及管道修复技术领域。其包括导轨气囊,所述导轨气囊的一端设置有保护柱体,所述保护柱体的侧壁上设置有固定杆,所述固定杆远离保护柱体的一端设置有保护壳体,所述保护壳体套设于导轨气囊上,所述保护壳体靠近固定杆的一侧上开设有滑移槽,所述固定杆远离保护柱体的一端插设于滑移槽内,所述固定杆与滑移槽滑动连接,所述保护柱体的侧壁上设置有驱动轮,所述保护柱体的侧壁上设置有用于使得驱动轮转动的驱动电机,所述驱动轮与保护壳体的内侧壁贴合设置。本申请中的管道修复装置在插设入管道并将其移动至管道破损处的过程中,气囊不易损坏。
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7:
[发明]
试验核反应堆用多轴旋转闸门
申请号:
00124425.6
公开号:CN1281226 主分类号:G21C11/02
申请人:
清华大学
申请日:2000.09.01 公开日:2001.01.24
发明人:
施永长
;
何忠良
;
盛选禹
;
何树延
;
于溯源
摘要: 本发明为大功率高通量试验核反应堆用旋转闸门,其采用5个整体转盘,主轴不贯穿中心,依靠转盘外小轮沿外壳内沿旋转,大大提高了水平中子孔道的屏蔽中子和γ射线的能力。
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8:
[发明]
对羟基肉桂酸的新用途
申请号:
201010109913.9
公开号:CN101780064A 主分类号:A61K31/192(2006.01)I
申请人:
中国农业大学
申请日:2010.02.08 公开日:2010.07.21
发明人:
何润春
;
何诚
;
张发明
;
李树梅
;
欧长波
摘要:本发明公开了对羟基肉桂酸在制备防治畜禽病毒病或细菌病药物中的新用途,该产品能防治畜禽病毒性、细菌性疾病、提高畜禽的生产性能。体内和体外试验表明,对羟基肉桂酸具有防治鸡毒支原体、牛大肠杆菌等引起的疾病。体内试验表明防治家禽法氏囊病毒病、禽支原体病、禽流感H9、H5亚型病毒感染的作用。
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9:
[发明]
对羟基肉桂酸的新用途
申请号:
201110276083.3
公开号:CN102293764A 主分类号:A61K31/192(2006.01)I
申请人:
中国农业大学
申请日:2010.02.08 公开日:2011.12.28
发明人:
何润春
;
何诚
;
张发明
;
李树梅
;
欧长波
摘要:本发明公开了对羟基肉桂酸在制备防治畜禽病毒病或细菌病药物中的新用途,该产品能防治畜禽病毒性、细菌性疾病、提高畜禽的生产性能。体内和体外试验表明,对羟基肉桂酸具有防治鸡毒支原体、牛大肠杆菌等引起的疾病。体内试验表明防治家禽法氏囊病毒病、禽支原体病、禽流感H9、H5亚型病毒感染的作用。
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10:
[发明]
一种利用高强梯度磁场制备梯度复合材料的方法和装置
申请号:
200610046958.X
公开号:CN1865465 主分类号:C22C1/00(2006.01)I
申请人:
东北大学
申请日:2006.06.19 公开日:2006.11.22
发明人:
王 强
;
何长树
;
赫冀成
;
王春江
摘要:一种利用高强梯度磁场制备梯度复合材料的方法,首先将金属原料或金属预制件放入铸模中,置于强磁场装置中的特定梯度磁场位置,使加热炉处于真空或保护气氛下;利用感应或电阻加热装置使金属原料熔化,保温20min以上使其充分熔解;施加不同的磁场强度和方向等磁场条件,控制一定的凝固速度使熔体冷却凝固,然后随炉空冷至室温,制得梯度复合材料。装置主要由强磁场发生装置、真空加热炉、铸模、感应或电阻加热装置、冷却水套构成,利用原位生成或外部添加第二相和金属基体在梯度强磁场中所受磁化力不同,对第二相分布进行有效控制,最大的优点是控制第二相在液态基体中分布的外力是通过不直接接触凝固体系的方式施加的,不需要任何传播介质。
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