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发明专利:66实用新型: 15外观设计: 2
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申请号:200680047960.7 公开号:CN101340988 主分类号:B21D5/08(2006.01)I
申请人:株式会社三鼎包装和铝 申请日:2006.12.13 公开日:2009.01.07
发明人:金炳龙;全泰仁
摘要:在用于制造材料卷保护用外圈的设备中,供料器沿预定方向供给制造外圈用的板材。切割部分将从供料器传送来的板材切割成匹配材料卷外周的长度。转换部分将切割的板材的水平传送方向转换90度变成竖直方向。加工部分将传送来的板材相对板材的宽度中心弯成直角,并对弯曲的板材的水平表面施压而将其弯成圆,然后将变成圆的板材加工成外圈。另外,控制器控制供料器、切割部分、转换部分和加工部分的操作。根据本发明,外圈适合于材料卷的外周,从而安全地保护材料卷不受外界物理冲击的损坏或者沾污。
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申请号:202280066846.8 公开号:CN118076976A 主分类号:G06T15/00
申请人:柯镂虚拟时尚股份有限公司 申请日:2022.10.19 公开日:2024.05.24
发明人:金泰亨;全仁建
摘要:根据一实施例的渲染结果测试方法包括以下步骤:基于由第一渲染生成的三维模型的正交投影(Orthographic Projection),生成作为二维图像的至少一个正确数据;基于由第二渲染生成的三维模型的正交投影,生成作为二维图像的至少一个测试对象数据;以及基于至少一个正确数据和与至少一个正确数据中的每一个相对应的至少一个测试对象数据之间的差异,判断第二渲染是否存在错误。
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申请号:201980007053.7 公开号:CN111567076A 主分类号:H04W12/08
申请人:三星电子株式会社 申请日:2019.01.11 公开日:2020.08.21
摘要:提供了一种用户终端设备。该用户终端设备包括:存储装置,其被配置为存储共享预定加密方案的外部电子设备的标识信息;通信器,其包括通信电路;以及处理器,其被配置为控制用户终端设备:基于预定加密方案在加密模式下对请求输入进行加密,通过通信器向外部服务器发送包括电子设备的标识信息的加密后的请求,以及基于从服务器获得的对加密后的请求的加密后的响应,根据预定加密方案对加密后的响应进行解密并提供加密后的响应。
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申请号:202280066192.9 公开号:CN118043793A 主分类号:G06F13/38
申请人:三星电子株式会社 申请日:2022.08.11 公开日:2024.05.14
摘要:提供了一种电子设备。电子设备包括显示器,第一数据接口电路,第一数据接口电路包括用于与外部设备连接的端口并且被配置为与外部设备交换串行数据,至少一个处理器,至少一个处理器可操作地与第一数据接口电路连接,以及存储器,存储器可操作地与至少一个处理器连接,存储器存储指令,指令使至少一个处理器:分配多个输入/输出端口用于并行处理从第一数据接口电路接收的串行数据并且通过第一数据接口电路从外部设备接收第一信号,响应于第一信号被接收而识别多个输入/输出端口中被设置为处于活动状态的端口,通过使用被识别为处于活动状态的端口来识别第一信号,以及显示信息。
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申请号:201480056485.4 公开号:CN105684216A 主分类号:H01Q7/00(2006.01)I
申请人:株式会社帕特仑 申请日:2014.12.19 公开日:2016.06.15
摘要:本发明提供一种便携式终端。所述便携式终端包括:便携式终端主体;NFC用环形天线单元,该NFC用环形天线单元包括作为开口部的卷绕中心部和环形线圈部;及金属壳体,该金属壳体与所述环形天线单元电连接,包括与所述开口部相对布置的狭缝部,由导电材料制成,结合于所述便携式终端主体的下部。
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申请号:201610286441.1 公开号:CN106095038A 主分类号:G06F1/26
申请人:三星电子株式会社 申请日:2016.05.03 公开日:2016.11.09
摘要:本发明提供一种用于在电子设备中防止电池膨胀的设备和方法。电子设备的操作方法包括检查该电子设备的温度和电池的充电状态(SoC)、基于该电子设备的温度和该电池的SoC来决定是否要给该电池放电。以及响应于电池放电的决定来给该电池放电。
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申请号:201611262843.4 公开号:CN106935542A 主分类号:H01L21/762(2006.01)I
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2016.12.30 公开日:2017.07.07
摘要:本揭露为提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在开口中沉积第一介电层,第一介电层包含半导体元素及非半导体元素。此方法还包括在第一介电层上沉积半导体层,半导体层包含与半导体元素相同的第一元素。此方法还包括将第二元素引入至半导体层,其中第二元素与非半导体元素相同。此方法还包括:对半导体层应用热退火制程,以将半导体层改变为第二介电层。
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申请号:201811337036.3 公开号:CN109440787A 主分类号:E02D17/20(2006.01)I
申请人:中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司 申请日:2018.11.12 公开日:2019.03.08
摘要:本发明提供一种倾倒变形岩体中工程边坡与地下洞室同时开挖与支护的结构及方法,工程边坡采用分级开挖,地下洞室采用上、下半洞室分别开挖。首先进行地下洞室顶部高程以上的边坡上段的开挖与预应力锚索及框格梁支护,再进行洞室上半洞的开挖与喷锚及混凝土衬砌支护,之后进行地下洞室高程范围内边坡中段的开挖,随后在地下洞室与边坡中段之间进行对穿预应力锚索及混凝土框格梁支护,再进行地下洞室高程以下边坡下段的开挖与预应力锚索及框格梁支护,最后再进行洞室下半洞的开挖与喷锚及混凝土衬砌支护。本发明所提供的结构及方法能够确保倾倒变形破碎岩体中工程边坡与地下洞室同时开挖顺利实施,并确保工程边坡与地下洞室的稳定与安全。
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申请号:202110708945.9 公开号:CN113437023A 主分类号:H01L21/8234
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司 申请日:2016.12.30 公开日:2021.09.24
摘要:本揭露为提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在开口中沉积第一介电层,第一介电层包含半导体元素及非半导体元素。此方法还包括在第一介电层上沉积半导体层,半导体层包含与半导体元素相同的第一元素。此方法还包括将第二元素引入至半导体层,其中第二元素与非半导体元素相同。此方法还包括:对半导体层应用热退火制程,以将半导体层改变为第二介电层。
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申请号:202080027239.1 公开号:CN113661587A 主分类号:H01M4/13
申请人:SK纳力世有限公司 申请日:2020.11.13 公开日:2021.11.16
摘要:本发明的一实施例提供一种电解铜箔,包括铜层,所述电解铜箔具有0.8至12.5的谷平均粗糙度(Valley Mean Roughness),0.49至1.28的(220)面的结构系数[TC(220)],25至51kgf/mm2的抗拉强度,以及3%以下的宽度方向重量偏差。
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