摘要：本发明公开了一种超精密金属机械零部件的加工方法，通过纳米压印方法制备得到所需的精密金属零件形状的凹形模板；利用凹形模板，通过LIGA工艺制备得到所需精密金属零件。本发明突破零件厚度限制，达到机械加工所无法达到的精度，填补了半导体加工和精密机加工中间从几十微米至毫米级精密加工的空白，零件精细部分一次成型，加工精密度高，可达到几十纳米级别，沿深度方向的直线性和垂直度好，可在加工过程中直接完成零件装配，装配精度高，设备简单，成本低、产能高，可以平行大批量加工。

摘要：本发明公开了本发明提供一种真空负压纳米压印方法，其利用环境真空在500Pa以下实现的虹吸效应增强效应，使液态的纳米压印材料自动填充纳米压印模版表面结构，避免了接触气泡、结构填充不均匀、填充慢、压印模版变形限制压印精度等缺点。

摘要：本发明提供一种具有防伪信息的金属配件及其制备方法，包括步骤：（1）设计能够投射出防伪信息的三维衍射光学结构；（2）在硅片上制作三维衍射光学结构；（3）对硅片表面喷镀电镀用的第一种子层；（4）对硅片表面电镀第一金属，然后去除硅片，得到金属注塑模具；（5）利用金属注塑模具制备表面带有三维衍射光学结构塑料基体；（6）在塑料基体表面喷镀电镀用的第二种子层；（7）对塑料基体表面电镀与所述第二种子层材质相同的第二金属，然后去除塑料基体，得到所述金属配件。所述配件主体为片状，边缘切设有一直边，且与所述直边对应切设有一缺

摘要：本发明提供了一种用于三维曲面纳米级压印的方法、装置及模具制备方法，涉及纳米级压印。所述纳米级压印装置包括：母模板，其顶部形成有设定凹凸形状；基底，其顶部形成有被压印三维曲面；PDMS胶层，其底面与所述母模板顶部固化后覆盖于所述被压印三维曲面；保持机构，通过与覆盖于所述被压印三维曲面的所述PDMS胶层对接固化，使所述PDMS胶层底面固化为将所述设定凹凸形状压印于所述被压印三维曲面上的压印模具。从而实现将设定凹凸形状压印在被压印三维曲面上，也就是实现在曲面基底上微结构的压印。

摘要：本发明提出一种用于定位晶圆的辅助装置，包括，基盘，在所述基盘的上表面上，自所述基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组，晶圆放置在所述基盘的上表面上，且晶圆可覆盖任意一个或多个所述真空槽组；定位装置，可拆卸连接于所述基盘的上表面的不同位置上，晶圆与所述定位装置相抵，以在所述基盘上定位晶圆；真空装置，与所述真空槽组连通，以在所述真空槽组内产生负压用以固定晶圆。本发明定位晶圆时不触碰光刻面，不损坏或者污染光刻面，同时，能够根据晶圆的缺口精确定位晶圆的晶向和晶圆上纳米结构的方向，不仅设计简洁，而且造价低，实用性强。

摘要：本发明提出一种用于晶圆定位的定位装置，基盘，自基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组，晶圆放置在基盘的上表面上，晶圆的底部可覆盖任意一个或多个真空槽组；定位装置，具有多个不同的定位部，以对应不同尺寸或形状的晶圆，多个不同的定位部上对应设置有不同的定位端，以使不同的定位端对应适配不同尺寸或形状的晶圆的外边缘，定位部可自基盘的底端穿过基盘移动至基盘上方，以定位晶圆；真空装置，与真空槽组连通，以使真空槽组内产生负压固定晶圆。一种采用用于晶圆定位的定位装置的纳米压印机。本发明根据晶圆的缺口定位精准，不仅定位了晶圆的晶向方向，也定位了晶圆上纳米结构的方向，且整个定位过程中不接触晶圆的光刻面。

摘要：本发明提出一种用于基片补偿定位的定位装置，包括：基盘，其上表面设置有第一真空槽组以及第二真空槽组；定位装置，其放置于所述基盘的上表面，且底部覆盖所述第一真空槽组和/或第二真空槽组，所述定位装置的中心设置有与基片尺寸相同的容纳槽，所述容纳槽贯通所述定位装置，基片位于所述容纳槽内，所述定位装置的上表面与基片的上表面位于同一水平面内；真空装置，其与所述第一真空槽组及第二真空槽组连通，以将基片以及所述定位装置真空吸附在所述基盘的上表面上。本发明易制作，造价低，且使用方法非常简单，能实现各种形状的基片的精确定位，并且根据基片的厚度进行厚度补偿，同时又能避免了溢出的胶体流入基盘内，进而延长基盘的使用寿命。

摘要：本发明提出一种纳米压印设备，包括：下基盘，其上设置有透光区，且在下基盘上放置有PET，PET的表面增粘处理，胶体滴至PET上；紫外固化装置，其位于下基盘下方，以通过透光区射向PET；竖向移动机构，其具有可竖向移动的支撑臂；上基盘，可翻转的连接于支撑臂上，且上基盘位于下基盘上方，其吸附面朝向下基盘；真空发生装置，其与上基盘以及下基盘连接。一种压印方法，包括以下步骤：1)、上料；2)、固定晶圆及PET；3)、滴胶；4)、压印；5)、固化。本发明中溢出的胶体由于重力原因沿PET流动，不会将晶圆粘在下基盘上，避免损坏晶圆，压印时，上基盘的吸附面与下基盘的吸附面上的PET平行，保证了压印质量以及合格率。

摘要：本发明提出一种对中上料装置，包括：上料机构，具有可放置基底的叉状的承托部，在承托部上，与基底的接触面上设置有上料固定部，以固定基底，承托部可伸缩用于上料基底；对中定位机构，具有两个对中定位部，两个对中定位部分别位于承托部两侧，呈相对设置，且两个对中定位部可同步向承托部移动，并与基底外边相抵；旋转定位机构，其位于叉状的承托部中心，旋转定位机构具有可旋转的固定部，以及与固定部连接的伸缩部；检测机构，具有检测头，检测到基底上的缺口后，控制所述固定部停止旋转。一种纳米压印设备，采用对中上料装置。本发明能够精确定位基底的边缘和缺口，使晶圆和基底准确定位，提高压印时的准确性以及成品率，降低生产成本。

摘要：本发明提出一种用于纳米压印设备的UV灯监测装置，包括：具有容纳腔的壳体，UV灯位于壳体内，在壳体内连接有导轨，在UV灯下方，与导轨滑动连接有滑杆，滑杆通过驱动装置驱动其沿导轨移动，在滑杆上连接有三个UV灯能量监测探头，还包括与UV灯能量监测探头以及驱动装置电性连接的控制系统。一种UV灯监测方法，包括以下步骤：S1、根据UV灯的尺寸在控制系统中设置滑杆移动的行程；S2、控制系统控制驱动装置驱动滑杆移动，在三个位置监测点A、B、C监测能量数据并反馈至控制系统；S3、控制系统计算并输出9点能量数据的各点偏差。本发明可对UV灯的能量及均匀性进行实时监测，无需人工干预，自动完成监测，节约时间及人工成本。