摘要：本发明实施例提供了一种3D NAND flash的电压控制方法和装置，其中，基于编程操作的3D NAND flash电压控制方法包括：预先将所述3D NAND flash的字线WL分成若干个字线组；其中，每个字线组中字线WL孔径的最大差值小于等于预设阈值，每个字线组具有对应的预设编程电压；每个字线组中字线WL的物理地址连续；当选中所述3D NAND flash的某个字线WL进行编程操作时，对所选中字线WL，施加所选中字线WL对应字线组的预设编程电压。本发明实施例可以避免编程操作时数据出错的问题，提高了可靠性。

摘要：本发明公开了一种存储单元的擦除方法，其特征在于，包括：S1、接收编程操作指令；S2、对存储单元进行选择，选中的存储单元的字线以及位线接第一编程电压，未被选中的存储单元的字线悬空，位线接电压源；S3、对选中的存储单元的字线加编程脉冲；S4、对选中的存储单元的阱CWELL加擦除电压脉冲；S5、进行编程验证，如果验证成功则结束编程操作，否则执行步骤S2。本发明实施例提供的一种存储单元的擦除方法，在每次对存储单元编程后，通过在存储单元的阱上加擦除脉冲，以实现擦除掉存储单元表层俘获的电子，进而增强存储单元对数据的保持特性。

摘要：本发明实施例公开一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，该方法包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出的所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本发明实施例仅需要至少一个标记锁存器记录坏列信息，并且标记锁存器的位置可以自由设计，与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，由此可大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。

摘要：本发明公开了一种NAND FLASH闪存中状态码的验证方法和装置，该方法包括：根据状态码占位数量确定多个候选状态码；从所述多个候选状态码中查找含有的置零位数量与状态序号对应的目标状态码，除擦除状态以外所述状态序号越大相应目标状态码含有的置零位数量越小；将原状态码替换为所述目标状态码；对所述目标状态码进行编程验证。按照本发明提供的状态码能够由小到大对多个状态的状态码进行编程验证时，序号较小的状态码含有的置零位数较多，且每个状态码被识别后相应的目标状态码会被排除，因此可实现每个状态码只需要预充一次总线即可进行程序检验，大幅减少总线预充次数，提高编程验证效率。

摘要：本发明实施例公开了一种NAND Flash的数据处理方法及装置。所述NAND Flash的数据处理方法包括：隔离寄存器记录存储列组的好坏状态；若所述隔离寄存器中记录待处理的目标存储列组为坏组，则控制寄存器对数据总线和所述目标存储列组的下一存储列组执行数据处理操作。本发明实施例的方案简化了在读取或写入缓存数据时寻找外部访问的逻辑地址对应的实际物理地址的过程，减少了耗时。

摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器的纠错方法和装置，其中，所述非易失存储器的纠错方法，具体包括：周期性地对非易失存储器样本中页执行读、写和擦除操作；依据所述非易失存储器样本中页在所述读、写和擦除操作过程中错误数据出现的数目和位置，统计非易失存储器中页的错误数据分布规律；依据所述页的错误数据分布规律对页进行区域划分，针对不同区域确定对应的纠错码；利用各区域对应的纠错码，进行各区域的纠错处理。本发明实施例能够防止资源冗余或浪费，从而可以提高非易失存储器的纠错效率。

摘要：本发明公开了一种Nand Flash的擦除方法，该方法包括：对待擦除块进行擦除验证；如果所述待擦除块通过擦除验证，则直接结束对待擦除块的操作；否则对待擦除块进行擦除操作。利用该方法可以避免对待擦除块的无效擦除，进而降低Nand Flash的无效擦除损耗，同时增大对Nand Flash的有效擦除次数，达到延长Nand Flash使用寿命的目的。

摘要：本发明公开了一种3D Nand闪存设备及其制作方法。该3D Nand闪存设备包括：P型衬底、多个阵列串、常规源线CSL，还包括：至少一层隔离层和至少一个P型阱区，其中：所述CSL形成于P型衬底内；在P型衬底上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第一存储层；且在一个P型阱区上形成有多个阵列串，由第一介质层隔开，构成第i存储层，1<i≤M，M为所述3D Nand闪存中P型阱区的个数；所述隔离层与所述存储层交错堆叠。本发明的有益效果主要体现在：降低了沟道孔制作的难度及制作成本，提高了沟道孔的均匀度；也避免了直接叠加阵列串时阵列串之间沟道孔的交叠处对电场分布的影响，达到了低成本、高存储单元优良率扩大3D Nand闪存存储容量的目的。

摘要：本发明公开了一种Nand Flash的编程方法，包括：基于字线地址确定当前编程页要施加的初始编程电压值，在设定时间内加压编程；确定当前编程页进行编程验证的起始编程状态，并启动编程验证；若编程验证失败，则以设定步进值抬升当前编程电压，之后进行编程验证；重复当前步骤，直到编程验证成功，停止编程操作。本发明能够解决现有编程方法编程速度慢，编程精度低的问题，利用本方法，大大降低了整个编程操作的时间消耗，很大程度的提高了编程速度，同时也有效提高了Nand Flash的编程精度。

摘要：本发明公开了一种Nand Flash的编程方法，包括：对编程页施加编程电压；当满足第1状态编程验证启动条件后启动第1状态编程验证；设置m＝1，m为所述Nand Flash的编程状态序号，1≤m≤M，M＝2ⁿ-1，n为Nand Flash存储单元具有的比特位；基于第m状态的扫描结果判定是否启动第m+1状态编程验证，如果满足则启动第m+1状态的编程验证并扫描处于第m+1状态的存储单元；然后依据上述步骤循环判定是否启动相应编程状态的编程验证，直至m≥2ⁿ-1且第m状态达到最大验证次数，停止编程验证的判定并结束编程操作。利用该方法，可以大大降低整个编程操作的时间消耗，很大程度的提高编程速度，同时也避免了编程操作时峰值电流和功耗产生影响。