摘要：电饭煲，包括煲体组件、铰接在煲体组件上的煲盖组件、用于排气的泄压组件、用于开盖的开盖组件及按钮组件，所述泄压组件包括连通煲体内外的排气通道、设于排气通道上的压力球、推动所述压力球使煲体泄压的电磁铁组件、及推动所述电磁铁组件的联动机构；所述开盖组件包括与煲体组件配合合盖的开盖扣板、由煲体内压力控制升降的浮子阀、及与升起的浮子阀配合阻挡开盖扣板动作的滑块组件；所述按钮组件包括按钮本体、设置在按钮本体上的推动开盖组件动作的推杆和推动泄压组件动作的顶杆，所述按钮组件动作时所述顶杆推动泄压组件动作的时间早于所述推杆推动开盖组件动作的时间，所述开盖组件的动作时间是在煲体内压力低于预设值使浮子阀下降的时候。

摘要：一种电饭煲蒸汽阀，其安装于电饭煲面盖上，包括阀座；阀盖，与上述阀座配合安装；排气通道，形成于上述阀座与阀盖内；所述阀盖上设有可沿阀盖轴向在第一位置与第二位置之间移动的拉手；拉手处于第一位置，其上端伸出阀盖面；拉手处于第二位置时，其上表面与阀盖上表面共面或其上表面与阀盖上表面连接成圆滑过渡的弧面；限位部，设于阀盖上，可使拉手保持在第一位置；第一弹簧，套设于所述拉手外围，一端抵靠拉手一端抵靠阀盖；伸缩器，其具备一个伸张位与收缩位及使该伸缩器在伸张位与收缩位变化的制动端；伸缩器处于伸张位时，拉手保持在第一位置；伸张器处于收缩位时，拉手保持在第二位置。

摘要：一种基于分布式光纤声音监测和分布式光纤温度监测的水力压裂监测方法，利用单模感声光纤从井下反射回来的声音信号和利用多模感温光纤从井下反射回来的温度信号进行处理后得到：水力压裂过程中各压裂段的压开情况、和/或压后生产过程中各压裂层段的实时流量，和或/含水情况。本发明所述监测方法属于一种近场监测，能够实时监测压裂层段内各个射孔孔眼的压裂情况；一次入井可以实现多级水力压裂监测，并能监测当前压裂层段对相邻已压裂层段的影响。

摘要：本发明公开了一种图像的检索类别确定方法，包括：将待查询图像输入至预设的图像分类网络模型中，以输出待查询图像对应的第一图像特征编码及其属于多个第一图像类别的第一概率；计算第一图像特征编码与图像库中的每个样本图像的第二图像特征编码的第一相似度值，以选取出第一预设数量的目标图像，其中，各个目标图像携带有与待查询图像相关的第二相似度值及第二图像类别；基于待查询图像属于多个第一图像类别的第一概率、每一张目标图像的第二相似度值及第二图像类别确定待查询图像的最终检索类别。本发明提高了最终检索类别确定的准确度。

摘要：本发明公开的一种墙面瓷砖铺设装置，所述支撑件二上还设有间歇式推动组件，所述滑道二上活动卡接有涂抹检测组件，所述涂抹检测组件与间歇式推动组件活动连接，所述支撑件一上安装有搅拌组件，所述搅拌组件与间歇式推动组件相连，所述滑道一上活动安装有移动贴合组件，所述滑道一上还活动安装有瓷砖固定组件，所述瓷砖固定组件的一端活动设于移动贴合组件内。本发明属于瓷砖铺设技术领域，尤其涉及一种墙面瓷砖铺设装置，能够均匀的铺设瓷砖粘结剂，同时还能对墙体的平整度进出检测、以及对涂抹后的墙体实现自定位铺设的技术效果，能够对瓷砖粘结剂进行搅拌、翻动，保证液体的均匀性。

摘要：一种硅通孔刻蚀方法，包括：提供待刻蚀硅衬底；对所述待刻蚀硅衬底进行刻蚀；在刻蚀过程中，刻蚀气体和侧壁保护气体同时通入等离子体刻蚀腔体，并控制刻蚀腔体压力在高气压阶段和低气压阶段之间交替变化，直至刻蚀完成。本发明较有效率的刻蚀硅衬底，提高了工艺效率。

摘要：本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III-V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层。

摘要：本发明公开了一种畜禽养殖废水处理方法，利用调节预处理池、初沉池、氨汽提塔、厌氧水解池、厌氧氨氧化池、生物强化池、好氧活性污泥池、缺氧池、二沉池、絮凝沉淀池及脱水机组成的成套工艺，对高浓度畜禽养殖废水进行经济、高效处理，确保了畜禽废水得以顺利稳定处理，缓解了养殖户的经济负担，同时解决了污染问题。

摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且与第一III-V化合物层在成分上不同。载流子沟道位于第一III-V化合物层与第二III-V化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V化合物层上。栅电极设置在源极部件与漏极部件之间的第二III-V化合物层上。氟区嵌入栅电极下方的第二III-V化合物层中。扩散势垒层设置在第二III-V化合物层的顶部。栅极介电层设置在第二III-V化合物层上方。栅极介电层具有位于氟区上并位于至少部分栅电极下方的氟段。本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。

摘要：本发明提供了集成电路装置及其制造方法。集成电路装置包括从器件间隔离区的表面突出的双峰突起。为了制造该集成电路装置，在衬底的器件间隔离区中形成多个凹槽，通过部分地去除多个凹槽之间的衬底的表面来形成凹坑，通过蚀刻器件区和器件间隔离区中的衬底，在器件区中形成至少一个鳍式有源区域，并且在器件间隔离区中从衬底的表面形成双峰突起。