摘要：

摘要：本发明涉及一种调整一维纳米材料的形状和方向的方法，利用脉冲激光束按选定方向照射一维纳米材料阵列，形成锥形的尖端，改变其形状及方向，并清洁阵列的上表面，从而降低场发射电场阀值，消除电场屏蔽效应，提高场发射效果。

摘要：本发明揭示一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂合金颗粒、以及从催化剂合金颗粒上长出的碳纳米管阵列，该催化剂合金颗粒含有影响碳纳米管生长速度的材料，所生长的碳纳米管阵列具有向一特定方向弯曲的特性。本发明提供的碳纳米管阵列向一预定的方向弯曲，丰富碳纳米管器件设计的多样性，为碳纳米管器件的设计提供更多的选择空间。本发明同时还揭示了一种生长上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的表面形成一催化剂层，该催化剂层的厚度均匀一致；(2)在催化剂层上沉积至少两种影响碳纳米管长生速度的调节材料；(3)在含氧气氛中退火，使催化剂层氧化成为催化剂颗粒；(4)通入碳源气，生长碳纳米管。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射装置，其包括碳纳米管阵列，以及位于该碳纳米管阵列上面并与之连成一体的多个碳纳米管束尖端，该尖端具有预定间距，可降低或消除碳纳米管发射元件之间的电场屏蔽效应，降低场发射电压，提高场发射效率。

摘要：本发明提供一种在金属基底上生长碳纳米管阵列的方法，其包括以下步骤：提供一金属基底；在金属基底表面上沉积一层硅过渡层；将催化剂沉积于该硅层表面；通入碳源气反应，长出碳纳米管阵列。通过本发明的方法可实现在金属基底上生长碳纳米管阵列，而且对金属基底材料基本无选择性。本发明还提供一种生长在金属基底上的碳纳米管阵列。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管及其制备方法和实现该方法的装置。本发明的碳纳米管包括由单一同位素组成的第一碳纳米管片段和第二碳纳米管片段，该第一碳纳米管片段和第二碳纳米管片段沿碳纳米管的纵向交替排列。本发明的制备方法的改进之处在于反应中按照预定的浓度和顺序交替使碳的不同同位素参与反应。对于化学气相沉积法而言，在反应中交替通入分别含有不同同位素的碳源气以使不同同位素参与反应；对于电弧放电法而言，在反应中交替在不同同位素阳极之间切换电源以使不同同位素参与反应；对于激光烧蚀法而言，在反应中将激光交替照射在不同同位素靶上以使不同同位素参与反应。本发明还公开了实现上述制备方法的装置。

摘要：本发明揭示一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂层、以及从催化剂层上长出的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列具有向一方向弯曲的特性。本发明提供的碳纳米管阵列具有向一预定的方向弯曲，丰富碳纳米管器件设计的多样性，为碳纳米管器件的设计提供更多的选择空间。本发明同时还揭示了一种制备上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的表面形成一催化剂层，该催化剂层的厚度均匀一致；(2)在催化剂层上沉积一层影响碳纳米管长生速度的材料；(3)在含氧气氛中退火，使催化剂层氧化成为纳米级催化剂颗粒；(4)通入碳源气，生长碳纳米管。

摘要：本发明涉及一种碳纳米管和其制备方法。本发明的碳纳米管由两种以上的单一同位素混合组成，其中，该混合成份的同位素混合比例沿管长方向呈周期性或非周期性变化。本发明的制备方法在反应中按照预定的浓度和顺序交替使碳的不同同位素参与反应。对于化学气相沉积法而言，在反应中交替通入分别含有不同同位素的碳源气以使不同同位素参与反应；对于电弧放电法而言，在反应中交替在不同同位素阳极之间切换电源以使不同同位素参与反应；对于激光烧蚀法而言，在反应中将激光交替照射在不同同位素靶上以使不同同位素参与反应。

摘要：本发明涉及一种掺有同位素碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤：提供一碳棒，该碳棒包括至少两个具有预定厚度的不同单一碳同位素片段，其中，沿棒长方向不同同位素片段可任意组合；提供一碳纳米管收集装置；将该碳棒与该碳纳米管收集装置放入反应室中，并使碳纳米管收集装置置于该碳棒一侧；用置于该碳棒另一侧的脉冲激光照射该碳棒，使该碳棒提供的碳的同位素发生反应并使反应生成的碳纳米管沉积于收集装置上。

摘要：本发明涉及一种掺有同位素碳纳米管的制备方法，包括如下步骤：设置一碳棒作为阳极，该碳棒包括至少两个具有预定厚度的不同单一同位素片段，其中，沿棒长方向不同同位素片段可任意组合；设置一与该碳棒相对应设置的阴极；使该碳棒与该阴极发生电弧放电，使该碳棒提供的不同同位素片段按预定次序发生反应，生成掺有不同同位素的碳纳米管，沉积于该阴极上。