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3519
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2069
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1:
[发明]
用于硅片印刷设备的自动换纸方法及系统
申请号:
201310452538.1
公开号:CN103507399A 主分类号:B41F17/00(2006.01)I
申请人:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
申请日:2013.09.29 公开日:2014.01.15
发明人:
刘玉倩
摘要:本发明公开了一种用于硅片印刷设备的自动换纸方法及系统,该方法包括如下步骤:获取该硅片印刷设备各台面的换纸次数阈值;根据各台面的换纸次数阈值,并依据各台面与换纸位的相对关系,利用各台面的电机转动次数计算公式获得各台面的电机转动次数阈值;启动计数器;判断计数器计数的结果是否到达各台面的电机转动次数阈值中的任一个;于计数结果到达某一台面的电机转动次数阈值时,发出报警提示,提示操作员进行该台面的换纸操作,通过本发明,可以快速有效地进行印刷台面纸张的更换,有效地提高了电池片的印刷精度和生产效率。
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2:
[发明]
一种治疗糖尿病周围性神经病变的中药
申请号:
201410394139.9
公开号:CN104225221A 主分类号:
申请人:
刘倩
申请日:2014.08.12 公开日:2014.12.24
发明人:
刘倩
;
张玉革
摘要:本发明涉及一种中药领域,特别涉及一种治疗糖尿病周围性神经病变的中药。该治疗糖尿病周围性神经病变的中药,主要由以下重量份数的原料组成:生黄芪25g、黄精10g、木瓜10g、丹参15g、当归10g、鸡血藤15g、白芍10g、牛膝10g、穿山甲5g、全蝎5g、桂枝10g、苏木8g。本发明中药汤剂治疗糖尿病周围性神经病变临床应用多年,具有益气养阴,活血通络之功效。治疗糖尿病周围性神经病变,疗效确切,显著,无任何毒副作用,治愈率为97.5%,值得推广。
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3:
[发明]
基于APD阵列的三维激光成像系统及方法
申请号:
201510555861.0
公开号:CN105242281A 主分类号:
申请人:
西安交通大学
申请日:2015.09.01 公开日:2016.01.13
发明人:
孙剑
;
刘倩玉
摘要:基于APD阵列的三维激光成像系统及方法,该系统包括激光发射器,固定在激光发射器出光端的半透半反镜,固定于半透半反镜透射光路上的达曼光栅,目标物体固定于达曼光栅出光端,固定于目标物体反射光路上的第一汇聚透镜,固定于第一汇聚透镜汇聚光路上的数字微镜器件DMD,固定于数字微镜器件DMD反射光路上的第二汇聚透镜,固定于第二汇聚透镜汇聚光路上的8×8的APD阵列探测器;固定于半透半反镜反射光路上的第三汇聚透镜,固定于第三汇聚透镜汇聚光路上的单元APD探测器;与单元APD探测器和8×8的APD阵列探测器连接的测时电路,与测时电路和数字微镜器件DMD连接的计算机处理模块;本发明还公开了成像方法;能够以低分辨率的APD传感器阵列同时获得高分辨率的距离像和强度像,突破传感器阵列的限制。
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4:
[发明]
一种用于英语教学的智能型英语教学系统
申请号:
202210262845.2
公开号:CN114973790A 主分类号:G09B5/02
申请人:
临沂职业学院
申请日:2022.03.17 公开日:2022.08.30
发明人:
刘玉倩
摘要:本发明公开了一种用于英语教学的智能型英语教学系统,壳体上装配有导热散热结构,壳体后壁装配有散热遮挡结构,壳体后壁下端左右两侧装配有连接固定结构,左右两侧连接固定结构下端固定装配有底板;采用导热散热结构进行散热,利用散热风扇将壳体内部器件的热量传导至散热孔处排出,起到优良的散热效果,同时在不使用时利用散热遮挡结构对散热孔处进行必要的遮挡,避免灰尘的积累和进入,保证散热效果;散热窗口处通过支撑杆进行支撑连接,环形窗口散热面积大,通过环形窗口进风从散热孔排出,实现较大范围的空气流动,散热金属网处能够通过敲击震荡进行积累灰尘的清洁,有效避免灰尘的堆积。
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5:
[发明]
髋关节假体的角度测量方法、装置和测量系统
申请号:
202210587884.X
公开号:CN115005857A 主分类号:A61B6/12
申请人:
川北医学院
申请日:2022.05.27 公开日:2022.09.06
发明人:
梅玉倩
;
刘倩
;
刘璐
摘要:本发明公开了一种髋关节假体的角度测量方法、装置和测量系统。该方法包括:获取髋关节置换术后的骨盆DR正位片图像数据;提取髋关节假体的轮廓;自动识别髋臼杯假体的边缘空间信息;测量髋关节假体的前倾角和外展角。该方法基于临床最常用的X线扫描技术获得的DR髋关节图像,通过图像处理的方法将髋关节假体部分分割出来,并将关键点的信息自动提取出来,对前倾角和外展角实现自动测算。本发明还结合了图像校正系统,规避了由手动测量带来的误差与个体化差异,应用统一算法保证测量的准确性,为临床治疗规划及患者随访评估提供有效测量工具。
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6:
[发明]
一种多级结构复合材料及其制备方法和应用
申请号:
202210723253.6
公开号:CN115000378A 主分类号:H01M4/36
申请人:
齐鲁工业大学
申请日:2022.06.24 公开日:2022.09.02
发明人:
赵倩
;
刘玉
摘要:本发明属于电化学储能领域,涉及一种多级结构复合材料及其制备方法和应用。多级结构复合材料包括炭管‑硫复合材料,所述炭管‑硫复合材料由炭管负载单质硫形成,所述炭管为中空管状结构的炭,中空管状结构的管壁为多孔结构;所述炭管‑硫复合材料的表面包覆一层二维纳米片,所述二维纳米片为单层或多层的层片状化合物。本发明提供的多级结构复合材料可以提高硫的利用率,促进离子/电子的快速传输,并通过物理限域和化学吸附双重作用抑制金属‑硫电池的穿梭效应,最大程度地提升电池的电化学性能。
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7:
[发明]
一种减小接触寄生电阻对器件测试影响的测试方法
申请号:
202211336879.8
公开号:CN115616291A 主分类号:G01R27/08
申请人:
上海积塔半导体有限公司
申请日:2022.10.28 公开日:2023.01.17
发明人:
刘倩倩
;
高玉珠
摘要:本发明公开了一种减小接触寄生电阻对器件测试影响的测试方法,该测试方法包括:S101:提供一半导体晶圆,在半导体晶圆上选定一待测晶粒;S102:采用四端法测试待测晶粒的电阻,获取第一电阻值;S103:采用两端法测试待测晶粒的电阻,获取第二电阻值;S104:调整两端法扎入待测晶粒的扎针深度为第一扎针深度,使第二电阻值等于第一电阻值。进而,本发明通过调整两端法的扎针深度调整两端法测电阻的电阻值,使得两端法测试所得的电阻值等于四端法测试所得的电阻值,进而消除接触寄生电阻对于两端法测电阻的影响,后续以两端法测电阻等于四端法测电阻时的扎针深度对半导体晶圆或者器件进行可靠性或者良率的测试,提高测试的准确性。
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8:
[发明]
一种用于假发生产加工的拉直除杂设备
申请号:
202310890250.6
公开号:CN116671691A 主分类号:A41G3/00
申请人:
派对文化集团有限公司
申请日:2023.07.20 公开日:2023.09.01
发明人:
兰玉琴
;
刘倩
摘要:本发明涉及假发生产设备技术领域,尤其涉及一种用于假发生产加工的拉直除杂设备。要解决的技术问题:提供一种能够更换梳理轨迹,以便将假发拉直除杂的用于假发生产加工的拉直除杂设备。本发明提供了这样一种用于假发生产加工的拉直除杂设备,包括有支撑座、旋转板、电动滑轨、第一滑杆、滑动框等,支撑座左上部转动式连接有旋转板,旋转板上部前后两侧均连接有电动滑轨,电动滑轨上均滑动式连接有第一滑杆,第一滑杆之间滑动式连接有滑动框。本发明通过电动滑轨控制梳子将假发进行梳理去除杂质,并且通过加热板能够将假发拉直,而且在齿轮和齿条之间的配合下,能够自动更换梳子的梳理轨迹,从而更加方便的将假发拉直除杂。
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9:
[发明]
一种载盘清洗装置和方法
申请号:
202310953853.6
公开号:CN116984276A 主分类号:B08B1/00
申请人:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
;
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日:2023.07.31 公开日:2023.11.03
发明人:
刘玉乾
;
刘倩
摘要:本发明提供一种载盘清洗装置和方法。载盘清洗装置,用于清洗硅片载盘,载盘清洗装置包括用于清洗硅片载盘的周向凹槽第一清洗组件,第一清洗组件包括驱动组件、清洗探针和导向结构,清洗探针与驱动组件传动连接,以使清洗探针能够在驱动组件的驱动下进行圆周运动,导向结构用于填充硅片载盘的周向相邻的两个凸起结构之间的径向凹槽,以使清洗探针沿硅片载盘的周向凹槽移动。本发明实施例的载盘清洗装置,通过设置驱动组件和清洗探针,通过驱动组件带动清洗探针沿着硅片载盘的轴向凹槽移动,通过设置导向结构,能够确保清洗探针在清洗过程中能够沿着周向凹槽移动,能够提高对于硅片载盘上的硅粉和硅颗粒的清除效果,降低后续对于硅片加工的影响。
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10:
[发明]
显示装置
申请号:
202311161563.4
公开号:CN117177600A 主分类号:H10K50/18
申请人:
京东方科技集团股份有限公司
申请日:2020.12.28 公开日:2023.12.05
发明人:
孙玉倩
;
刘杨
摘要:本公开实施例提供一种显示装置,包括出射不同颜色光线的多个子像素,至少一个子像素包括阳极、阴极、设置于所述阳极和所述阴极之间的发光层、以及设置于所述发光层靠近所述阳极一侧的电子阻挡层,相邻的两个出射不同颜色光线的子像素的所述发光层的边缘交叠或者隔离;至少一个子像素中,所述发光层包括主体材料和掺杂材料,所述主体材料包括N型材料和P型材料;至少一个子像素中,所述电子阻挡层的材料与所述N型材料满足:2.75eV≤│LUMON‑host‑HOMOEBL│<3.05eV;0.3<│HOMON‑host‑HOMOEBL│≤1eV,且│HOMOEBL│<│HOMON‑host│。
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