摘要：本发明提出一种外延片的形成方法及外延片。该方法包括：检测外延片在未经应力补偿下的内应力类型；提供第一材料衬底层；根据检测的内应力类型选择淀积工艺和/或淀积材料；根据选择的淀积工艺和/或淀积材料确定淀积材料的厚度；根据选择的所述淀积工艺、淀积材料和确定的所述淀积材料的厚度在所述第一材料衬底层的第二表面之上形成应力补偿层；和在第一材料衬底的第一表面之上形成第二材料层。通过本发明实施例可以使得由于应力补偿层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径正好与由于第二材料层与第一材料衬底层热失配应力差所产生的弯曲曲率半径相抵消。

摘要：本申请提供一种倒装LED芯片结构及其制作方法，其中该方法包括：步骤1，依次布置衬底、缓冲层、N型层、发光层和P型欧姆接触层；步骤2，通过刻蚀形成芯片隔离区；步骤3，在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；步骤4，在P型欧姆接触层之上形成扩散反射层，在隔离区、N型电极形成区、扩散发射层之上形成绝缘介质膜层；步骤5、对N型电极型成区、扩散反射层之上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；步骤6、制作形成P型电极和N型电极，焊接于PCB板上。

摘要：本申请提供一种LED芯片结构及其制备方法，该方法包括：粗化外延片；和平化电极接触区。该结构包括：从底向上顺序布置的衬底、缓冲层、N性材料层、MQW发光区和经过粗化的P性材料；其中，P性材料的表面一部分存在平化区域，平化区域上布置透明导电层和电极。

摘要：本申请公开了一种微显示芯片结构及制造方法，该微显示芯片结构包括有机支撑衬底，以及依次设置在其表面之上的光转换层、环状光阻隔层、自发光单元等多层结构，各层通过窗口实现互联，还可增设光过滤层提升色纯度；其制造方法通过晶圆预处理、多层结构制备、键合与衬底去除、切割等步骤完成芯片制作；本申请通过自发光单元发射蓝光配合光转换层实现RGB三色显示，简化了RGB集成方式，减少了对巨量转移的依赖，同时利用环状光阻隔层等结构抑制光串扰，降低了生产成本并提升了显示效果，适用于Mi cro LED高集成度显示场景。

摘要：本申请公开了一种微显示芯片结构及其制作工艺，结构包括有机透明支撑衬底、光转换层、P型掺杂单晶硅、蓝光外延结构、透明导电层、扩展电极、含炭黑的吸光隔离绝缘层及焊线电极；制造采用临时键合‑衬底减薄‑激光解键合流程；本申请针对现有Mi cro LED微显示技术中“光串扰率高”、“小尺寸红光效率低”、“工艺复杂成本高”三大核心痛点，通过“吸光隔离绝缘层+量子点色转换+有机透明支撑衬底”的一体化设计，实现性能与产业化价值的双重突破，不仅在核心性能上实现对现有技术的代际突破，更通过工艺优化与成本控制，打通“实验室技术”到“量产产品”的关键链路，为高分辨率全彩Mi cro LED微显示的产业化提供核心解决方案。

摘要：本申请公开了一种micro‑VCSEL芯片的封装结构及其制造方法，结构包括承载基板、micro‑VCSEL芯片、隔离绝缘层及金属互联结构；承载基板选自Si复合、绝缘复合、TGV或绝缘透明基板，通过巨量转移将micro‑VCSEL芯片固定于基板键合金属上，利用隔离绝缘层窗口与金属互联结构实现电极从外延结构向低成本基板的转移；方法包括外延晶圆制备、芯片微型化、巨量转移、绝缘层制作及金属互联成型等步骤，支持垂直/倒装芯片、P侧/N侧发光，适配多场景需求；本发明避免外延材料浪费，显著降低成本，同时保证器件电性能、光学性能与可靠性，应用前景广泛。

摘要：本申请公开了一种高压微显示芯片结构及制造方法，属于Micro LED显示领域，旨在解决传统低压芯片需外部驱动、现有高压芯片绝缘复杂、离子注入粗糙、金属线路可靠性低及衬底复用率低的问题；结构含外延结构、第一离子注入阻隔层、第二离子注入阻隔层、透明导电层、欧姆接触金属线路、连线金属线路、隔离绝缘层及键合电极；方法通过双次离子注入、磁控溅射/PECVD制备功能层、临时基板键合与激光剥离实现制造；本发明通过简化制程，使制得的芯片绝缘性能优异、电学性能好、可靠性提升，同时衬底复用率提升，成本降低，满足了需求。

摘要：本申请公开了一种高压Mi cro LED芯片结构及制造方法，适用于AR/VR、微型投影仪等场景，旨在解决现有高压Mi cro LED芯片堆叠结构复杂、衬底透光与强度失衡、电极绝缘层可靠性差及量产一致性低的问题；芯片结构包括透明支撑衬底、单层外延结构、透明导电层、优化叠层电极及带渐变窗口的双层隔离绝缘层，通过连接线路实现高压串联；方法含15个步骤，关键工艺参数明确，如磁控溅射功率100‑300W、PECVD温度200‑400℃，结合激光剥离与临时键合实现高效制备；本发明使芯片良率提升至92％以上，亮度提升0％‑15％，制造成本降低15％‑18％，像素间距可至3‑5μm，适配微型显示高压稳定驱动需求。

摘要：本申请公开了一种色转换全彩化Micro LED芯片结构及制作方法，芯片包括透明保护胶、Si衬底、内嵌于Si衬底的透明填充胶和色转换材料，以及透明黏附层、Micro LED芯片、隔离绝缘胶、布线线路、保护胶和电极；隔离绝缘胶与保护胶分别设通孔实现层间互连；制造方法通过硅晶圆凹槽制备、透明填充胶涂覆与刻蚀、色转换材料打印、Micro LED芯片巨量转移、布线与电极制作、背面处理及切割等步骤实现量产；本发明采用内嵌式集成设计简化芯片结构，优化制程流程降低成本，Si衬底提升散热性能，优化亮度和色彩纯度，解决现有技术结构复杂、光串扰严重等问题，适用于高清显示、车载显示、AR/VR等场景。

摘要：本发明公开一种LED芯片及其制造方法，该LED芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、电流扩散导电层、P电极和N电极，与所述P电极接触的电流扩散导电层采用孔洞结构，所述电流扩散导电层的孔洞的大于P电极的尺寸。电流扩散导电层的孔洞比P电极的尺寸大3～8um，P电极具有Finger结构，且Finger结构与所述LED芯片中的氧化铟锡接触。本发明中的LED芯片能够增强边缘的电流扩散导电层与电极之间的结合力，降低边缘的电流扩散导电层和电极之间的脱落风险。